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STMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ， 350 V， 4 A， 3-Pin TO-220STMicro￥1,598税込￥1,758
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仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大連続コレクタ電流 ： 4 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 350 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●トランジスタ構成 ： シングル●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最小DC電流ゲイン ： 500●最大ベース-エミッタ間飽和電圧 ： 1.8 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 ： 2 V●最大コレクタカットオフ電流 ： 500μA●最大パワー消費 ： 100 Wmm●NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， 整流ダイオード， 200mA， 30V スルーホール， 2-Pin DO-35 ショットキーバリア 450mVSTMicro￥189税込￥208
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： DO-35●最大連続 順方向電流 ： 200mA●ピーク逆繰返し電圧 ： 30V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： ショットキーダイオード●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 2●最大順方向降下電圧 ： 450mV●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： ショットキーバリア●ピーク逆回復時間 ： 5ns●直径 ： 1.7mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 4A●STMicroelectronics BAT42 / BAT43 小信号ショットキーダイオード. STMicroelectronics BAT42 / BAT43 は小信号ショットキー・ダイオードです。これらは、 DO-35 パッケージに収められた金属 - シリコンダイオードです。 BAT42 と BAT43 の主な違いは静電特性です。詳細については、製品データシートを参照してください。 繰り返しのピーク逆電圧は? 30 V 保存温度とジャンクション温度の範囲は? -65 ～ +150℃ 何に使用しますか? BAT42とBAT43は、汎用用途向けに設計されています。これらの製品は、静電放電に対する過電圧保護を内蔵しています。RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， スイッチングダイオード スルーホール， 8A， 1200V， シングル，エレメント数 1 TO-220FPAC， 2-Pin 2.2VSTMicro￥959税込￥1,055
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仕様●ダイオード構成 ： シングルA●実装タイプ ： スルーホール●最大逆電圧 ： 1200V●パッケージタイプ ： TO-220FPAC●ピン数 ： 2V●最大ダイオードキャパシタンス ： 12pF●動作温度 Max ： +175 ℃●長さ ： 10.4mm●幅 ： 4.6mm●高さ ： 16.4mm●寸法 ： 10.4×4.6×16.4mm●整流ダイオード、4 A → 9 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 60 A， 3 ピン パッケージTO-220STMicro￥1,998税込￥2,198
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード， 単方向， 表面実装， ESDA5V3SC5STMicro￥399税込￥439
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仕様●方向性タイプ 単方向●最小ブレークダウン電圧 5.3V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ SOT-23●最大逆スタンドオフ電圧 3V●ピン数 5●ピークパルスパワー消費 500W●ESD保護 あり●1チップ当たりのエレメント数 4●動作温度 Min -40℃●寸法 3×1.75×1.3mm●最大逆漏れ電流 2μA●Transil(TM)単方向アレイ、ESD保護用、ESDAシリーズ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオードアレイ， 双方向， 表面実装， ESDA6V1BC6STMicro￥309税込￥340
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翌々日出荷
仕様●方向性タイプ 双方向●最小ブレークダウン電圧 6.1V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ SOT-23●最大逆スタンドオフ電圧 5V●ピン数 6●ピークパルスパワー消費 80W●ESD保護 あり●1チップ当たりのエレメント数 4●動作温度 Min -40℃●寸法 3.05×1.75×1.3mm●最大逆漏れ電流 1μA●Transil(TM)双方向アレイ、ESD保護用、ESDAシリーズ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET， 100 V， 110 A， 3 ピン パッケージTO-220FPSTMicro￥2,398税込￥2,638
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W寸法 = 10.6 x 4.6 x 16.4mmNチャンネルSTripFETΩ H7シリーズ、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics PNP ダーリントンペア， 100 V， 4 A， 3-Pin SOT-32STMicro￥799税込￥879
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 4 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 750最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA動作温度 Max = +150 ℃PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics モータコントローラSTMicro￥999税込￥1,099
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様出力構成：ハーフブリッジ最大IGBTコレクタ電流：0.4A最大コレクタ- エミッタ間電圧：600 V実装タイプ：表面実装パッケージタイプ：SOICピン数：8動作供給電圧 Min：14.6 V標準スイッチング周波数：400kHz幅：4mmMOSFET / IGBTドライバ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET， 200 V， 15 A， 3 ピン パッケージTO-220 STripFET シリーズSTMicro￥1,698税込￥1,868
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 90 W標準ターンオフ遅延時間 = 19 nsNチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics 降圧 DC-DCコンバータ， 出力電圧(Min):18 V 可変 VFQFPNSTMicro￥2,998税込￥3,298
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●出力電圧 Min ： 18 V●出力電圧 Max ： -1 V●入力電圧 Min ： 3 V●入力電圧 Max ： 18 V●出力電流 Max ： 4A●コンバータタイプ ： ステップダウン●出力数 ： 1●出力タイプ ： 可変●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： VFQFPN●ピン数 ： 8●動作温度 Max ： +150 ℃●動作温度 Min ： -40 ℃●スイッチングレギュレータ ： ありmm●LEDドライバ、LED用バック電流レギュレータ、 STMicroelectronics. これらのステップダウンスイッチングレギュレータは、シンプルで効率が高く、高入力電圧に対応しています。 高輝度LEDを駆動するための高いスイッチング周波数で最大4 Aの出力が可能です。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics ツェナーダイオード 18V 表面実装STMicro￥559税込￥615
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 ： シングルV●1チップ当たりのエレメント数 ： 6●パッケージタイプ ： SOIC●ピン数 ： 8●最大逆漏れ電流 ： 2μA●寸法 ： 5×1.65×4mm●順電圧 ： 1.3VRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， スイッチングダイオード 表面実装， 8A， 200V， シングル，エレメント数 1 DPAK (TO-252)， 3-Pin 1.05VSTMicro￥1,998税込￥2,198
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 ： シングルA●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最大逆電圧 ： 200V●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●ダイオードテクノロジー ： シリコンジャンクション●ピン数 ： 3V●動作温度 Max ： +175 ℃●長さ ： 6.6mm●幅 ： 6.2mm●高さ ： 2.4mm●寸法 ： 6.6×6.2×2.4mm●整流ダイオード、4 A → 9 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ Mems圧力センサ， 10-Pin HLGASTMicro￥1,498税込￥1,648
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様●センサータイプ ： 絶対圧力センサkPa●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： HLGA●ピン数 ： 10●寸法 ： 2.5×2.5×0.8mm●最高使用圧力 ： 126kPa●動作供給電圧 Max ： 3.6 V●動作温度 Max ： +105 ℃●出力電圧 Max ： 6.7 V●最低使用圧力 ： 26kPa●出力電圧 Min ： 5.7 V●MEMS圧力センサ: デジタル気圧計、STMicroelectronics. この製品は、高分解能検出素子と組み込み温度補償を備えた超コンパクトな絶対ピエゾ抵抗圧力センサです。デジタル圧力、温度データ、レジスタ制御通信は、 SPI 及び I 2 C インターフェイスを介して行われます。圧力センサは「 ST の VENSENS 技術」を採用した設計になっており、モノリシックシリコンチップ上に圧力センサを製造できます。これにより、ウエハーとウエハーの結合が排除され、信頼性が最大限に向上します。 この圧力センサは、革新的な MEMS (マイクロ電子機械システム)を採用しており、超小型で薄型のパッケージで非常に高い圧力分解能を実現しています。圧力センサは、タブレット、スマートフォン、及びウェアラブル技術でますます使用されるようになっています。スマートフォンでの普及が進み、気象アナライザ、健康モニタ、スポーツモニタなどの新しい用途への扉が開きます。. 主な技術的特長：強化された温度補償 絶対圧力の範囲は 260 ～ 1260 hPa です 消費電力を低減し、 4 μ A 未満 1pA RMS より低い圧力ノイズ 内蔵 FIFORoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics トランジスタ， NPN， 表面実装， 6 A， 2STD1665T4STMicro￥1,498税込￥1,648
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 65 V●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●実装タイプ ： 表面実装●最大パワー消費 ： 15000 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 150 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 7 V●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●STMicroelectronics NPNパワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics トランジスタ， PNP， 表面実装， -5 A， STD888T4STMicro￥859税込￥945
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： PNP●最大DCコレクタ電流 ： -5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： -30 V●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●実装タイプ ： 表面実装●最大パワー消費 ： 15 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 60 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 6 V●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●寸法 ： 2.4×6.6×6.2mm●PNPパワートランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics オペアンプ， 表面実装， 2回路， 単一電源， TSZ122IQ2TSTMicro￥969税込￥1,066
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仕様●アンプタイプ ： Precision， Zero Drift●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： DFN●電源タイプ ： 単一電源●回路数 ： 2●ピン数 ： 8●標準シングル供給電圧 ： 1.8 → 5.5 V●標準ゲイン帯域幅積 ： 400kHz●標準スルーレート ： 0.19V/μs●最大動作周波数 ： 2400 MHz●動作温度 Min ： -40 ℃●標準電圧ゲイン ： 135 dB●幅 ： 2.15mm●TSZ122、超高精度、ゼロドリフト、微電力、5 Vオペアンプ. TSZ122高精度オペアンプは、低入力オフセット電圧と実質ゼロドリフトを実現しています。. 高い精度と安定性: オフセット電圧5 μV最大 レールツーレール入力 / 出力 動作電圧: 1.8 → 5.5 V 低消費電力: 40 μA最大(5 V) ゲイン帯域幅積: 400 kHz標準 高いESD耐性: 4 kV (HBM) 幅広い使用温度範囲: -40 → +125 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード， 表面実装， 15V， SLVU2.8-4A1STMicro￥679税込￥747
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 ： 絶縁型●最大クランピング電圧 ： 15V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●最大逆スタンドオフ電圧 ： 2.8V●ピン数 ： 8●ピークパルスパワー消費 ： 600W●最大ピークパルス電流 ： 24A●1チップ当たりのエレメント数 ： 4●動作温度 Min ： -55 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃mm●長さ ： 5mm●SLVU2.8ギガビットイーサネット保護、STMicroelectronics. スタンドオフ電圧: 2.8 V IEC 61000-4-5 class 2に対応したサージRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， 整流ダイオード， 5A， 600V スルーホール， 2-Pin DO-201AD シリコンジャンクションSTMicro￥1,198税込￥1,318
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： DO-201AD●最大連続 順方向電流 ： 5A●ピーク逆繰返し電圧 ： 600V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： スイッチング●ダイオードタイプ ： 整流器●ピン数 ： 2●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： シリコンジャンクション●直径 ： 5.3mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 110A●整流ダイオード、4 A → 9 A、STMicroelectronics
STマイクロ， サイリスタ， SCR， 0.8A， 600V， X0202MN 5BA4STMicro￥499税込￥549
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●定格平均オン電流 ： 0.8A●サイリスタタイプ ： SCR●パッケージタイプ ： SOT-223●繰返しピーク逆方向電圧 ： 600V●サージ電流レーティング ： 25A●実装タイプ ： 表面実装●最大ゲートトリガー電流 ： 0.2mA●最大ゲートトリガー電圧 ： 0.8V●最大保持電流 ： 5mA●ピン数 ： 3+Tab●寸法 ： 6.5×3.5×1.8mm●動作温度 Min ： -40 ℃V●STMicroelectronics 高感度ゲートサイリスタ. STMicroelectronics の高感度ゲートサイリスタ製品は、ゲートトリガ電流が制限されている用途に適しています。主な用途は、漏電遮断器と残留電流装置です。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics 電圧レギュレータ 低ドロップアウト電圧 3.3 V， 8-Pin， L78L33ABD-TRSTMicro￥1,198税込￥1,318
1袋(50個)
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仕様●出力電流 Max ： 100mA●出力電圧 ： 3.3 V●ラインレギュレーション ： 150 mV●ロードレギュレーション ： 60 mV●実装タイプ ： 表面実装●静止電流 ： 6mA●ピン数 ： 8●出力タイプ ： 固定●寸法 ： 5×4×1.5mm●高さ ： 1.5mm●幅 ： 4mm●L78L シリーズの 3 端子正レギュレータは、内部電流制限及びサーマルシャットダウンを採用しており、基本的に非常に頑丈です。十分なヒートシンクが用意されている場合は、最大 100 mA の出力電流を供給できます。単一ポイントレギュレーションに関連するノイズと分配の問題を除去するためのローカル / カード上のレギュレーションをはじめとする、さまざまな用途での固定電圧レギュレータとして使用されています。さらに、パワーパス素子と組み合わせて高電流電圧レギュレータを形成することもできます。L78L シリーズは、ツェナーダイオード / 抵抗器の組み合わせの代替品として使用され、静止電流を低く抑え、ノイズを低減することで改善されています。出力電流: 最大100 mA 出力電圧： 3.356891012151824 V の熱過負荷保護 短絡保護 外付け部品は不要です。 ± 4 % ( A )又は ± 8 % ( C )のいずれかを選択可能ですRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， スイッチングダイオード スルーホール， 8A， 1000V， シングル，エレメント数 1 TO-220Ins， 2-Pin 2VSTMicro￥749税込￥824
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仕様●ダイオード構成 ： シングルA●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最大逆電圧 ： 1000V●パッケージタイプ ： TO-220Ins●ピン数 ： 2V●最大ダイオードキャパシタンス ： 7pF●動作温度 Max ： +175 ℃●長さ ： 10.4mm●幅 ： 4.6mm●高さ ： 15.9mm●寸法 ： 10.4×4.6×15.9mm●整流ダイオード、4 A → 9 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics ハイサイドSTMicro￥2,498税込￥2,748
1袋(10個)
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仕様電源スイッチの種類：ハイサイドスイッチオン抵抗：100mΩ出力数：1電圧：36V電流：19A実装タイプ：表面実装パッケージタイプ：PowerSSOピン数：12寸法：5 x 4 x 1.65mm長さ：5mm幅：4mm高さ：1.65mm動作温度 Max：+150 ℃動作温度 Min：-40 ℃電力IC、ハイサイド電源スイッチ、STMicroelectronics. ハイサイドスイッチを使用すれば、抵抗性負荷、誘導性負荷、容量性負荷に高い電流を流しても安全です。 診断、保護、制御の機能に、信頼性の高い低オン抵抗パワースイッチと正確なアナログ回路の両方を必要とする厳しい車載環境で動作するように設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 16 A， 3 ピン パッケージTO-220 STripFET シリーズSTMicro￥1,298税込￥1,428
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 315 pF @ 25 VNチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 60 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)STMicro￥1,798税込￥1,978
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 110W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
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