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仕様●最大ゲート-ソース間電圧:-12 V, +12 V ピン数(ピン)7 RoHS指令(10物質対応)対応 パッケージU-DFN2030 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数2 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)1.7 チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(A)9.3 最大ドレイン-ソース間電圧(V)20 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)28 最大ゲートしきい値電圧(V)1.1 カテゴリーパワーMOSFET
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