電子部品(オンボード) ：「a4 袋」の検索結果

ピーク平均順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SDIPピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 8.51mm高さ = 2.6mmULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmFairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220AC最大連続 順方向電流 = 8Aピーク逆繰返し電圧 = 400Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 60nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100Aメーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、4 A → 9 A、ON Semiconductor

実装タイプ 表面実装パッケージタイプ DO-214AB (SMC)最大連続 順方向電流 4Aピーク逆繰返し電圧 40Vダイオード構成 シングル整流タイプ ショットキー整流器ダイオードタイプ ショットキーピン数 2最大順方向降下電圧 500mV1チップ当たりのエレメント数 1ダイオードテクノロジー ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 80AON Semiショットキーバリア整流器、3 A、20 30 40 V. このシリーズのON Semiconductor ショットキーパワー整流器 は、パワーダイオード内でショットキーバリア技術を採用しています。これらの3 A整流器は、さまざまな電圧オプションが用意されているコンパクトなデバイスです。 これらのショットキーパワー整流器は、J字形リード付きのSMC表面実装パッケージで提供されます。ケースは成形エポキシ製で、寸法は7.94 5.84 2.13 mmです。パッケージの外面には、腐食性に対する耐性が備わっています。 特長: 安定した酸化物不動態化ジャンクション 低順方向電圧降下 逆アバランシェエネルギー過渡に対する優れた耐性 ガードリングによりストレス保護 何に使用しますか? これらのショットキーパワー整流器は、低電圧、高周波の整流に最適です。また、還流ダイオード及び極性保護ダイオードとして使用することもできます。これらの製品は、サイズと重量が重要とされる用途に最適です。角型パッケージは、自動処理に適しています。 ジャンクション動作温度 -65 +150 整流順方向電流 A (110 ℃)又は4 (105 ℃) 種類: MBRS320T3G 20 SBRS8320T3G 20 MBRS330T3G 30 NRVBS330T3G 30 MBRS340T3G 40 SBRS8340T3G 40 V

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = ケース 267-05最大連続 順方向電流 = 4Aピーク逆繰返し電圧 = 800Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ファストリカバリーダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆回復時間 = 100ns直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 70Aスイッチング電源、インバータ、フリーホイーリングダイオードとして使用するように設計された、超高速「 E 」シリーズは、最先端のデバイスです20 mジュール アバランシェエネルギーを保証 誘導負荷回路のスイッチングにおける電圧トランジェントに対する優れた保護 超高速 75 ナノ秒の回復時間 動作ジャンクション温度： 175 ° C 低順方向電圧 低漏洩電流 耐熱ガラス不動態化ジャンクション 逆電圧：最大 1000 V 機械的特性： ケース：エポキシ、成形 重量：約 1.1 グラム 仕上げ：すべての外面に耐腐食性、 Terminal Leads は容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード温度：最大 260 ° C ( 10 秒間) 極性：極性バンドでカソードを表示 マーキング： MUR480E 、 MUR4100E

ピーク平均順方向電流 = 25Aピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBPC-Wピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA寸法 = 29 x 29 x 11.23mm高さ = 11.23mmUL #E258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 25シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流25 A ガラス不動態化ダイ構造 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化 ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上 ファストン端子

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm高さ = 1.5mmPowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MicroDIPピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 10μA長さ = 4.55mm高さ = 1.45mmUL、E352360. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MDBxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. 低パッケージプロファイル: 1.45 mm(最大) 必要な基板スペース: 35 mm2のみ 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +30 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-35最大連続 順方向電流 = 500mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 小信号ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション直径 = 1.91mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4AON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 54 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 135000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.83mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 3 A絶縁電圧 = 7500 Vrms論理出力 = あり最大電流変換率 = 100%標準降下時間 = 2μsシリーズ = 4N35オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-204AH最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 125Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 400ns直径 = 1.91mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4AON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

ピーク平均順方向電流 = 15Aピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スクリュー マウントパッケージタイプ = GBPCピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 29mm幅 = 29mmUL E258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 15シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流15 A ガラス不動態化ダイ構造 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化 ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 12.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.5 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-80最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2AON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

ピーク平均順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SDIPピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA寸法 = 8.51 x 6.5 x 3.3mm幅 = 6.5mmULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-80最大連続 順方向電流 = 300mAピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4AON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

ピーク平均順方向電流 = 12Aピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スクリュー マウントパッケージタイプ = GBPCピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA寸法 = 29 x 29 x 11.23mm高さ = 11.23mmプッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 12シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流: 12 A 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化 サージ過負荷定格: 300 A ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上 UL認定: UL #E258596

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 3 A絶縁電圧 = 7500 Vrms論理出力 = あり最大電流変換率 = 100%標準降下時間 = 2μsシリーズ = 4N35オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ダーリントン最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 5μs最大入力電流 = 3 A絶縁電圧 = 2500 Vrms論理出力 = あり最大電流変換率 = 500%標準降下時間 = 100μsシリーズ = 4N32オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 25Aピーク逆繰返し電圧 = 50V実装タイプ = スクリュー マウントパッケージタイプ = GBPCピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA寸法 = 29 x 29 x 11.23mm高さ = 11.23mmUL #E258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 25シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流25 A ガラス不動態化ダイ構造 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化 ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上 ファストン端子

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-35最大連続 順方向電流 = 500mAピーク逆繰返し電圧 = 150Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 小信号ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション直径 = 1.91mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4AON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

UL #E258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 25シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流25 A ガラス不動態化ダイ構造 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化 ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上 ファストン端子

ピーク平均順方向電流 = 500mAピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 4.95mm幅 = 4.2mmUL、E258596. ON Semiconductor MB1S-MB8S ブリッジ整流器

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.1V1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2AON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

出力電流 = 4 A供給電圧 = 20Vピン数 = 8パッケージタイプ = SOP出力数 = 1トポロジー = ハイサイドドライバ数 = 1ブリッジタイプ = ハーフブリッジ極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装ハイサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 5μs最大入力電流 = 3 A絶縁電圧 = 7500 Vrms論理出力 = あり最大電流変換率 = 20%標準降下時間 = 5μsシリーズ = 4N38オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 3 A絶縁電圧 = 7500 Vrms論理出力 = あり最大電流変換率 = 100%標準降下時間 = 2μsシリーズ = 4N25オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 8Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBU 4Lピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 22.3mm幅 = 18.8mmUL、E258596. ブリッジ整流器シングルインラインパッケージ基板実装、GBUシリーズ. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器 耐高サージ電流 基板(PCB)取り付け用ワイヤリード構造

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-80最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.25V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 50ns直径 = 1.5mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4AON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = 小信号ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2AON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

ピーク平均順方向電流 = 8Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBUピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 50μA長さ = 22.3mm幅 = 3.56mmUL、E258596. ブリッジ整流器シングルインラインパッケージ基板実装、GBUシリーズ. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器 耐高サージ電流 基板(PCB)取り付け用ワイヤリード構造

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2000 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm高さ = 1.5mmFairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A. PowerTrenchR MOSFETは、最適化されたスイッチングを行いシステム効率と電力密度を向上させます。これらの製品は、低ゲート電荷(Qg)、低逆回復電荷(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードをを組み合わせることにより、AC/DC電源における同期整流用の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、電荷バランスを提供する遮蔽ゲート構造を採用しています。この高度な技術を利用することで、このデバイスのFOM(性能指数)は前世代の製品よりも大幅に低くなっています。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバ回路の除去、または高電圧定格MOSFETを置き換えることができます。

ピーク平均順方向電流 = 35Aピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBPC 4Lピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA寸法 = 29 x 29 x 11.23mm幅 = 29mmUL E-258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 35シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流35 A ガラス不動態化ジャンクション 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化 ファストン端子

ピーク平均順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MicroDIPピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 10μA長さ = 4.55mm幅 = 5.15mmUL、E352360. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MDBxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. 低パッケージプロファイル: 1.45 mm(最大) 必要な基板スペース: 35 mm2のみ 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-35最大連続 順方向電流 = 500mAピーク逆繰返し電圧 = 200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 小信号ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション直径 = 1.91mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4AON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード