商品豆知識
RoHS
仕様●最大出力周波数 ： 210MHz●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●パッケージタイプ ： TSSOP●最大供給電流 ： 75 mA●寸法 ： 5.1 x 4.5 x 1.05mm●高さ ： 1.05mm●長さ ： 5.1mm●動作供給電圧 Max ： 3.63 V●動作温度 Max ： +85 ℃●動作供給電圧 Min ： 2.97 V●動作温度 Min ： -40 ℃●幅 ： 4.5mm●クロック発生器●ON Semiconductor. エミッタ結合論理(ECL) カウンタ●ディバイダなどの算術演算機能
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(96個)
￥99,980
税込￥109,978
7日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40
最大パワー消費(mW)625
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)60
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)200
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)100
1箱(50個)
￥999
税込￥1,099
欠品中
仕様●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： DO-41●最大連続 順方向電流 ： 1A●ピーク逆繰返し電圧 ： 30V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： ショットキー整流器●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 2●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： ショットキーバリア●直径 ： 2.7mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 25A●ON Semi 1N5817 / 8 / 9アキシャルリード整流器. このシリーズは、金属-シリコンのパワーダイオードで構成されています。これらのダイオードは、クロムバリア金属、酸化物不動態化、金属オーバーラップコンタクトの形で提供されます。. 特長:. 超低VF 低い蓄積電荷 多数キャリア伝導 低電力損失 / 高効率. 特長:. ケース: エポキシ、成形 質量: 0.4 g 仕上げ: すべての外面に耐腐食性、端子リードは容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード温度: 最高260 ℃ (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 代表的用途:. 高周波数インバータ 還流ダイオード 極性保護ダイオード
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥34
税込￥37
3日以内出荷
仕様小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)160
最大パワー消費(mW)900
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)160
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)1
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン100， 160
最大動作周波数(MHz)100
1箱(50個)
￥2,498
税込￥2,748
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)800
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)100
最大パワー消費625 mW
仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-65
最大パワー消費(mW)500
最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)-80
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)-100
トランジスタタイプPNP
最大動作周波数(MHz)150
1箱(100個)
￥1,498
税込￥1,648
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45
最大パワー消費(mW)500
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)50
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)100
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン200， 420
最大動作周波数(MHz)300
1箱(25個)
￥559
税込￥615
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)75
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)1
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)300
最大パワー消費625 mW
1箱(10個)
￥299
税込￥329
5日以内出荷
仕様●上昇時間：200ns●最大スイッチング周波数：190 kHz
長さ(mm)5
幅(mm)4
寸法(mm)5×4×1.5
高さ(mm)1.5
出力電圧(V)7.5
コントロール電流
RoHS指令(10物質対応)対応
特性フライバック / フォワードPWMコントローラ、Fairchild Semiconductor
実装タイプ表面実装
トポロジーフライバック
最小動作温度(℃)-40
1箱(5個)
￥849
税込￥934
5日以内出荷
仕様●PWM コントローラタイプ：電流モード●コントロール方法：電流●フライバック / フォワードPWMコントローラ、Fairchild Semiconductor
幅(mm)3.9
寸法(mm)4.9×3.9×1.75
高さ(mm)1.75
出力電圧(V)4.5
出力電流(mA)150
ピン数(ピン)8
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
スイッチング周波数(kHz)最大190
降下時間(ns)120
1箱(10個)
￥1,798
税込￥1,978
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45
最大パワー消費(mW)625
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)800
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)100
1箱(100個)
￥1,498
税込￥1,648
5日以内出荷
仕様小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)120
最大パワー消費(mW)500
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)120
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)50
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)110
1箱(200個)
￥2,898
税込￥3,188
5日以内出荷
仕様小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)30
最大パワー消費(mW)500
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)30
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)100
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)1
1箱(200個)
￥3,198
税込￥3,518
5日以内出荷
仕様小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor
寸法(mm)4.58×3.86×4.58
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)60
最大パワー消費(mW)625
最大エミッタ-ベース間電圧(V)4
最大コレクタ-ベース間電圧(V)60
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)500
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)100
1箱(50個)
￥1,998
税込￥2,198
5日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)300
最大パワー消費(mW)625
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)300
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)500
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)50
1箱(50個)
￥2,198
税込￥2,418
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)50
最大パワー消費(mW)625
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)10
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)800
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)50
1箱(200個)
￥2,898
税込￥3,188
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
寸法(mm)5.2×4.19×5.33
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)75
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)1
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)300
最大パワー消費625 mW
1箱(10個)
￥299
税込￥329
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
寸法(mm)5.2×4.19×5.33
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40
最大パワー消費(mW)625
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)75
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)1
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)100
1リール(2000個)
￥18,980
税込￥20,878
5日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-45
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)-800
トランジスタタイプPNP
最大動作周波数(MHz)100
最大パワー消費625 mW
1箱(10個)
￥289
税込￥318
5日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-45
最大パワー消費(mW)500
最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)-50
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)-100
トランジスタタイプPNP
最大動作周波数(MHz)150
1箱(100個)
￥1,598
税込￥1,758
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40
最大パワー消費(mW)625
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)75
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)1
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)100
1箱(200個)
￥3,198
税込￥3,518
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
寸法4.58 x 3.86 x 4.58mm
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)50
最大パワー消費(mW)250
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)60
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)150
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン120
最大動作周波数(MHz)1
1箱(200個)
￥2,998
税込￥3,298
5日以内出荷
仕様小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)60
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)120
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)1
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン135， 200
最大動作周波数(MHz)160
最大パワー消費750 mW
1箱(10個)
￥359
税込￥395
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
寸法4.58 x 3.86 x 4.58mm
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)50
最大パワー消費(mW)625
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)50
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)800
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)100
1箱(100個)
￥1,798
税込￥1,978
5日以内出荷
仕様小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)65
最大パワー消費(mW)500
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)80
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)100
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン110
最大動作周波数(MHz)1
仕様小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-30
最大パワー消費(mW)500
最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)-30
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)-100
トランジスタタイプPNP
最小DC電流ゲイン420
最大動作周波数(MHz)10
1箱(200個)
￥2,998
税込￥3,298
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45
最大パワー消費(mW)500
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)50
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)100
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン420
最大動作周波数(MHz)1
1箱(200個)
￥2,998
税込￥3,298
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
寸法4.58 x 3.86 x 4.58mm
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45
最大パワー消費(mW)500
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)50
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)100
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン200， 420
最大動作周波数(MHz)1
1箱(200個)
￥2,798
税込￥3,078
5日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-30
最大パワー消費(mW)500
最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)-30
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)-100
トランジスタタイプPNP
最小DC電流ゲイン420
最大動作周波数(MHz)10
1箱(200個)
￥2,898
税込￥3,188
5日以内出荷
仕様小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor
寸法4.58 x 3.86 x 4.58mm
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)30
最大パワー消費(mW)500
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)30
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)100
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)1
1箱(200個)
￥2,498
税込￥2,748
5日以内出荷
仕様高電圧PNPトランジスタ、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-350
最大パワー消費(mW)625
最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)-350
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)-500
トランジスタタイプPNP
最小DC電流ゲイン30
最大動作周波数(MHz)200
1箱(100個)
￥1,798
税込￥1,978
5日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-40
最大パワー消費(mW)625
最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)-40
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)-200
トランジスタタイプPNP
最小DC電流ゲイン100
最大動作周波数(MHz)250
1箱(200個)
￥1,998
税込￥2,198
5日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-120
最大パワー消費(mW)900
最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)-120
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)-800
トランジスタタイプPNP
最小DC電流ゲイン120
最大動作周波数(MHz)1
1箱(50個)
￥2,998
税込￥3,298
5日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)400
最大パワー消費(mW)625
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)500
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)300
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン50
最大動作周波数(MHz)1
1箱(50個)
￥2,698
税込￥2,968
5日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
寸法5.2 x 4.19 x 5.33mm
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-45
最大パワー消費(mW)500
最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)-50
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)-100
トランジスタタイプPNP
最大動作周波数(MHz)10
1箱(200個)
￥2,998
税込￥3,298
5日以内出荷
仕様最大動作周波数：30 MHz
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
特性パワーPNPトランジスタ、Fairchild Semiconductor
パッケージTO-264
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-250
最大パワー消費(W)150
最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)-250
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)-17
トランジスタタイプPNP
最小DC電流ゲイン55， 80
最大動作温度(℃)150
1箱(5個)
￥3,898
税込￥4,288
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
寸法(mm)4.58×3.86×4.58
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45
最大パワー消費(mW)500
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)50
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)100
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン200， 420
最大動作周波数(MHz)300
1箱(50個)
￥1,898
税込￥2,088
5日以内出荷
仕様小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)30
最大パワー消費(mW)500
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)30
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)100
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン200， 420
最大動作周波数(MHz)1
仕様小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-25
最大エミッタ-ベース間電圧(V)-6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)-40
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)-1.5
トランジスタタイプPNP
最小DC電流ゲイン120， 160
最大動作周波数(MHz)200
最大パワー消費1 W
仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-100
最大パワー消費(W)1
最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)100
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)-1
トランジスタタイプPNP
最大動作周波数(MHz)100
1箱(50個)
￥2,398
税込￥2,638
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