商品豆知識
エコ商品
仕様●最大出力周波数 ： 210MHz●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●パッケージタイプ ： TSSOP●最大供給電流 ： 75 mA●寸法 ： 5.1 x 4.5 x 1.05mm●高さ ： 1.05mm●長さ ： 5.1mm●動作供給電圧 Max ： 3.63 V●動作温度 Max ： +85 ℃●動作供給電圧 Min ： 2.97 V●動作温度 Min ： -40 ℃●幅 ： 4.5mm●クロック発生器●ON Semiconductor. エミッタ結合論理(ECL) カウンタ●ディバイダなどの算術演算機能
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(96個)
￥109,800
税込￥120,780
7日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40
最大パワー消費(mW)625
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)60
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)200
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)100
1箱(50個)
￥999
税込￥1,099
当日出荷
仕様小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)60
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)120
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)1
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン135， 200
最大動作周波数(MHz)160
最大パワー消費750 mW
1箱(10個)
￥359
税込￥395
5日以内出荷
仕様●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： DO-41●最大連続 順方向電流 ： 1A●ピーク逆繰返し電圧 ： 30V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： ショットキー整流器●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 2●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： ショットキーバリア●直径 ： 2.7mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 25A●ON Semi 1N5817 / 8 / 9アキシャルリード整流器. このシリーズは、金属-シリコンのパワーダイオードで構成されています。これらのダイオードは、クロムバリア金属、酸化物不動態化、金属オーバーラップコンタクトの形で提供されます。. 特長:. 超低VF 低い蓄積電荷 多数キャリア伝導 低電力損失 / 高効率. 特長:. ケース: エポキシ、成形 質量: 0.4 g 仕上げ: すべての外面に耐腐食性、端子リードは容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード温度: 最高260 ℃ (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 代表的用途:. 高周波数インバータ 還流ダイオード 極性保護ダイオード
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥46
税込￥51
5日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●電源タイプ ： ±2電源， 単一電源●回路数 ： 2●ピン数 ： 8●標準シングル供給電圧 ： 3 → 36 V●標準ゲイン帯域幅積 ： 24MHz●標準デュアル供給電圧 ： ±1.5 → ±18V●標準スルーレート ： 10V/μs●最大動作周波数 ： 100 kHz●動作温度 Min ： -40℃●レール to レール ： No●標準入力電圧ノイズ密度 ： 18nV/√Hz●MC33272A / 74A●NCV33272A / 74A●高スルーレート●低入力オフセット電圧●オペアンプ●ON Semiconductor. ON SemiconductorのMC33272A / 74AとNCV33272A / 74Aのデュアルオペアンプ及びクワッドオペアンプは●バイポーラ入力と特許取得済みのZip-R-Trim素子を採用し●入力オフセット電圧を低減しています。 低入力電圧と高ゲイン帯域幅積が特長です。 デュアルダブレット周波数補償を使用して●スルーレートを上げながら●低入力ノイズ特性を維持しています。 すべてのNPN出力段で不感帯クロスオーバー歪みがなく●大きな出力電圧スイングと優れた位相 / ゲインマージンを特長としています。また●低オープンループ高周波数出力インピーダンスでソースとシンクが対称的なAC周波数性能を発揮します。. 100 μV (標準)にトリムされた入力オフセット電圧 低入力バイアス電流: 300 nA 低入力オフセット電流: 3.0 nA 高入力抵抗: 16 MΩ 低ノイズ: 18 nV/√Hz @ 1 kHz 高ゲイン帯域幅積 24 MHz @ 100 kHz 高スルーレート: 10 V/μs
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥259
税込￥285
7日以内出荷
仕様●上昇時間：200ns●最大スイッチング周波数：190 kHz
長さ(mm)5
幅(mm)4
寸法(mm)5×4×1.5
高さ(mm)1.5
出力電圧(V)7.5
コントロール電流
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性フライバック / フォワードPWMコントローラ、Fairchild Semiconductor
実装タイプ表面実装
トポロジーフライバック
最小動作温度(℃)-40
1箱(5個)
￥1,298
税込￥1,428
5日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●電源タイプ ： デュアル電源●回路数 ： 4●ピン数 ： 14●標準ゲイン帯域幅積 ： 16MHz●標準デュアル供給電圧 ： ±5 → ±18V●標準スルーレート ： 7V/μs●最大動作周波数 ： 100 kHz●動作温度 Max ： +85 ℃●レール to レール ： No●標準入力電圧ノイズ密度 ： 4.5nV/√Hz●MC33078●MC33079●低ノイズデュアル / クワッドオペアンプ●ON Semiconductor. MC33078/9シリーズは●モノリシックオペアンプのファミリです。バイポーラテクノロジーを採用し●オーディオ及びデータ信号処理用途に適しています。 高周波数PNP入力トランジスタを使用して●低入力電圧ノイズ●高ゲイン帯域幅積●高スルーレートのアンプを実現しています。 MC33078/9 ファミリは●デュアルバージョンとクワッドバージョンがあり●プラスチックDIP又はSOICパッケージに収められています(サフィックスP及びDに対応)。. デュアル電源動作: ±5 → ±18 V 低電圧ノイズ: 4.5 nV/Hz 低入力オフセット電圧: 0.15 mV 低入力オフセット電圧温度係数: 2 μV/℃ 低総調波歪み: 0.002 % 高ゲイン帯域幅積: 16 MHz 高スルーレート: 7 V/μs 高オープンループACゲイン: 800 @ 20 kHz 優れた周波数安定性 大出力電圧スイング: +14.1 V / -14.6 V 入力にESDダイオード付き
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥849
税込￥934
7日以内出荷
仕様●PWM コントローラタイプ：電流モード●コントロール方法：電流●フライバック / フォワードPWMコントローラ、Fairchild Semiconductor
幅(mm)3.9
寸法(mm)4.9×3.9×1.75
高さ(mm)1.75
出力電圧(V)4.5
出力電流(mA)150
ピン数(ピン)8
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
スイッチング周波数(kHz)最大190
降下時間(ns)120
1箱(10個)
￥1,498
税込￥1,648
5日以内出荷
仕様●レギュレータ機能 ： ブーストコンバータ●出力電流 Max ： 800mA●出力数 ： 1●ラインレギュレーション ： 1 mV/V●ロードレギュレーション ： 1 mV/V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： DFN●ピン数 ： 10●出力タイプ ： 可変●最大スイッチング周波数 ： 1.2 MHz●スイッチングレギュレータ ： あり●効率 ： 94%●寸法 ： 3 x 3 x 1.95mm●高さ ： 1.95mm●幅 ： 3mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥359,800
税込￥395,780
7日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)300
最大パワー消費(mW)625
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)300
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)500
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)50
1箱(50個)
￥1,598
税込￥1,758
5日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-45
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)-800
トランジスタタイプPNP
最大動作周波数(MHz)100
最大パワー消費625 mW
1箱(10個)
￥259
税込￥285
5日以内出荷
仕様●レギュレータ機能 ： 反転●レギュレータタイプ ： バックブーストスイッチングA●出力数 ： 1●ラインレギュレーション ： 19 mA●25 mA●250 mA●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●ピン数 ： 8●出力タイプ ： 固定●最大スイッチング周波数 ： 250 kHz●スイッチングレギュレータ ： あり●寸法 ： 5 x 4 x 1.5mm●高さ ： 1.5mm●幅 ： 4mm●スイッチングレギュレータ●ステップアップ / ステップダウンDC-DCコンバータ●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥369,800
税込￥406,780
7日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)800
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)100
最大パワー消費625 mW
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45
最大パワー消費(mW)625
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)800
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)100
1箱(100個)
￥999
税込￥1,099
5日以内出荷
仕様小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)120
最大パワー消費(mW)500
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)120
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)50
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)110
1箱(200個)
￥2,898
税込￥3,188
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
寸法4.58 x 3.86 x 4.58mm
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)50
最大パワー消費(mW)625
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)50
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)800
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)100
1箱(100個)
￥1,198
税込￥1,318
5日以内出荷
仕様小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)65
最大パワー消費(mW)500
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)80
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)100
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン110
最大動作周波数(MHz)1
仕様小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-30
最大パワー消費(mW)500
最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)-30
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)-100
トランジスタタイプPNP
最小DC電流ゲイン420
最大動作周波数(MHz)10
1箱(200個)
￥3,398
税込￥3,738
5日以内出荷
仕様小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)30
最大パワー消費(mW)500
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)30
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)100
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)1
1箱(200個)
￥2,298
税込￥2,528
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45
最大パワー消費(mW)500
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)50
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)100
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン420
最大動作周波数(MHz)1
1箱(200個)
￥2,098
税込￥2,308
5日以内出荷
仕様小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor
寸法(mm)4.58×3.86×4.58
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)60
最大パワー消費(mW)625
最大エミッタ-ベース間電圧(V)4
最大コレクタ-ベース間電圧(V)60
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)500
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)100
1箱(50個)
￥1,698
税込￥1,868
5日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-30
最大パワー消費(mW)500
最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)-30
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)-100
トランジスタタイプPNP
最小DC電流ゲイン420
最大動作周波数(MHz)10
1箱(200個)
￥2,098
税込￥2,308
5日以内出荷
仕様小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor
寸法4.58 x 3.86 x 4.58mm
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)30
最大パワー消費(mW)500
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)30
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)100
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)1
1箱(200個)
￥1,998
税込￥2,198
5日以内出荷
仕様高電圧PNPトランジスタ、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-350
最大パワー消費(mW)625
最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)-350
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)-500
トランジスタタイプPNP
最小DC電流ゲイン30
最大動作周波数(MHz)200
1箱(100個)
￥1,898
税込￥2,088
5日以内出荷
仕様PWM コントローラタイプ：SMPS、PWM (パルス幅変調)コントローラ、Fairchild Semiconductor
幅(mm)6.4
寸法(mm)9.6×6.4×3.4
高さ(mm)3.4
ピン数(ピン)8
動作温度(℃)-25 (Min)
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
スイッチング周波数(kHz)最大600
最大供給電流(mA)1.8
最大ソース電流(μA)-5
最大シンク電流(μA)65
スタートアップ供給電流(mA)15
1箱(10個)
￥1,298
税込￥1,428
7日以内出荷
仕様●レギュレータ機能 ： バックコントローラ●反転●ステップアップ●出力電流 Max ： 3.4A●出力電圧 ： 1.25 → 40 V●ラインレギュレーション ： 5 mV●6 mV●30 mV●ロードレギュレーション ： 2 mV●50 mV●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●ピン数 ： 16●出力タイプ ： 固定●最大スイッチング周波数 ： 55 kHz●スイッチングレギュレータ ： あり●寸法 ： 10.45 x 7.6 x 2.4mm●動作温度 Max ： +85 ℃mm●長さ ： 10.45mm●スイッチングレギュレータ●ステップアップ / ステップダウンDC-DCコンバータ●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,698
税込￥1,868
7日以内出荷
仕様小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)120
最大パワー消費(mW)300
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)120
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)50
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン300
最大動作周波数(MHz)110
1箱(200個)
￥1,598
税込￥1,758
5日以内出荷
仕様デュアル及びクワッドマルチチップトランジスタ、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)6
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数2
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40
最大パワー消費(mW)700
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)60
トランジスタ構成絶縁型
最大DCコレクタ電流(mA)200
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン100
最大動作周波数(MHz)250
1箱(50個)
￥2,498
税込￥2,748
5日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-160
最大パワー消費(mW)900
最大エミッタ-ベース間電圧(V)-6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)-160
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)-1
トランジスタタイプPNP
最小DC電流ゲイン160
最大動作周波数(MHz)1
仕様高電圧PNPトランジスタ、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-300
最大パワー消費(mW)625
最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)-300
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)-500
トランジスタタイプPNP
最小DC電流ゲイン40
最大動作周波数(MHz)100
1箱(100個)
￥1,598
税込￥1,758
5日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)600
最大エミッタ-ベース間電圧(V)12
最大コレクタ-ベース間電圧(V)1200
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)2
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン12
最大動作周波数(MHz)1
最大パワー消費50 W
1箱(10個)
￥1,298
税込￥1,428
5日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
寸法4.58 x 3.86 x 4.58mm
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-45
最大パワー消費(W)1
最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)-1
トランジスタタイプPNP
最小DC電流ゲイン100
最大動作周波数(MHz)100
1箱(100個)
￥1,598
税込￥1,758
5日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-60
最大パワー消費(mW)625
最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)-60
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)-800
トランジスタタイプPNP
最小DC電流ゲイン100
最大動作周波数(MHz)100
仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-65
最大パワー消費(mW)500
最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)-80
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)-100
トランジスタタイプPNP
最大動作周波数(MHz)150
1箱(100個)
￥999
税込￥1,099
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40
最大パワー消費(mW)625
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)60
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)200
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン100
最大動作周波数(MHz)300
1箱(200個)
￥2,498
税込￥2,748
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45
最大パワー消費(mW)500
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)50
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)100
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン200， 420
最大動作周波数(MHz)300
1箱(100個)
￥1,598
税込￥1,758
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
寸法(mm)5.2×4.19×5.33
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40
最大パワー消費(mW)625
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)75
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)1
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)100
1リール(2000個)
￥16,980
税込￥18,678
5日以内出荷
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