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商品豆知識

抵抗器の測定

GBPC1204 onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 12A， 400V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC1204 onsemi

onsemionsemi 整流用ブリッジダイオード単相 12A， 400V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC1204

エコ商品

仕様プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 12シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流: 12 A 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化サージ過負荷定格: 300 A ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上 UL認定: UL #E258596 幅(mm)29 寸法(mm)29×29×11.23 ピン数(ピン)4 RoHS指令(10物質対応)10物質対応回路構成シングルパッケージGBPC 実装タイプスクリューマウントピーク平均順方向電流(A)12 ピーク逆繰返し電圧(V)400 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300 ピーク逆電流(μA)500 ピーク順方向電圧(V)1.1 最大動作温度(℃)150 最小動作温度(℃)-55

1箱(2個)

￥1,398 税込￥1,538

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LM317MTG onsemi 電圧レギュレータリニア電圧 1.2→ 37 V， 3-Pin， LM317MTG onsemi

onsemionsemi 電圧レギュレータリニア電圧 1.2→ 37 V， 3-Pin， LM317MTG

エコ商品

仕様●レギュレータタイプ：リニア電圧mA●出力数： 1●ラインレギュレーション： 0.07 %/V●ロードレギュレーション： 70 mV●実装タイプ：スルーホール●パッケージタイプ： TO-220●ピン数： 3V●出力タイプ：可変●寸法： 10.28 x 4.82 x 15.75mm●入力電圧 Min ： 3.1 Vmm●自動車規格： AEC-Q100mm●LM317M は●調整可能な 3 端子ポジティブリニア電圧レギュレータで● 1.2 → 37 V の出力電圧範囲で 500 mA を超える電流を供給できますこのリニア電圧レギュレータは●非常に使いやすく●出力電圧を設定するのに 2 つの外部抵抗器のみが必要です。さらに●内部電流制限●サーマルシャットダウン●安全領域補償を採用しているため●本質的に防爆性があります。LM317M は●ローカルのカード規則などのさまざまな用途で使用できます。このリニア電圧レギュレータは●特にシンプルな調整可能スイッチングレギュレータ●プログラマブル出力レギュレータ●又は調整と出力の間に固定抵抗器を接続することで● LM317M は高精度電流レギュレータとして使用することもできます出力電流: 500 mA超出力は 1.2 → 37 V の範囲で調整可能です内部の熱的過負荷保護内部の短絡電流制限出力トランジスタ安全動作領域補償高電圧用途向けのフローティング動作多数の固定電圧のストッキングを除去します鉛フリーパッケージを用意 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥4,398 税込￥4,838

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LM317MABDTG onsemi 電圧レギュレータリニア電圧 1.2 → 37 V， 3-Pin， LM317MABDTG onsemi

onsemionsemi 電圧レギュレータリニア電圧 1.2 → 37 V， 3-Pin， LM317MABDTG

エコ商品

仕様●出力電流 Max ： 500mA●出力電圧： 1.2 → 37 V●ラインレギュレーション： 0.04 %/V●ロードレギュレーション： 25 mV●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： DPAK●ピン数： 3V●出力タイプ：可変●寸法： 6.73 x 6.22 x 2.25mm●入力電圧 Max ： 40 Vmm●幅： 6.22mm●LM317M は●調整可能な 3 端子ポジティブリニア電圧レギュレータで● 1.2 → 37 V の出力電圧範囲で 500 mA を超える電流を供給できますこのリニア電圧レギュレータは●非常に使いやすく●出力電圧を設定するのに 2 つの外部抵抗器のみが必要です。さらに●内部電流制限●サーマルシャットダウン●安全領域補償を採用しているため●本質的に防爆性があります。LM317M は●ローカルのカード規則などのさまざまな用途で使用できます。このリニア電圧レギュレータは●特にシンプルな調整可能スイッチングレギュレータ●プログラマブル出力レギュレータ●又は調整と出力の間に固定抵抗器を接続することで● LM317M は高精度電流レギュレータとして使用することもできます。出力電流: 500 mA超出力は 1.2 → 37 V の範囲で調整可能です内部の熱的過負荷保護内部の短絡電流制限出力トランジスタ安全動作領域補償高電圧用途向けのフローティング動作多数の固定電圧のストッキングを除去します工場管理の変更が必要な車載などの用途には先頭に「 NCV 」の文字を使用します RoHS指令(10物質対応)対応

1セット(75個)

￥4,698 税込￥5,168

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MC74HC132ADG onsemi シュミットトリガインバータ NAND シュミットトリガ 74 onsemi

onsemionsemi シュミットトリガインバータ NAND シュミットトリガ 74

エコ商品

仕様●ロジックタイプ： NAND●入力タイプ：シュミットトリガ●1チップ当たりのエレメント数： 4●シュミットトリガ入力：あり●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL ： 190ns●高レベル出力電流 Max ： -25mA●低レベル出力電流 Max ： 25mA●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 14●寸法： 8.75 x 4 x 1.5mm●高さ： 1.5mm●幅： 4mm●高性能シリコンゲート CMOS 。MC74HC132A は● LS132 とピン配列が同じです。デバイス入力は●標準 CMOS 出力と互換性があり●プルアップ抵抗器を備え● LSTTL 出力と互換性があります。HC2A を使用して●ノイズ耐性を強化したり●波形をゆっくり変化させたりすることができます。出力駆動能力： 10 LSTTL 負荷 CMOS ● NMOS ● TTL との直接インターフェイスで出力動作電圧範囲： 2.0 ～ 6.0V 低入力電流： 1.0 mA 高ノイズ耐性 CMOS デバイスの特性チップの複雑さ： 72 FET または 18 相当の Gates RoHS指令(10物質対応)対応

1セット(55個)

￥3,498 税込￥3,848

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MC74HC273ADWG onsemi HCシリーズフリップフロップ表面実装 20-Pin SOIC onsemi

onsemionsemi HCシリーズフリップフロップ表面実装 20-Pin SOIC

エコ商品

仕様●論理回路： HC●ロジックタイプ： D タイプ●出力タイプ： CMOS●極性：非反転●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 20●1チップ当たりのエレメント数： 1●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL ： 220 ns @ 50 pF●動作供給電圧 Max ： 6 Vmm●高さ： 2.4mm●高性能シリコンゲート CMOS ： MC74HC273A は● LS273 とピン配列が同一です。デバイス入力は●標準 CMOS 出力と互換性があり●プルアップ抵抗器を備え● LSTTL 出力と互換性があります。このデバイスは●コモンクロック入力とリセット入力を備えた 8 個の D フリップフロップで構成されています。各フリップフロップには●クロック入力の低 - 高遷移がロードされています。リセットは非同期でアクティブローです。出力駆動能力： 10 LSTTL 負荷 CMOS ● NMOS ● TTL への直接インターフェイス出力動作電圧範囲： 2.0 ～ 6.0V 低入力電流： 1.0 mA 高ノイズ耐性 CMOS デバイスの特性チップの複雑さ： 264 FET または 66 等価 Gates RoHS指令(10物質対応)対応

1セット(38個)

￥3,998 税込￥4,398

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MC74HC245ADTG onsemi バッファ，ラインドライバ表面実装， 20-Pin， MC74HC245ADTG onsemi

onsemionsemi バッファ，ラインドライバ表面実装， 20-Pin， MC74HC245ADTG

エコ商品

仕様●ロジックタイプ：トランシーバ●インターフェース：バッファ&ラインドライバIC●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： TSSOP●ピン数： 20●高レベル出力電流 Max ： 35mA●低レベル出力電流 Max ： -35mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL ： 165ns●寸法： 6.6 x 4.5 x 1.05mm●動作供給電圧 Min ： -0.5 V●伝播遅延テスト条件： 50pF●高性能シリコンゲート CMOS 。MC74HC245A のピン配置は LS245 と同一です。デバイス入力は●標準 CMOS 出力と互換性があり●プルアップ抵抗器を備え● LSTTL 出力と互換性があります。HC245A は●データバス間の双方向非同期通信に使用される 3 ステート非反転トランシーバです。このデバイスにはアクティブロー出力イネーブルピンがあり● I/O ポートをハイインピーダンス状態にするために使用します。Direction コントロールは●データが A から B ●または B から A のどちらに流れるかを決定します出力駆動能力： 15 LSTTL 負荷 CMOS ● NMOS ● TTL との直接インターフェイスで出力動作電圧範囲： 2 ～ 6 V 低入力電流： 1 mA 高ノイズ耐性 CMOS デバイスの特性チップの複雑さ： 308 FET または 77 等価 Gates RoHS指令(10物質対応)対応

1セット(75個)

￥5,598 税込￥6,158

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GBPC1506 onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 15A， 600V， 29 x 11.23 x 29mm， GBPC1506 onsemi

onsemionsemi 整流用ブリッジダイオード単相 15A， 600V， 29 x 11.23 x 29mm， GBPC1506

エコ商品

仕様GBPC1506:15 A ブリッジ整流器一体成形ヒートシンクにより、熱抵抗が非常に低く、最大限の放熱を実現していますサージ過負荷定格： 300 → 400 A ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上端子仕上げ材質 - 銀(ワイヤタイプ GBPC-W パッケージ向けにはんだ付け可能)、 - GBPC パッケージ用にニッケル用途この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。寸法(mm)29×11.23×29 高さ(mm)11.23 ピン数(ピン)4 RoHS指令(10物質対応)10物質対応パッケージGBPC 実装タイプスルーホールピーク逆繰返し電圧(V)600 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300 ピーク逆電流(μA)500 ピーク順方向電圧(V)1.1 ブリッジタイプ単相最大動作温度(℃)150 最小動作温度(℃)-55

1箱(5個)

￥4,498 税込￥4,948

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GBPC1508W onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 15A， 800V， 29 x 11.23 x 29mm， GBPC1508W onsemi

onsemionsemi 整流用ブリッジダイオード単相 15A， 800V， 29 x 11.23 x 29mm， GBPC1508W

エコ商品

仕様GBPC1508:15 A ブリッジ整流器一体成形ヒートシンクにより、熱抵抗が非常に低く、最大限の放熱を実現していますサージ過負荷定格： 300 → 400 A ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上端子仕上げ材質 - 銀(ワイヤタイプ GBPC-W パッケージ向けにはんだ付け可能)、 - GBPC パッケージ用にニッケル用途この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。寸法(mm)29×11.23×29 高さ(mm)11.23 ピン数(ピン)4 RoHS指令(10物質対応)10物質対応パッケージGBPC-W 実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)15 ピーク逆繰返し電圧(V)800 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300 ピーク逆電流(μA)500 ピーク順方向電圧(V)1.1 最大動作温度(℃)150 最小動作温度(℃)-55

1箱(5個)

￥3,598 税込￥3,958

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GBPC1202 onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 12A， 200V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC1202 onsemi

onsemionsemi 整流用ブリッジダイオード単相 12A， 200V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC1202

エコ商品

仕様プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 12シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流: 12 A 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化サージ過負荷定格: 300 A ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上 UL認定: UL #E258596 長さ(mm)29 幅(mm)29 ピン数(ピン)4 RoHS指令(10物質対応)10物質対応回路構成シングルパッケージGBPC 実装タイプスクリューマウントピーク平均順方向電流(A)12 ピーク逆繰返し電圧(V)200 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300 ピーク逆電流(μA)500 ピーク順方向電圧(V)1.1 最大動作温度(℃)150 最小動作温度(℃)-55

1箱(2個)

￥1,998 税込￥2,198

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GBPC1201 onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 12A， 100V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC1201 onsemi

onsemionsemi 整流用ブリッジダイオード単相 12A， 100V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC1201

エコ商品

仕様プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 12シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流: 12 A 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化サージ過負荷定格: 300 A ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上 UL認定: UL #E258596 寸法(mm)29×29×11.23 高さ(mm)11.23 ピン数(ピン)4 RoHS指令(10物質対応)10物質対応回路構成シングルパッケージGBPC 実装タイプスクリューマウントピーク平均順方向電流(A)12 ピーク逆繰返し電圧(V)100 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300 ピーク逆電流(μA)500 ピーク順方向電圧(V)1.1 最大動作温度(℃)150 最小動作温度(℃)-55

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￥1,598 税込￥1,758

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GBPC3510 onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 35A， 1000V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC3510 onsemi

onsemionsemi 整流用ブリッジダイオード単相 35A， 1000V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC3510

エコ商品

仕様ダイオードテクノロジー：シリコンジャンクション長さ(mm)29 高さ(mm)11.23 ピン数(ピン)4 RoHS指令(10物質対応)10物質対応特性UL E-258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 35シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流35 A ガラス不動態化ジャンクション熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化ファストン端子回路構成シングルパッケージGBPC 実装タイプスクリューマウントピーク平均順方向電流(A)35 ピーク逆繰返し電圧(V)1000 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)400 ピーク逆電流(μA)500 ピーク順方向電圧(V)1.1 最大動作温度(℃)150 最小動作温度(℃)-55

1箱(2個)

￥1,998 税込￥2,198

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GBPC3504 onsemi ブリッジ整流器， 35A， 400V， 4ピン onsemi

onsemionsemi ブリッジ整流器， 35A， 400V， 4ピン

エコ商品

仕様ダイオードテクノロジー：シリコンジャンクション寸法(mm)29×29×11.23 高さ(mm)11.23 ピン数(ピン)4 RoHS指令(10物質対応)10物質対応特性UL E-258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 35シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流35 A ガラス不動態化ジャンクション熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化ファストン端子回路構成シングルパッケージGBPC 実装タイプスクリューマウントピーク平均順方向電流(A)35 ピーク逆繰返し電圧(V)400 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)400 ピーク逆電流(μA)500 ピーク順方向電圧(V)1.1 最大動作温度(℃)150 最小動作温度(℃)-55

1箱(2個)

￥1,898 税込￥2,088

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GBPC3501 onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 35A， 100V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC3501 onsemi

onsemionsemi 整流用ブリッジダイオード単相 35A， 100V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC3501

エコ商品

仕様UL E-258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 35シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流35 A ガラス不動態化ジャンクション熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化ファストン端子長さ(mm)29 高さ(mm)11.23 ピン数(ピン)4 RoHS指令(10物質対応)10物質対応回路構成シングルパッケージGBPC 実装タイプスクリューマウントピーク平均順方向電流(A)35 ピーク逆繰返し電圧(V)100 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)400 ピーク逆電流(μA)500 ピーク順方向電圧(V)1.1 最大動作温度(℃)150 最小動作温度(℃)-55

1箱(2個)

￥1,798 税込￥1,978

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GBPC3502 onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 35A， 200V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC3502 onsemi

onsemionsemi 整流用ブリッジダイオード単相 35A， 200V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC3502

エコ商品

仕様●ジャンクション静電容量：200pF●ダイオードテクノロジー：シリコンジャンクション長さ(mm)29 ピン数(ピン)4 RoHS指令(10物質対応)10物質対応特性UL E-258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 35シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流35 A ガラス不動態化ジャンクション熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化ファストン端子回路構成シングルパッケージGBPC 4L 実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)35 ピーク逆繰返し電圧(V)200 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)400 ピーク逆電流(μA)5 ピーク順方向電圧(V)1.1 最大動作温度(℃)150 最小動作温度(℃)-55

1箱(5個)

￥4,898 税込￥5,388

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GBPC2502 onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 25A， 200V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC2502 onsemi

onsemionsemi 整流用ブリッジダイオード単相 25A， 200V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC2502

エコ商品

仕様UL #E258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 25シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流25 A ガラス不動態化ダイ構造熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上ファストン端子寸法(mm)29×29×11.23 高さ(mm)11.23 ピン数(ピン)4 RoHS指令(10物質対応)10物質対応回路構成シングルパッケージGBPC 実装タイプスクリューマウントピーク平均順方向電流(A)25 ピーク逆繰返し電圧(V)200 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300 ピーク逆電流(μA)500 ピーク順方向電圧(V)1.1 最大動作温度(℃)150 最小動作温度(℃)-55

1箱(2個)

￥1,598 税込￥1,758

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GBPC2501W onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 25A， 100V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC2501W onsemi

onsemionsemi 整流用ブリッジダイオード単相 25A， 100V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC2501W

エコ商品

仕様ダイオードテクノロジー：シリコンジャンクション長さ(mm)29 高さ(mm)11.23 ピン数(ピン)4 RoHS指令(10物質対応)10物質対応特性UL #E258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 25シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流25 A ガラス不動態化ダイ構造熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上ファストン端子回路構成シングルパッケージGBPC-W 実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)25 ピーク逆繰返し電圧(V)100 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300 ピーク逆電流(μA)500 ピーク順方向電圧(V)1.1 最大動作温度(℃)150 最小動作温度(℃)-55

1箱(2個)

￥1,898 税込￥2,088

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