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エコ商品
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：61 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：58 nC @ 10 V
シリーズUniFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)417000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)200
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)41
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
1個
￥559
税込￥615
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：17 A
高さ(mm)9.4
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでス
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)79
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)120
最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥1,898
税込￥2,088
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：27 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：33 nC @ 10 V
シリーズQFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでス
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)120000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)70
最大ゲートしきい値電圧(V)4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥2,198
税込￥2,418
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：50 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：125 nC @ 20 V
シリーズMegaFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)131
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)22
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1個
￥379
税込￥417
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：10.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：28 nC @ 10 V
シリーズQFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲー
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)135000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)400
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)530
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥949
税込￥1,044
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：75 A
幅(mm)4.7
高さ(mm)16.3
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、ス
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)325
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)55
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1箱(2個)
￥999
税込￥1,099
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：51 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：55 nC @ 10 V
高さ(mm)9.4
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)320000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)250
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)60
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥2,298
税込￥2,528
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：0.3333333333
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲー
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)178000
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)800
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.55
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-55
1箱(5個)
￥2,798
税込￥3,078
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：56A●標準ゲートチャージ @ Vgs：110 nC @ 20 V
シリーズUltraFET
ピン数(ピン)3
特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、ス
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)200
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)25
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1個
￥439
税込￥483
7日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：75 A
シリーズUltraFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、ス
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)325
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)55
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥1,198
税込￥1,318
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：75 A
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、ス
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)200000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)55
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)12
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
最大動作温度(℃)175
最小動作温度(℃)-55
1箱(5個)
￥1,598
税込￥1,758
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)60
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)200
最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 ， +10
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-55
1個
￥239
税込￥263
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：70 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：120 nC @ 20 V
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)150
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-55
1個
￥419
税込￥461
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：5.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：21 nC @ 10 V
シリーズQFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)158000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)800
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)2.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥2,198
税込￥2,418
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：0.3333333333
長さ(mm)10.1
シリーズQFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲー
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)205000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)900
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥3,798
税込￥4,178
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：75 A
高さ(mm)16.3
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、ス
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)270
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)80
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)10
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1箱(2個)
￥979
税込￥1,077
5日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： PNP●最大連続コレクタ電流 ： 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●パッケージタイプ ： TO-220AB●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●トランジスタ構成 ： シングル●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最小DC電流ゲイン ： 200●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 ： 2.5 V●最大コレクタカットオフ電流 ： 0.05mA●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPダーリントントランジスタ●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥239
税込￥263
5日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大連続コレクタ電流 ： 10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●パッケージタイプ ： TO-220AB●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●トランジスタ構成 ： シングル●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最小DC電流ゲイン ： 750●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 ： 2.5 V●最大コレクタカットオフ電流 ： 1mA●高さ ： 9.28mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は●AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥5,998
税込￥6,598
7日以内出荷
仕様最大連続コレクタ電流：120 A
寸法(mm)15.6×4.7×20.6
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor
パッケージTO-247AB
実装タイプスルーホール
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)600
最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)600
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-55
1個
￥999
税込￥1,099
5日以内出荷
仕様最大連続コレクタ電流：0.3333333333
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPダーリントントランジスタ、ON Semiconductor
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)100
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
最大コレクタカットオフ電流(mA)0.05
最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V)2.5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)100
トランジスタ構成シングル
トランジスタタイプPNP
最小DC電流ゲイン200
最小動作温度(℃)-65
1個
￥239
税込￥263
5日以内出荷
仕様●ダイオードタイプ：ショットキー●ダイオードテクノロジー：ショットキーバリア●整流タイプ：ショットキー整流器●最大連続 順方向電流：15A
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数2
ピーク逆繰返し電圧(V)60
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)150
1箱(10個)
￥1,598
税込￥1,758
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： TO-220AB●最大連続 順方向電流 ： 16A●ピーク逆繰返し電圧 ： 400V●ダイオード構成 ： コモンカソード●整流タイプ ： スイッチング●ダイオードタイプ ： 整流器●ピン数 ： 3●最大順方向降下電圧 ： 1.3V●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●ダイオードテクノロジー ： シリコンジャンクション●ピーク逆回復時間 ： 60ns●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 100A●メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、10 A → 30 A、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥269
税込￥296
5日以内出荷
仕様●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： TO-220AB●最大連続 順方向電流 ： 16A●ピーク逆繰返し電圧 ： 600V●ダイオード構成 ： コモンカソード●整流タイプ ： スイッチング●ダイオードタイプ ： 整流器●ピン数 ： 3●最大順方向降下電圧 ： 1.5V●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●ダイオードテクノロジー ： シリコンジャンクション●ピーク逆回復時間 ： 60ns●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 100A●メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、10 A → 30 A、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥399
税込￥439
5日以内出荷
仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式スイッチング
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(mV)950
ピーク逆繰返し電圧(V)200
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100
最大連続順方向電流(A)3
ピーク逆回復時間(ns)20
1箱(10個)
￥729
税込￥802
5日以内出荷
仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式汎用
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)1.2
ピーク逆繰返し電圧(V)400
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100
最大連続順方向電流(A)3
ピーク逆回復時間(μs)2.5
1セット(50個)
￥2,998
税込￥3,298
5日以内出荷
仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式高電圧
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)1.2
ピーク逆繰返し電圧(V)1200
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100
最大連続順方向電流(A)3
ピーク逆回復時間(μs)2.5
仕様ショットキーバリア整流ダイオード、シングル、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)ショットキー、(テクノロジー)ショットキーバリア、(構成)シングル
整流方式ショットキー整流器
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(mV)750
ピーク逆繰返し電圧(V)60
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100
最大連続順方向電流(A)3
1箱(25個)
￥1,998
税込￥2,198
5日以内出荷
仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式ファストリカバリー
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(mV)950
ピーク逆繰返し電圧(V)50
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100
最大連続順方向電流(A)3
ピーク逆回復時間(ns)30
1セット(25個)
￥1,798
税込￥1,978
5日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： PNP●最大連続コレクタ電流 ： 10 A (ピーク)， 6 A (連続)●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 100 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V dc●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●トランジスタ構成 ： シングル●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最小DC電流ゲイン ： 15●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 100 V dc●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 ： 1.5 V dc●最大コレクタカットオフ電流 ： 400μA●高さ ： 15.75mm●このバイポーラトランジスタは●汎用パワーアンプ及びスイッチング用途向けに設計されています。TIP41 ● TIP41A ● TIP41B ● TIP41C ( NPN )●および TIP42 ● TIP42A ● TIP42B ● TIP42C ( PNP )はコンプリメンタリデバイスです。コレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE ( sat ) ： 1.5 V (最大) @ IC ： 6.0 ADC コレクタ - エミッタ維持電圧 - VCEO ( sus ) ： 60 V dc (最小) - TIP41A ● TIP42A ： 80 V dc (最小) - TIP41B ● TIP42B ： 100 V dc (最小) - TIP41C ● TIP42C 高電流ゲイン帯域幅積： ft ： 3 MHz (最小) @ IC ： 500 mAdc コンパクトな TO-220 AB パッケージ 鉛フリーパッケージです
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥4,198
税込￥4,618
7日以内出荷
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- 受動部品その他関連用品
- コンデンサ
- インダクタ(コイル)
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