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仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:30 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:15 nC @ 10 V シリーズPowerTrench ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A パッケージPower 33 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)41 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)39 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル
1箱(2個)
599 税込659
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仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:14 A シリーズPowerTrench ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor パッケージPower 33 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)30 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)40 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14.5 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル 最大動作温度(℃)150
1箱(5個)
809 税込890
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:16 A シリーズPowerTrench ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor パッケージPower 33 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)35 材質(トランジスタ)Si チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)212 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
799 税込879
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