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最大スイッチング周波数 = 32 kHz。出力電圧 = 28 V。出力電流 = 500 mA。出力数 = 1。実装タイプ = 表面実装ns。上昇時間 = 70ns。トポロジー = フライバック。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。PWM コントローラタイプ = 電流モードmm。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。動作供給電圧 Max = 28 V。AC-DCオフラインコントローラ、NCP / NCVシリーズ、ON Semiconductor. 2 次側電源、同期整流コントローラ固定周波数フライバック / フォワードPWMコントローラです。

I/Oチャンネル数 = 8。インターフェース = I2C。ピン数 = 16。パッケージタイプ = UMLP。クロック周波数 = 400kHz。実装タイプ = 表面実装。最大供給電圧 = 3.6 V。最小供給電圧 = 1.65 V。Fairchild Semiconductor シリアル入出力ペリフェラル

コントロールタイプ = 電力変換。出力数 = 1。最大スイッチング周波数 = 1 MHz。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DFN。ピン数 = 10。寸法 = 3 x 3 x 0.95mm。入力電圧 Max = 18 V。動作温度 Max = +150 ℃。出力電圧 Max = 16.2 V。入力電圧 Min = 9 V

最大スイッチング周波数 = 190 kHz。出力電圧 = 7.5 V。コントロール方法 = 電流。降下時間 = 120ns。パッケージタイプ = SOPns。ピン数 = 8。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。PWM コントローラタイプ = 電流モードmm。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。動作温度 Min = -40 ℃。フライバック / フォワードPWMコントローラ、Fairchild Semiconductor

レギュレータ機能 = ブーストコントローラ。出力電流 Max = 100μA。出力数 = 1。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 8。出力タイプ = 可変。最大スイッチング周波数 = 110 kHz。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。出力電圧 Max = 2.5 Vmm。幅 = 4mm。DC-DCコントローラ、ON Semiconductor. 電力変換回路用の電流モード / 電圧モードDC-DCコントローラです。

最大スイッチング周波数 = 250 kHz。出力電圧 = 5.1 V。出力電流 = 1 A。コントロール方法 = 電流。降下時間 = 150ns。パッケージタイプ = SOICns。ピン数 = 8。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。PWM コントローラタイプ = 電流モードmm。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。動作供給電圧 Max = 36 V。AC-DCオフラインコントローラ、UCシリーズ、ON Semiconductor

レギュレータ機能 = ステップダウン。レギュレータタイプ = バックブーストスイッチングA。出力電圧 = 3.2 → 3.3 V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = D2PAK。ピン数 = 5。出力タイプ = 可変。最大スイッチング周波数 = 63 kHz。スイッチングレギュレータ = あり。効率 = 75%。寸法 = 10.23 x 9.34 x 4.57mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 9.34mm

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = デュアル電源。回路数 = 1。ピン数 = 8。標準デュアル供給電圧 = ±3 → ±18V。標準スルーレート = 10V/μs。動作温度 Max = +70 ℃。標準電圧ゲイン = 104 dB。幅 = 4mm。LM201A(V) / LM301A、非補償オペアンプ、ON Semiconductor. 低入力オフセット電流: 20 nA 柔軟性をもたらす外付け周波数補償 クラスAB出力が優れた直線性を実現 ショート出力保護

最大出力周波数 = 0.7MHz。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOICMHz。ピン数 = 16。寸法 = 10.45 x 7.6 x 2.4mm。高さ = 2.4mm。長さ = 10.45mm。動作供給電圧 Max = 18 V。動作温度 Max = +125 ℃。動作供給電圧 Min = 3 V。動作温度 Min = -55 ℃。幅 = 7.6mm。電圧制御発振器(VCO)、ON Semiconductor. PLLベースの電圧制御発振器(VCO)です。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = デュアル電源。回路数 = 1。ピン数 = 8。標準デュアル供給電圧 = ±5 → ±20V。標準スルーレート = 10V/μs。動作温度 Max = +105 ℃。レール to レール = No。幅 = 4mm。LM201A(V) / LM301A、非補償オペアンプ、ON Semiconductor. 低入力オフセット電流: 20 nA 柔軟性をもたらす外付け周波数補償 クラスAB出力が優れた直線性を実現 ショート出力保護

レギュレータ機能 = ブースト / バックコントローラ、反転。出力電流 Max = 3A。出力電圧 = 5 V。ラインレギュレーション = 3 mV、5 mV、23 mV。ロードレギュレーション = 2 mV、3 mV、4 mV。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220。ピン数 = 5。出力タイプ = 固定。最大スイッチング周波数 = 72 kHz。スイッチングレギュレータ = あり。効率 = 81.2 %， 82.8 %。寸法 = 10.541 x 4.572 x 9.271mm。高さ = 9.271mm。幅 = 4.572mm。スイッチングレギュレータ、ステップアップ / ステップダウンDC-DCコンバータ、ON Semiconductor

ダイオード構成 = シリーズ。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最大逆電圧 = 7V。パッケージタイプ = SOT-23。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3mV。最大ダイオードキャパシタンス = 1pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 3.04mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.11mm。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.11mm。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. RF帯スイッチングダイオード、ON Semiconductor. HF、RF、マイクロ波の混合及び検出用途に最適なRF (無線周波数)ダイオードです。

レギュレータタイプ = バックブーストスイッチングmA。出力電圧 = 50 mV。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 8。出力タイプ = 固定。最大スイッチング周波数 = 100 kHz。スイッチングレギュレータ = あり。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。幅 = 4mm。低入力オフセット電圧： 0.5 mV (標準 入力コモンモード範囲にはアースが含まれています 低静止電流： VCC = 5V でオペアンプあたり 75 μ A 大出力電圧スイング 広い電源電圧範囲： 3 → 36 V 高 ESD 保護： 2 kV 最終製品 バッテリ充電器 用途 スイッチモード電源

実装タイプ = 表面実装。タイマータイプ = 規格。パッケージタイプ = SOIC。内部タイマー数 = 1。ピン数 = 8。動作供給電圧 Min = 4.5 V。動作供給電圧 Max = 16 V。動作温度 Min = -40 ℃。動作温度 Max = +85 ℃。最大静止電流 = 15mA。高レベル出力電流 Max = 200mA。幅 = 4mm。555タイマ、ON Semiconductor. ON Semiconductorの業界標準の555タイマは、正確なタイミングのパルスを発生させることが可能な非常に安定したコントローラです。 単安定動作では、外部抵抗器1個とコンデンサ1個で時間遅延を制御します。 無安定動作では、周波数及びデューティーサイクルは外部抵抗器2個とコンデンサ1個で正確に制御されます。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = ±2電源， 単一電源。回路数 = 2。ピン数 = 8。標準シングル供給電圧 = 3 → 44 V。標準ゲイン帯域幅積 = 1.8MHz。標準デュアル供給電圧 = ±1.5 → ±22V。標準スルーレート = 2.1V/μs。最大動作周波数 = 100 kHz。動作温度 Min = -40 ℃。レール to レール = No。幅 = 4mm。MC33171/2/4、MCV33172、低電力、シングル電源、3 → 44 V、オペアンプ、ON Semiconductor. MC33171 (シングル)、MC33172 (デュアル)、MC33174 (クワッド) 低供給電流: アンプあたり180 μA 広帯域幅: 1.8 MHz 高スルーレート: 2.1 V/μs 低入力オフセット電圧: 2 mV 車載用途向けのNCV33172、AEC-Q100認定

デバイスタイプ = モジュレータ/デモジュレータ。モジュレーションタイプ = バランス。最大I/Q周波数 = 300MHz。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。最大供給電流 = 5 mA。寸法 = 8.75 x 4 x 1.75mm。高さ = 1.75mm。長さ = 8.75mm。幅 = 4mm。MC1496平衡変調器 / 復調器. MC1496 平衡変調器 / 復調器の出力電圧は、入力電圧(信号)とスイッチング機能(搬送波)から得られます。. 搬送波抑圧: -65 dB @ 0.5 MHz、-50 dB @ 10 MHz 調整可能なゲイン及び信号処理 平衡入力 / 出力 コモンモード除去: -85 dB (標準) 動作温度範囲: 0 → +70 ℃ ( MC1496 )、-40 → +125 ℃ ( MC1496B ) 用途: 抑圧搬送波 / 振幅変調、同期検出、FM検出、相検出 RS製品コード ； 787-8715 787-8715 : MC1496BDG ； 787-8712 787-8712 : MC1496DR2G ； 787-8718 787-8718 : MC1496BDR2G

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 75 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V。シリーズ = UltraFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 285 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 33 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = UltraFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 38 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 85 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 75 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V。シリーズ = UltraFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 200000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.83mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = UltraFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 75 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V。シリーズ = UltraFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 325 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 220 nC @ 20 Vmm。高さ = 16.3mm。UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 7.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = UltraFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 75 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V。シリーズ = UltraFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 325 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = UltraFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 49 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = ケース 59-10。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 20V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A。ON Semi 1N5817 / 8 / 9アキシャルリード整流器. このシリーズは、金属-シリコンのパワーダイオードで構成されています。これらのダイオードは、クロムバリア金属、酸化物不動態化、金属オーバーラップコンタクトの形で提供されます。. 特長:. 超低VF 低い蓄積電荷 多数キャリア伝導 低電力損失 / 高効率. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 0.4 g 仕上げ: すべての外面に耐腐食性、端子リードは容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード温度: 最高260 ℃ (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 代表的用途:. 高周波数インバータ 還流ダイオード 極性保護ダイオード

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 56 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = UltraFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 25 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 200 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.83mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 75 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V。シリーズ = UltraFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 270 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.67mm。高さ = 16.3mm。UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-41。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 20V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 750mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A。ON Semi 1N5817 / 8 / 9アキシャルリード整流器. このシリーズは、金属-シリコンのパワーダイオードで構成されています。これらのダイオードは、クロムバリア金属、酸化物不動態化、金属オーバーラップコンタクトの形で提供されます。. 特長:. 超低VF 低い蓄積電荷 多数キャリア伝導 低電力損失 / 高効率. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 0.4 g 仕上げ: すべての外面に耐腐食性、端子リードは容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード温度: 最高260 ℃ (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 代表的用途:. 高周波数インバータ 還流ダイオード 極性保護ダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 8。ロジックタイプ = トランスレータmm。低レベル出力電流 Max = 24mA。高レベル出力電流 Max = -3mA。伝播遅延テスト条件 = 20pF。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 4.1 ns @ 20 pF。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 3.6 V。動作温度 Min = -40 ℃。MC100EPT26 は、 1 ： 2 ファンアウト差動 LVPECL-LVTTL トランスレータです。LVPECL (正の ECL )レベルは +3.3V のみが使用されており、アースが必要です。EPT26 は、小型 8 リード SOIC パッケージと 1 ： 2 ファンアウト設計で、密にパックされた基板で信号の低スキュー複製を必要とする用途に最適です。VBB 出力により、 EPT26 をシングルエンド入力モードで使用することができます。このモードでは、 VBB 出力は非反転バッファの場合は D0bar 入力に、反転バッファの場合は D0 入力に結び付けられます。使用する場合は、 0.01 uF のコンデンサを使用して VBB ピンをアースにバイパスする必要があります。標準伝搬遅延： 1.4 ns 最大周波数>： 275 MHz (標準 100 シリーズは温度補償付きです 動作範囲： VCC = 3.0 → 3.6 V ( GND = 0 V 入力のデフォルト状態を開きます 入力の安全クランプ 24 mA TTL 出力 Q 出力は、入力がオープンまたは VEE VBB 出力の場合、デフォルトで LOW になります

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 4。ピン数 = 14。標準シングル供給電圧 = 3 → 44 V。標準ゲイン帯域幅積 = 4.5MHz。標準スルーレート = 13V/μs。最大動作周波数 = 1 MHz。動作温度 Min = -40 ℃。標準電圧ゲイン = 100 dB。幅 = 4.5mm。ON Semiconductor MC33071/2/4 、 MC34071/2/4 、 NCV33072/4シリーズ オペアンプ 単電源： 3 → 44 V. ON Semiconductor MC33071 / 72 / 74 、 MC34071 / 72 / 74 、 NCV33072 / 74A シリーズは、シングル/デュアル/クワッドオペアンプを提供しております。4.5 MHz のゲイン帯域幅、 13 V/ μs のスルーレートを備え、 JFET デバイス技術を使用せずに短時間で設定することができます。 このシリーズはスプリット電源で動作できますが、コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) が含まれるため、単電源での動作にも適しています。このオペアンプは、高入力抵抗、低入力オフセット電圧、高ゲインを特長としています。これらの製品は、プラスチック製の DIP 、 SOIC 、 TSSOP 表面実装パッケージで提供されます。. 高速セトリング時間(0.1%)：1.1 μs 幅広い単電源電圧範囲： 3 → 44 V コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) を含む 低入力オフセット電圧：3mV以下(A Suffix) 出力電圧スイング： -14.7 → +14 V ( ± 15 V 電源) 大容量駆動能力：0pF → 10，000pF 低全高調波歪み： 0.02 % 優れた位相差：60 ° 優れたゲインマージン：12dB 出力短絡保護回路

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 4。ピン数 = 14。標準シングル供給電圧 = 3 → 44 V。標準ゲイン帯域幅積 = 4.5MHz。標準スルーレート = 13V/μs。最大動作周波数 = 100 kHz。動作温度 Max = +85 ℃。標準電圧ゲイン = 100 dB。幅 = 4mm。ON Semiconductor MC33071/2/4 、 MC34071/2/4 、 NCV33072/4シリーズ オペアンプ 単電源： 3 → 44 V. ON Semiconductor MC33071 / 72 / 74 、 MC34071 / 72 / 74 、 NCV33072 / 74A シリーズは、シングル/デュアル/クワッドオペアンプを提供しております。4.5 MHz のゲイン帯域幅、 13 V/ μs のスルーレートを備え、 JFET デバイス技術を使用せずに短時間で設定することができます。 このシリーズはスプリット電源で動作できますが、コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) が含まれるため、単電源での動作にも適しています。このオペアンプは、高入力抵抗、低入力オフセット電圧、高ゲインを特長としています。これらの製品は、プラスチック製の DIP 、 SOIC 、 TSSOP 表面実装パッケージで提供されます。. 高速セトリング時間(0.1%)：1.1 μs 幅広い単電源電圧範囲： 3 → 44 V コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) を含む 低入力オフセット電圧：3mV以下(A Suffix) 出力電圧スイング： -14.7 → +14 V ( ± 15 V 電源) 大容量駆動能力：0pF → 10，000pF 低全高調波歪み： 0.02 % 優れた位相差：60 ° 優れたゲインマージン：12dB 出力短絡保護回路

アンプタイプ = オペアンプ。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = マイクロ。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 1。ピン数 = 8。標準シングル供給電圧 = 13 V。標準ゲイン帯域幅積 = 2.2MHz。出力タイプ = レール ツー レール。標準スルーレート = 1V/μs。最大動作周波数 = 100 kHz。動作温度 Min = -40 ℃。標準電圧ゲイン = 300 kV/VmV。寸法 = 3.1 x 3.1 x 0.95mm。ON Semiconductor MC33201/2/4、NCV33202/4、12 V 低ノイズ、レールツーレール入出力、高出力ドライブオペアンプ. ON Semiconductor MC33201/2/4、NCV33202/4 オペアンプは、入力と出力のいずれでもレールツーレール動作を実現します。入力は200mVの高さにまで駆動でき、出力で電源レールを越えても位相反転がなく、レールごとの出力振幅は50 mV以内です。レール・ツー・レール動作により、電源電圧範囲をフルに活用できます。 出力電流ブースト技術で高出力電流が可能になる一方でアンプのドレイン電流は最小に保たれます。ノイズと歪みが低くスルー・レートとドライブが高いという能力の組み合わせにより、オーディオ・アプリケーションに最適です。. 低電圧、単一電源動作(+1.8 V / アース → +12 V / アース) 両電源レールを含む入力電圧範囲 両レールとも50mV以内の出力電圧の振幅 過駆動入力信号の出力で位相反転なし 高出力電流(ISC = 80 mA、標準) 低供給電流(ID = 0.9 mA、標準) 出力駆動能力：600 W 標準ゲイン帯域幅積：2.2 MHz

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 4。ピン数 = 14。標準シングル供給電圧 = 3 → 44 V。標準ゲイン帯域幅積 = 4.5MHz。標準スルーレート = 13V/μs。最大動作周波数 = 1 MHz。動作温度 Min = -40 ℃。標準電圧ゲイン = 100 dB。幅 = 4.5mm。ON Semiconductor MC33071/2/4 、 MC34071/2/4 、 NCV33072/4シリーズ オペアンプ 単電源： 3 → 44 V. ON Semiconductor MC33071 / 72 / 74 、 MC34071 / 72 / 74 、 NCV33072 / 74A シリーズは、シングル/デュアル/クワッドオペアンプを提供しております。4.5 MHz のゲイン帯域幅、 13 V/ μs のスルーレートを備え、 JFET デバイス技術を使用せずに短時間で設定することができます。 このシリーズはスプリット電源で動作できますが、コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) が含まれるため、単電源での動作にも適しています。このオペアンプは、高入力抵抗、低入力オフセット電圧、高ゲインを特長としています。これらの製品は、プラスチック製の DIP 、 SOIC 、 TSSOP 表面実装パッケージで提供されます。. 高速セトリング時間(0.1%)：1.1 μs 幅広い単電源電圧範囲： 3 → 44 V コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) を含む 低入力オフセット電圧：3mV以下(A Suffix) 出力電圧スイング： -14.7 → +14 V ( ± 15 V 電源) 大容量駆動能力：0pF → 10，000pF 低全高調波歪み： 0.02 % 優れた位相差：60 ° 優れたゲインマージン：12dB 出力短絡保護回路