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方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 16V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 150W。最大ピークパルス電流 = 9.37A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 2.2 x 1.35 x 0.9mm。高さ = 0.9mm。ESDプロテクタ、ON Semiconductor

出力電流 Max = 3A。出力電圧 Max = 37 V。レギュレータ機能 = バック コントローラ。出力電圧 Min = 1.23 V。入力電圧 Min = 4.5 V。入力電圧 Max = 40 V。出力タイプ = 可変。実装タイプ = 表面実装。出力数 = 1。ピン数 = 5。パッケージタイプ = D2PAK。スイッチングレギュレータ = あり。幅 = 4.572mm。スイッチングレギュレータ、ステップダウンDC-DCコンバータ、ON Semiconductor. バック(ステップダウン)、ブースト(ステップアップ)、フライバックの各用途向けの電流モード / 電圧モードDC-DCコンバータです。

出力電流 Max = 3A。出力電圧 Max = 5.25 V。レギュレータ機能 = バック コントローラ。出力電圧 Min = 4.75 V。入力電圧 Min = 8 V。入力電圧 Max = 40 V。出力タイプ = 可変。実装タイプ = 表面実装。出力数 = 1。ピン数 = 5。パッケージタイプ = D2PAK。スイッチングレギュレータ = あり。寸法 = 10.236 x 9.347 x 4.572mm。スイッチングレギュレータ、ステップダウンDC-DCコンバータ、ON Semiconductor. バック(ステップダウン)、ブースト(ステップアップ)、フライバックの各用途向けの電流モード / 電圧モードDC-DCコンバータです。

出力電流 Max = 3A。出力電圧 Max = 37 V。レギュレータ機能 = バック コントローラ。出力電圧 Min = 1.23 V。入力電圧 Max = 40 V。出力タイプ = 可変。実装タイプ = 表面実装。出力数 = 1。ピン数 = 5。パッケージタイプ = D2PAK。スイッチングレギュレータ = あり。幅 = 4.572mm。スイッチングレギュレータ、ステップダウンDC-DCコンバータ、ON Semiconductor. バック(ステップダウン)、ブースト(ステップアップ)、フライバックの各用途向けの電流モード / 電圧モードDC-DCコンバータです。

出力電流 Max = 3A。出力電圧 Max = 3.3 V。レギュレータ機能 = バック コントローラ。入力電圧 Max = 40 V。出力タイプ = 固定。実装タイプ = 表面実装。出力数 = 1。ピン数 = 5。パッケージタイプ = D2PAK。スイッチングレギュレータ = あり。寸法 = 10.236 x 4.572 x 9.347mm。スイッチングレギュレータ、ステップダウンDC-DCコンバータ、ON Semiconductor. バック(ステップダウン)、ブースト(ステップアップ)、フライバックの各用途向けの電流モード / 電圧モードDC-DCコンバータです。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-41。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。メーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201AD。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。メーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201AD。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。メーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 900mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク逆回復時間 = 30ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 80A。Fairchild Semiconductorショットキーバリア整流器ダイオード、シングル

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 950mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 20ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2.5μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 1200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 高電圧。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2.5μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = アキシャルリード型。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。メーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 120 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2.1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -15 V， +15 V。幅 = 3.5mm。高さ = 1.57mm。ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60V

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 39000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.19mm。QFETR NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 105 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1600 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3mm。高さ = 1mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

標準ツェナー電圧 = 36V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 7mA。最大ツェナーインピーダンス = 50Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Max = +200 ℃

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 49mA。最大ツェナーインピーダンス = 7Ω。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シリーズ。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

標準ツェナー電圧 = 13V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 19mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 9.9V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SC-74。最大逆スタンドオフ電圧 = 5.5V。ピン数 = 6。ピークパルスパワー消費 = 0.22W。最大ピークパルス電流 = 1A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 13。動作温度 Min = -40 ℃。動作温度 Max = +85 ℃mm。幅 = 1.7mm。低静電容量ESD保護アレイ

論理回路 = HC。ラッチモード = 透明。ラッチエレメント = Dタイプ。ビット数 = 8bit。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm。高さ = 2.4mm。長さ = 12.95mm。幅 = 7.6mm。74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

メモリサイズ = 2kbit。インターフェースタイプ = シリアル-I2C。パッケージタイプ = TSOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 5。構成 = 256 x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.7 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.7 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 2.9 x 1.6 x 0.9mm。自動車規格 = AEC-Q100年。EEPROMシリアルI2C、ON Semiconductor

最大連続コレクタ電流 = 80 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 366 W。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。スイッチングスピード = 1MHz。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 16.26 x 5.3 x 21.08mm。動作温度 Min = -55 ℃。IGBTディスクリート、ON Semiconductor. モータ駆動とスイッチング用途向けの絶縁型ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 8 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 1000。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.5mA。寸法 = 15.75 x 10.28 x 4.82mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は、AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

最大連続コレクタ電流 = 80 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 290 W。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 15.6 x 4.7 x 20.6mm。動作温度 Max = +150 ℃。ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 8 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 1000。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3.5 V dc。最大コレクタカットオフ電流 = 10μA。寸法 = 10.63 x 4.9 x 16.12mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は、AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

最大連続コレクタ電流 = 80 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 349 W。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 15.6 x 4.7 x 20.6mm。動作温度 Max = +175 ℃。ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 1.2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 4000。最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V。最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.0001mA。幅 = 1.3mm。ダーリントンNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 15 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 100。最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 3.8 V。最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V。最大コレクタカットオフ電流 = 5mA。寸法 = 16.26 x 5.3 x 21.08mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は、AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 10 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 100。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 V。最大コレクタカットオフ電流 = 1mA。幅 = 10.28mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は、AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

トランジスタタイプ = PNP。最大連続コレクタ電流 = 1.2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 4000。最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V。最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.0001mA。幅 = 1.3mm。ダーリントントランジスタ、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 4 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 200。最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 4 V。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.02mA。幅 = 6.22mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は、AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

最大連続コレクタ電流 = 120 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 600 W。パッケージタイプ = TO-3PN。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 15.8 x 5 x 20.1mm。動作温度 Min = -55 ℃。ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor

最大連続コレクタ電流 = 120 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 600 W。パッケージタイプ = TO-247AB。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 15.6 x 4.7 x 20.6mm。動作温度 Min = -55 ℃。ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor

出力電流 Max = 3A。出力電圧 = 1.24 → 13 V。ラインレギュレーション = 0.5 %。精度 = ±2%。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = D2PAK。基準電圧 = 1.26V。出力タイプ = 可変。寸法 = 10.23 x 9.34 x 4.57mm。高さ = 4.57mm。幅 = 9.34mm。低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ、2.1 A超、ON Semiconductor

出力電流 Max = 3A。出力電圧 = 0.3 → 3.5 V。精度 = ±20%。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DFNμA。基準電圧 = 0.5 → 1.8V。出力タイプ = 可変W。寸法 = 3 x 3 x 0.95mm。高さ = 0.95mm。幅 = 3mm。DDR終端レギュレータ、ON Semiconductor. 高度なダブルデータレート(DDR)同期ダイナミックランダムアクセスメモリ(SDRAM)向けの終端レギュレータ

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 8V。最小ブレークダウン電圧 = 5.32V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SC-74。最大逆スタンドオフ電圧 = 3V。ピン数 = 6。ピークパルスパワー消費 = 150W。最大ピークパルス電流 = 3A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 4。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 1mm。24 Wクワッドコモンアノード過渡電圧サプレッサ(ESD保護用)