14ページ目: ディスクリートその他関連用品
Sensor probe
仕様種類 = PTC検出温度 Min = 0℃検出温度 Max = +150℃応答時間 = 15 sプローブ径 = 6mmプローブの長さ = 40mmケーブル長 = 1.5m実装タイプ = ケーブルグランド材質 = Stainless Steel抵抗 = 1kΩSensor probe
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥2,998
税込¥3,298
5日以内出荷
SR16 / SR17シリーズホール効果センサ. 金属ターゲット検出用のマグネットを内蔵したホール効果ベーン 赤外線センサでは実行できない検出用途や計数用途に最適 ゴミや埃の多い産業環境向け 垂直又は水平取り付け、ピン又はワイヤ出力(モデルにより異なる)
仕様出力タイプ = デジタル電源電圧 = 3.8 → 30 V dc接続方式 = ワイヤリード最大DC電圧 = 30V出力開閉電流 = 20 mA長さ = 23.88mm幅 = 15.75mm奥行き = 12.95mm動作温度 Max = +85℃動作温度 Min = -20℃
1個
¥3,798
税込¥4,178
5日以内出荷
MCP34/MCP35シリーズデルタシグマA/Dコンバータ
仕様アーキテクチャ = Delta SigmaADC数 = 4分解能 = 16ビットサンプリングレート = 0.015ksps入力信号タイプ = 差動入力タイプ = 電圧実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14全非線形エラー = 10ppm FSRデジタルインターフェースタイプ = シリアル (I2C)電源タイプ = 単一電源標準シングル供給電圧 = 2.7 → 5.5 V動作温度 Min = -40 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(57個)
¥34,980
税込¥38,478
5日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 75 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥789
税込¥868
欠品中
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 210 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 300 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 120 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥499
税込¥549
5日以内出荷
インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 89 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 170 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V, +16 V動作温度 Max = +175 ℃動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥12,980
税込¥14,278
取扱い終了
Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ;sup>R ;/sup>小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = SIPMOSR実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 360 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.3mm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
¥2,498
税込¥2,748
5日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 180 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 370 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V, +16 V動作温度 Max = +175 ℃動作温度 Min = -55 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥1,498
税込¥1,648
翌々日出荷
仕様●タイプ:オペアンプ●パッケージ:DIP-16●回路数:-●最低動作電圧:2V●最大動作電圧:30V●入力タイプ(電圧範囲):`-0.3~36V●出力タイプ(電圧範囲):-●利得帯域幅積:-●スルーレート:-●入力オフセット電圧:9mV●入力電圧ドリフト:-●入力換算雑音電圧:-●入力バイアス電流:`-500nA●出力電流:`-10mA●タイプ:オペアンプ●回路電流:-●負荷容量:-●位相保証:-●オフセット調整等外部端子:-
アズワン品番68-2206-79
1個
¥89
税込¥98
当日出荷
CE、UL、CSA、CCC
ねじ止め端子はねじ止め端子過負荷でのみ使用でき、スプリング止め端子はスプリング止め端子過負荷でのみ使用できます。
接触器-3RT2シリーズ
耐気候性のある3RT2コンタクタは、世界各国での使用に適していることがテスト済みです。S00~S2のサイズがあり、最大37 kWの電力を出力します。
サイズS00、最大7.5 kW サイズS0、最大18.5 kW サイズS2、最大37 kW ねじ接続/スプリングクランプ インパルス耐電圧6 kV 絶縁電圧690 V 実損失動力4 Wのみ DIN 40719(IEC 204-2に拡張可能)及びIEC 750による記号表示K、DIN EN 61346-2による記号表示Q
仕様●範囲:SIRIUS Innovation●シリーズ:3RT2●極数:3●コイル電圧:24V dc●コンタクトの定格電流:25 A●コンタクトの定格電圧:400V ac●通常の状態の構成:3NO●補助接点の数:2●許容入力:11 kW●ターミナルタイプ:Screw●幅:45mm●動作温度mAx:+60℃●RoHS適合状況:適合●コード番号:706-1352
アズワン品番68-4149-97
1個
¥48,980
税込¥53,878
8日以内出荷
93AA46A/93C46A/93LC46A MicrowireシリアルEEPROM. Microchipの93AA46A/93C46A/93LC46Aファミリのデバイスは、1 KビットMicrowireシリアルEEPROMです。さまざまなパッケージ、温度、電源タイプを用意しています。. 特長. 128 x 8ビット構成 セルフ時限の消去及び書き込みサイクル(自動消去を含む) 自動的にすべて消去(ERAL)後にすべて書き込み(WRAL) 電源オン / オフ時データ保護回路 業界標準3線シリアル入出力 デバイスステータス信号(レディ / ビジー) シーケンシャル読み取り機能 1,000,000回の消去 / 書き込み データ保持: >200年間
仕様メモリサイズ = 1kbitインターフェースタイプ = シリアル-マイクロワイヤーパッケージタイプ = PDIP実装タイプ = スルーホールピン数 = 8構成 = 64 x 16ビット動作供給電圧 Min = 2.5 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 2.5 → 5.5V1ワード当たりのビット数 = 16bit寸法 = 9.27 x 7.87 x 3.3mm動作温度 Min = 0 ℃年
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥64
税込¥70
5日以内出荷
回帰反射型光電センサ用反射板. 回帰反射型光電センサ向けの、Turck Bannerの反射板製品です。さまざまな形状とサイズが揃っています。
仕様アクセサリタイプ = センサ反射板使用用途 = Q45BB6LLシリーズ接続方式 = ねじ実装タイプ = ねじ穴形状 = 角型表面パターン = スクエア波
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥1,998
税込¥2,198
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 15.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 6.1mm。高さ = 2.3mm。QFETR NチャンネルMOSFET、11 → 30 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥999
税込¥1,099
欠品中
実装タイプ = ねじ取り付け。パッケージタイプ = DO-8。最大連続 順方向電流 = 150A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = スタッドカソード。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.33V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 3.7kA。標準リカバリー整流器 40 A 超. 業界標準のパッケージスタイルに適合する多用途・高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥5,798
税込¥6,378
5日以内出荷
定格平均オン電流 = 80A。サイリスタタイプ = PCT。パッケージタイプ = TO-94。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 1990A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 120mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V。最大保持電流 = 200mA。ピン数 = 3。寸法 = 29.5 x 27 x 188mm。繰返しピークオフステート電流 = 15mA。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥5,498
税込¥6,048
5日以内出荷
ピン数 = 16。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。寸法 = 10 x 4 x 1.55mm。動作温度 Min = -40 ℃。アナログスイッチ(クワッド)、DG2xxシリーズ、Vishay Semiconductor. 高精度と低消費電力を特長としたクワッドアナログスイッチは、テスト装置やコンピュータ周辺機器などの用途に適しています。単電源での操作も可能なこのスイッチは、ポータブル計器にも適しています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥12,980
税込¥14,278
5日以内出荷
実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 1600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
¥1,498
税込¥1,648
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 50 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 73.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 6.22mm。順方向ダイオード電圧 = 1.5V。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,698
税込¥1,868
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 11 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥299
税込¥329
5日以内出荷
ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 45.4V。最小ブレークダウン電圧 = 31.1V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-15。最大逆スタンドオフ電圧 = 28V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 500W。最大ピークパルス電流 = 11.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。幅 = 3.6mm。TVSダイオードアキシャル双方向500 W、Taiwan Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
¥1,498
税込¥1,648
5日以内出荷
最大連続コレクタ電流 = 80 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 366 W。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。スイッチングスピード = 1MHz。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 16.26 x 5.3 x 21.08mm。動作温度 Min = -55 ℃。IGBTディスクリート、ON Semiconductor. モータ駆動とスイッチング用途向けの絶縁型ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥2,198
税込¥2,418
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 5.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V, +25 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥929
税込¥1,022
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 72 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.6 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(10個)
¥799
税込¥879
5日以内出荷
極数 6。行数 1。ピッチ 6.35mm。オス/メス オス。シリーズ Universal MATE-N-LOK。併用可能製品 センターラインソフトシェルピン及びソケットコネクタ。接続方向 ストレート。幅 14.73mm。ハウジング材質 ナイロン。UL、CSA. TE Connectivity PCB コネクタハウジング ユニバーサル MATE-N-LOK. PCB コネクタハウジングは、 PCB (基板)に取り付けられると、電気コネクタ用のレセプタクルとして使用できます。PCB コネクタは、異なる基板同士をリンクしたり、ケーブルを基板に接続したりするために使用されます。 メーカーのTE Connectivityシリーズ、PCBコネクタハウジングは、ユニバーサルMATE-N-LOKシリーズの一部です。コネクタハウジングの代表的用途は、基板取り付け時のコネクタのレセプタクルです。こうした継手は、ハウジング内の接続部を保護するために不可欠なコンポーネントです。
. 特長と利点.難燃性 UL94V-2 または UL94V-0 ナイロン製 各コネクタハウジングにはスナップロックラッチが付いており、すばやいリリースと極性化が可能です。(結果として正確なかん合) ピンコンタクトとソケットコンタクトは、ユニバーサル MATE-N-LOK コネクタハウジングのいずれにも取り付けることができます。 ユニバーサル MATE-N-LOCK コンタクト用。(基板コネクタコンタクトシリーズのその他のコンタクトも適用可能) フリーハンギングまたはパネルマウント。 電線対電線又は電線対基板用途。 プラグハウジング 6.35 mm ピッチ
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥899
税込¥989
5日以内出荷
定格平均オン電流 = 4A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 25mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 38A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 15mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.15mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 9.15mm。動作温度 Max = +125 ℃V。トライアック、最大6 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥4,598
税込¥5,058
5日以内出荷
実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AC。最大連続 順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 2.9V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 45ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 80A。整流ダイオード、4 A → 9 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥4,898
税込¥5,388
5日以内出荷
実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = SOD-57。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 1500V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 20μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥859
税込¥945
翌々日出荷
実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = P600。最大連続 順方向電流 = 6A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2.5μs。直径 = 9.1mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A。標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥1,198
税込¥1,318
5日以内出荷
ダイオード構成 シングル。1チップ当たりのエレメント数 1。パッケージタイプ DO-41。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。ピン数 2V。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃。高さ 5.2mm。寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm。直径 2.7mm。ON Semi 1N4001-1N4007アキシャルリード標準回復整流器. このON Semiconductor製品シリーズは、一般的な低電力用途向けに特別に設計された標準整流器です。この製品は、外部表面に腐食耐性があり、端子リードが容易にはんだ付けできる仕上げが施されています。これにより、顧客に効果的で信頼性の高い製品を提供します。. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 25 仕上げ: 外面は耐食性、端子リードははんだ付け可能 はんだ付け用の鉛温度: 最大260 (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 主な用途. 高周波インバータ フリーホイールダイオード 極性保護ダイオード
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
¥889
税込¥978
翌々日出荷
ダイオード構成 シングル。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-41。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 1.1V。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃。高さ 5.2mm。寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm。直径 2.7mm。ON Semi 1N4001-1N4007アキシャルリード標準回復整流器. このON Semiconductor製品シリーズは、一般的な低電力用途向けに特別に設計された標準整流器です。この製品は、外部表面に腐食耐性があり、端子リードが容易にはんだ付けできる仕上げが施されています。これにより、顧客に効果的で信頼性の高い製品を提供します。. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 25 仕上げ: 外面は耐食性、端子リードははんだ付け可能 はんだ付け用の鉛温度: 最大260 (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 主な用途. 高周波インバータ フリーホイールダイオード 極性保護ダイオード
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
¥899
税込¥989
翌々日出荷
実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-41。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 1000V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ スイッチング。ダイオードタイプ 整流器。ピン数 2。最大順方向降下電圧 1.7V。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 75ns。直径 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 30A。ON Semi UF4001-UF4007 高速整流器. ON Semiconductor UF4001 UF4007 シリーズは、DO-41(DO-240AL)プラスチックパッケージに収められた超高速整流器です。これらの1Aガラス不動態化接合整流器は、信頼性の高い汎用部品で、さまざまな用途に使用できます。. 特長: 低い順方向電圧降下 高サージ電流能力 大電流対応 ガラス不動態化接合整流器とは? これらのデバイスは、ダイオードの周囲に非活性化ガラスの層を備えています。ガラス不動態化接合整流器は、多くの場合、高い逆電圧抵抗を実現し、時に漏洩を軽減することができます。 動作ジャンクション温度はどのくらいですか? -65 +150 最大繰り返しの逆電圧は何ですか? UF4001 50 UF4002 100 UF4003 200 UF4004 400 UF4005 600 UF4006 800 UF4007 1000 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥269
税込¥296
5日以内出荷
公称電圧 = 2.5 - 36V。パッケージタイプ = TO-92。基準タイプ = プログラマブル。立上がり精度 = ±4 %。実装タイプ = スルーホール。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 100mA。入力電圧 Max = 37 V。出力電圧 Min = 2.495 V。出力電圧 Max = 36 V。ピン数 = 3。ラインレギュレーション = 53 mV。ロードレギュレーション = 25 mV。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。幅 = 4.19mm。電圧リファレンス、調節可能、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥679
税込¥747
欠品中
ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.8mm。幅 = 28.8mm。UL E54214. Vishay GBPC25 シリーズブリッジダイオード. UL認証(ファイル番号:E54214 ) 一般的な3種類の端子:スナップオン、ラップアラウンド、基板取付 標準 IR:0.3 μA 以下 耐高サージ電流 低熱抵抗 はんだ耐熱性:最大温度 275 ℃(10秒)/JESD 22-B106 準拠. 代表的な用途 電源、家電製品、オフィス機器、産業オートメーション用途の AC/DC ブリッジ全波整流で汎用的に使用されます。. 機械データ ケース :GBPC 、 GBPC-W 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合 ベース P/N-E4-RoHS 準拠・商用グレード 端子 :ニッケルめっきファストンラグ、又は銀めっき ワイヤリード、J-STD-002 と JESD22-B102 準拠のはんだ付けに対応可能 配線リードを示す接尾辞「 W 」が追加されました (例:GBPC12005W )。 極性 :マークされているように、プラス極リードは面取りコーナーに設置 締め付けトルク :最大 20 in・lbs
RoHS指令(10物質対応)対応
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ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.8mm。高さ = 7.62mm。UL E54214. Vishay GBPC25 シリーズブリッジダイオード. UL認証(ファイル番号:E54214 ) 一般的な3種類の端子:スナップオン、ラップアラウンド、基板取付 標準 IR:0.3 μA 以下 耐高サージ電流 低熱抵抗 はんだ耐熱性:最大温度 275 ℃(10秒)/JESD 22-B106 準拠. 代表的な用途 電源、家電製品、オフィス機器、産業オートメーション用途の AC/DC ブリッジ全波整流で汎用的に使用されます。. 機械データ ケース :GBPC 、 GBPC-W 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合 ベース P/N-E4-RoHS 準拠・商用グレード 端子 :ニッケルめっきファストンラグ、又は銀めっき ワイヤリード、J-STD-002 と JESD22-B102 準拠のはんだ付けに対応可能 配線リードを示す接尾辞「 W 」が追加されました (例:GBPC12005W )。 極性 :マークされているように、プラス極リードは面取りコーナーに設置 締め付けトルク :最大 20 in・lbs
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥669
税込¥736
5日以内出荷
ピーク平均順方向電流 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 1000V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ WOG。ピン数 4。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 50A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -55 ℃。ピーク順方向電圧 1V。ピーク逆電流 5μA。長さ 9.86mm。幅 8.84mm。UL認証(ファイル番号:E54214 ). Vishay WxxGシリーズブリッジ整流器. UL認証(ファイル番号:E54214 プリント基板に最適 標準 IR:0.1 μA 以下 高絶縁耐力 高サージ電流耐性 はんだ耐熱性:最大温度 275 ℃(10秒)/JESD 22-B106 準拠 材料の分類:コンプライアンスの定義についてを参照. 用途 AC/DCブリッジ全波整流における汎用用途 電源、アダプター、充電器、照明用バラスター、家電製品などの用途. 機械データ ケース:WOG 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合 ベース P/N-E4-RoHS 準拠・商用グレード 端子:銀めっきリード、J-STD-002とJESD22-B102準拠のはんだ付け可能 極性:本体に記載
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥639
税込¥703
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