20ページ目: ディスクリートその他関連用品

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 35.5V。最小ブレークダウン電圧 = 24.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 22V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 16.9A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 85V。最小ブレークダウン電圧 = 58.9V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-15。最大逆スタンドオフ電圧 = 53V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 7.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 7.6 x 3.6 x 3.6mm。高さ = 3.6mm。TVSダイオードアキシャル双方向600 W、Taiwan Semiconductor

MOSFET・モスフェット

標準ツェナー電圧 = 33V。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1.3 W。パッケージタイプ = DO-41 ( DO-204AL )。ツェナータイプ = シリコン平面。ツェナー電圧許容性 = ± 5%。ピン数 = 2

アンプタイプ = 高精度。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = PDIP。電源タイプ = ±2電源， 単一電源。回路数 = 4。ピン数 = 14。標準シングル供給電圧 = 5 → 28 V。標準ゲイン帯域幅積 = 1.2MHz。標準デュアル供給電圧 = ±12 V， ±15 V， ±3 V， ±5 V， ±9 V。標準スルーレート = 0.5V/μs。動作温度 Max = +70 ℃。標準電圧ゲイン = 100 dB。幅 = 6.35mm。汎用オペアンプ LMシリーズ. Texas Instrumentsの汎用オペアンプ製品シリーズは、は、さまざまな用途に適しています。これらのデバイスは、通常用途においてのコストパフォーマンスが高く、シングル、デュアル、クワッド構成の製品が用意されています。このシリーズには、スルーホールパッケージとSMT パッケージの二種類があります。LMファミリのオペアンプのほとんどが低消費電力で、アースを含む同相入力電圧の単一電源で動作します。

最大連続コレクタ電流 = 80 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 366 W。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。スイッチングスピード = 1MHz。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 16.26 x 5.3 x 21.08mm。動作温度 Min = -55 ℃。IGBTディスクリート、ON Semiconductor. モータ駆動とスイッチング用途向けの絶縁型ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 8 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 1000。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.5mA。寸法 = 15.75 x 10.28 x 4.82mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は、AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

タイプ = ストレート。内径(プライマリ) = 24mm。内径(セカンダリ) = 24mm。接着面 = あり。材質 = 流体抵抗性エラストマー。ブレークアウト数 = 1。色 = 黒。シュリンク径(プライマリ) = 10.4mm。シュリンク径(二次) = 5.6mm。シリーズ = 202K1

タイプ = ストレート。内径(プライマリ) = 36mm。内径(セカンダリ) = 36mm。接着面 = あり。材質 = 流体抵抗性エラストマー。ブレークアウト数 = 1。色 = 黒。シュリンク径(プライマリ) = 22.4mm。シュリンク径(二次) = 8.4mm。シリーズ = 202K1

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 27 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 120000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor QFETR PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFETRプレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。先進的なQFETRプロセス技術を使用して、競合のプレーナ型MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を提供することができます。

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 10.5V。最小ブレークダウン電圧 = 5V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-923。最大逆スタンドオフ電圧 = 3.3V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 0.3W。最大ピークパルス電流 = 10.5A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 0.65mm。低静電容量ESD保護アレイ

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大連続 順方向電流 = 20A。ピーク逆繰返し電圧 = 120V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 930mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。STMicroelectronics ショットキーバリアダイオード 20 → 25 A

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = アキシャルリード型。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。メーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220。最大連続 順方向電流 = 60A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = コモンカソード。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 980mV。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 350A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 920mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 25ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。Vishay シリコンジャンクションダイオード： ES1A 、 ES1B 、 ES1C 、 ES1D. 特長 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化ペレットチップジャンクション 高効率の超高速リカバリ時間 低順方向電圧、低電力損失 高順方向サージ機能 MSL レベル 1 ( J-STD-020 、 LF 最大 Peak )に対応 ( 260 ° C ) AEC-Q101 認定済み - 自動車注文コード： P/NHE3 または P/NHM3 代表的な用途 高周波整流及びフリーホイーリングで使用します 用途には、のスイッチングモードコンバータ及びインバータがあります 民生機器、コンピュータ、自動車、通信 機械データ ケース： SMA ( DO-214AC ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード ベース P/N-M3-ハロゲン フリー、 RoHS 準拠、商用 グレード ベース P/NHE3_X - RoHS 準拠、 AEC-Q101 認定 ベース P/NHM3_X - ハロゲンフリー、 RoHS 準拠、および AEC-Q101認定 (「 _X 」はリビジョンコード(例： A 、 B 、 ... ) 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 末尾が E3 、 M3 、 HE3 、 HM3 は、 JESD 201 クラス 2 に適合します ウィスカ試験 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ 表面実装。パッケージタイプ DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 60V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ ショットキー整流器。ダイオードタイプ ショットキー。ピン数 2。最大順方向降下電圧 750mV。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 40A。Vishay SS12-SS16 SMDショットキーバリア整流器. Vishay SS12-SS16 シリーズのショットキーバリア整流器は、SMA (DO-214AC)パッケージの低プロファイルデバイスです。 特長: 過電圧保護ガードリング 低順方向電圧降下 電力損失が低い 高効率 何に使用しますか? SS12-SS16ショットキーバリア整流器は、低電圧、高周波インバータ、還流、DC DCコンバータ、極性保護用途で使用するように設計されています。 動作温度範囲 -65 +150 種類: SS12 20 SS13 30 SS14 40 SS15 50 SS16 60 V

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220F。最大連続 順方向電流 = 10A。ピーク逆繰返し電圧 = 45V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 640mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 90V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 1200V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC-A。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.6mm。高さ = 7.7mm。UL E54214. Vishay VS-GBPC35 シリーズブリッジ整流器. 効率的で信頼性の高い動作を実現する、非常にコンパクトな密閉型単相ブリッジ整流器シリーズです。汎用及び計装用途向けです。. ユニバーサル、 3 極端子：プッシュオン、ラップアラウンド、はんだ 高い熱伝導性パッケージ、電気絶縁ケース プラスチックケースに正極性の Symbol が成形されている センター穴固定 ガラス不動態化ダイオードチップ 優れたパワー / ボリューム比 ニッケルめっき端子は鉛( Pb )フリーはんだ、はんだ合金 Sn/Ag/Cu ( SAC305 )、はんだではんだ付け可能 温度： 260 → 275 ° C ワイヤリードタイプを用意 UL E300359 認定 工業レベルおよび消費者レベルに対応した設計と認定

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-201AD。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。高さ = 9.5mm。寸法 = 5.3 (Dia.) x 9.5mm。直径 = 5.3mm。メーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

ピーク平均順方向電流 = 800mA。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TO-269AA。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 4.95mm。幅 = 4.1mm。UL、E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 省スペースのSMTパッケージ 自動装着機に対応 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

ピーク平均順方向電流 = 15A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBPC-W。ピン数 = 4。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 29mm。幅 = 29mm。GBPC1506:15 A ブリッジ整流器一体成形ヒートシンクにより、熱抵抗が非常に低く、最大限の放熱を実現しています サージ過負荷定格： 300 → 400 A ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上 端子仕上げ材質 - 銀(ワイヤタイプ GBPC-W パッケージ向けにはんだ付け可能)、 - GBPC パッケージ用にニッケル 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

材質 = アルミダイキャスト合金。奥行き = 112 mm。高さ = 60 mm。幅 = 42 mm。外形寸法 = 112 x 60 x 42mm。範囲 = 1590。フランジ = なし。シールド = あり。シリーズ = 1590。Hammond ダイキャストアルミエンクロージャは、頑丈でありながら機械加工が簡単な電子機器に適しています。ラップジョイント構造により、塵埃、水滴飛沫の進入を防止します。タップ済みのねじ穴にねじ込まれています。黒色で、寸法は 112 x 60 x 42 mm です。RoHS 及び REACH に準拠しています。IP54 保護等級です EMI / RFI シールドが強化されています

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A。MMBD1205 ：高導電性超高速ダイオードプロセス 1P から取得。 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

材質 = アルミダイキャスト。奥行き = 110.5 mm。高さ = 40 mm。幅 = 81.5 mm。外形寸法 = 110.5 x 81.5 x 40mm。範囲 = 1590。色 = Black。蓋色 = 黒。フランジ = なし。シールド = あり。シリーズ = 1590。ノックアウトの数 = 0。透明ドア = なしg。RALコード = RAL 9005

材質 = アルミダイキャスト。奥行き = 145 mm。高さ = 39 mm。幅 = 121 mm。外形寸法 = 145 x 121 x 39mm。範囲 = 1590。色 = グレー。蓋色 = グレー。フランジ = なし。シールド = あり。シリーズ = 1590。ノックアウトの数 = 0。重量 = 332g。防爆 = なし

材質 = アルミダイキャスト。奥行き = 115 mm。高さ = 30 mm。幅 = 64 mm。外形寸法 = 115 x 64 x 30mm。範囲 = 1550。色 = ナチュラル。蓋色 = ナチュラル。フランジ = なし。シールド = あり。シリーズ = 1550。重量 = 120g。防爆 = なし

材質 = ABS樹脂。奥行き = 50 mm。高さ = 20 mm。幅 = 50 mm。外形寸法 = 50 x 50 x 20mm。範囲 = 1551。色 = Black。蓋色 = 黒。フランジ = あり。シールド = なし。シリーズ = 1551。ノックアウトの数 = 0。重量 = 20g。RALコード = RAL 9005

ロジックタイプ = NAND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = 5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 158ns。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 49mA。最大ツェナーインピーダンス = 7Ω。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 51V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 5 W。パッケージタイプ = DO-15。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 25mA。最大ツェナーインピーダンス = 27Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 14mA。最大ツェナーインピーダンス = 20Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 15mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 5.21 x 2.72 x 2.72mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ON Semiconductor BZX85 シリーズは、優れた動作特性と厳密な制限を備えた 1 W ゼネアダイオードシリーズです。酸化シリコン不動態化ジャンクションの優れた機能を反映しています。これらのダイオードは、シール構造のガラスパッケージを使用したアキシャルリード型で、一般的なあらゆる環境条件で保護を提供します。. 特長. - ツェナー電圧範囲： 3.3 → 85 V - クラス 3 の ESD 定格 - DO-41 ( DO-204AL )パッケージ - ダブルスラグタイプ構造

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 17mA。最大ツェナーインピーダンス = 14Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

材質 = ABS樹脂。奥行き = 50 mm。高さ = 20 mm。幅 = 35 mm。外形寸法 = 50 x 35 x 20mm。範囲 = 1551。色 = Black。蓋色 = 黒。フランジ = なし。シールド = なし。シリーズ = 1551。ノックアウトの数 = 0。重量 = 16g。RALコード = RAL 9005

ファミリー名 = ATtiny13。パッケージタイプ = SOIJ。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。デバイスコア = AVR。データバス幅 = 8bit。プログラムメモリサイズ = 1 kB。最大周波数 = 20MHz。RAMサイズ = 64 B。USBチャンネル = 0。PWMユニット数 = 1。SPIチャンネル数 = 1。標準動作供給電圧 = 1.8 → 5.5 V。ADC数 = 4 x 10ビットmm。8ビットPicoPower tinyAVRRマイクロコントローラ. Atmel tinyAVRR機器は、小型パッケージでも優れた性能、高い出力効率、使いやすさが求められる用途を想定して最適化されています。 すべてのpicoPowerデバイスは、電力消費をできるだけ小さくするように一から設計されたものです。. サイズが重要な用途向けの小型で最もコンパクトなパッケージ 静電容量タッチ 高速、コード効果 高集積 動作: 1.8 V → 5.5 V (ATtiny43Uでは0.7 Vで動作)

定格平均オン電流 = 4A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-225。最大ゲートトリガー電流 = 30mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 400V。サージ電流レーティング = 30A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 400V。最大保持電流 = 30mA。寸法 = 7.74 x 2.66 x 11.04mm。長さ = 7.74mm。幅 = 2.66mm。高さ = 11.04mm。繰返しピークオフステート電流 = 2mA。トライアック、ON Semiconductor

汎用オペアンプ LMシリーズ. Texas Instrumentsの汎用オペアンプ製品シリーズは、は、さまざまな用途に適しています。これらのデバイスは、通常用途においてのコストパフォーマンスが高く、シングル、デュアル、クワッド構成の製品が用意されています。このシリーズには、スルーホールパッケージとSMT パッケージの二種類があります。LMファミリのオペアンプのほとんどが低消費電力で、アースを含む同相入力電圧の単一電源で動作します。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201AD。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。メーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A