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仕様トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 4 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 750最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA動作温度 Min = -65 ℃NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1個
68 税込75
5日以内出荷

仕様構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = パラレル最大ランダムアクセス時間 = 150ns実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PCDIPピン数 = 28寸法 = 39.98 x 18.34 x 8.89mm長さ = 39.88mm幅 = 18.34mm高さ = 8.89mm動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +70 ℃動作温度 Min = 0 ℃パラレルインターフェイス付きリアルタイムクロック、TIMEKEEPER(R) SRAM、STMicroelectronics. 最大256 KBのSRAM、バイトワイドインターフェイス、クロック / カレンダー回路を備えたクオーツベースの超低電力発振器を統合したタイムキーパーが、リアルタイムデータを提供します。 パッケージには電池とクリスタルが内蔵されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
4,298 税込4,728
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = PDIP実装タイプ = スルーホールピン数 = 16トランジスタ構成 = コモンエミッタ1チップ当たりのエレメント数 = 7最小DC電流ゲイン = 1000最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.6 V長さ = 20mmダーリントントランジスタアレイ、STMicroelectronics. ダーリントントランジスタドライバは、複数のオープンコレクタダーリントンペアと、誘導負荷用の集積サプレッションダイオードを備えた、高電圧・大電流スイッチアレイです。 定格電流は、各出力につき500 mA以上と大きくなっています。 ICパッケージにおいて入力は出力の反対側に固定されており、アプリケーション基板レイアウトが簡素化されます。 インターフェイスは、標準のTTL又はCMOS論理レベルです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1本(25個)
1,098 税込1,208
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仕様最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = PDIP実装タイプ = スルーホールピン数 = 18動作温度 Min = -20 ℃ダーリントントランジスタアレイ、STMicroelectronics. ダーリントントランジスタドライバは、複数のオープンコレクタダーリントンペアと、誘導負荷用の集積サプレッションダイオードを備えた、高電圧・大電流スイッチアレイです。 定格電流は、各出力につき500 mA以上と大きくなっています。 ICパッケージにおいて入力は出力の反対側に固定されており、アプリケーション基板レイアウトが簡素化されます。 インターフェイスは、標準のTTL又はCMOS論理レベルです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1本(20個)
5,198 税込5,718
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仕様コントロールインターフェイス = シリアル-3ワイヤー抵抗値 = 10kΩポジション数 = 100テーパータイプ = リニアメモリタイプ = 不揮発性1パッケージ当たりのポット数 = 1実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8電源タイプ = シングル標準シングル供給電圧 = 5 V寸法 = 5 x 4 x 1.5mm高さ = 1.5mm幅 = 4mmデジタルポテンショメータ、Intersil RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
2,798 税込3,078
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仕様最大連続コレクタ電流 = 120 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 600 Wパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル長さ = 15.8mm幅 = 5mm高さ = 20.1mm寸法 = 15.8 x 5 x 20.1mm動作温度 Max = +175 ℃ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1個
929 税込1,022
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 100Vパッケージタイプ = DO-35ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Max = +175 ℃高さ = 4.56mm寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm直径 = 1.91mm小信号スイッチングダイオード、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1箱(2000個)
4,498 税込4,948
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仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 31mA最大ツェナーインピーダンス = 4.5Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(200個)
1,898 税込2,088
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 17Ω最大逆漏れ電流 = 3μA長さ = 4.56mm直径 = 1.91mm寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(200個)
999 税込1,099
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 8.5mA最大ツェナーインピーダンス = 40Ω最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
999 税込1,099
翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 15.5mA最大ツェナーインピーダンス = 16Ω最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
919 税込1,011
翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 76mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 100μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
899 税込989
翌々日出荷

ピーク逆電流(μA)500 ピーク順方向電圧(V)1.1 長さ(mm)29 寸法(mm)29×29×11.23 ピン数(ピン)4 ダイオードシリコンジャンクション 動作温度(℃)-55~150 RoHS指令(10物質対応)対応 実装タイプスルーホール ブリッジタイプ単相
1袋(2個)ほか
1,698 税込1,868
5日以内出荷
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.25V高さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 50ns直径 = 2.72mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
2,998 税込3,298
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仕様セグメント数 = 1最大供給電流 = 350 mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMCピン数 = 2標準動作供給電圧 = 50 V寸法 = 7.11 x 6.1 x 2.41mm高さ = 2.41mm長さ = 7.11mm動作温度 Max = +175 ℃動作温度 Min = -55 ℃幅 = 6.1mm先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. リニアLEDドライバ、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,198 税込1,318
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仕様出力電圧 = -12 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = -40 V dcピン数 = 3パワーレーティング = 15W動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 負幅 = 4.82mm負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
659 税込725
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仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = Surmetic 40ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 620Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 8.89mm直径 = 3.68mm寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
609 税込670
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = Surmetic 40ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 12mA最大ツェナーインピーダンス = 800Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 8.89mm直径 = 3.68mm寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
639 税込703
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V長さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 75ns直径 = 2.72mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
2,598 税込2,858
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 9Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
999 税込1,099
翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-35ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 4.56mm幅 = 1.91mm高さ = 1.91mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
379 税込417
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 220 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 360 mW標準ターンオフ遅延時間 = 20nS強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
199 税込219
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仕様標準ツェナー電圧 = 15V実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 15mA最大ツェナーインピーダンス = 15Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 5.21mm寸法 = 5.21 x 2.72 x 2.72mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
449 税込494
当日出荷

仕様最大連続 順方向電流 = 1A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 50V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 5.2mm幅 = 2.7mm高さ = 2.7mm動作温度 Min = -65 ℃メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、1 A → 2 A、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
439 税込483
翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 45V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ACダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 10.29mm幅 = 4.82mm高さ = 9.27mm動作温度 Max = +175 ℃メーカー品番がNSV-又はSBR-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、10 A → 25 A、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,298 税込1,428
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 7%ピン数 = 3テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 40Ω最大逆漏れ電流 = 1μA長さ = 2.9mm寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード225 mW、BZX84BxxxLT、BZX84CxxxLTシリーズ、ON Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (BZX84B)、約5 % (BZX84C) 表面実装ケース: SOT-23
1個
21 税込23
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仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 45.7V最小ブレークダウン電圧 = 31.4V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 28.2Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 13.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃最大逆漏れ電流 = 5μAアキシャル単方向600 W TVSダイオード、P6KEシリーズ、Fairchild Semiconductor
1袋(5個)
319 税込351
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仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 21.2V最小ブレークダウン電圧 = 14.3V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 12.8Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 28A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃最大逆漏れ電流 = 5μATVSダイオード双方向軸600 W、P6KEシリーズ、Fairchild Semiconductor
1袋(5個)
349 税込384
翌々日出荷

仕様方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 27.7V最小ブレークダウン電圧 = 19V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 17Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 22A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃最大逆漏れ電流 = 5μAアキシャル単方向600 W TVSダイオード、P6KEシリーズ、Fairchild Semiconductor
1袋(5個)
319 税込351
5日以内出荷

仕様出力電圧 = -37 →-1.2 V出力電流 Max = 1.5Aパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 可変実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = -40 Vピン数 = 3動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 負基準電圧 = -1.25V低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ、調整式、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1個
179 税込197
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仕様PWM出力数 = 1コントロール方法 = 電流トポロジー = ブースト, フライバック, フォワード上昇時間 = 50ns降下時間 = 50ns最大デューティサイクル = 96%最大スイッチング周波数 = 500 kHz実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIPピン数 = 8出力電流 = 1 A動作温度 Min = 0 ℃AC-DCオフラインコントローラ、UCシリーズ、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1個
319 税込351
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 70 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 2250 pF @ 25 V強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
419 税込461
5日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 360 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最低ゲートしきい値電圧 = 0.9V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 420 mW標準ゲートチャージ @ Vgs = 0.72 nC @ 4.5 VNチャンネルMOSFET、60 → 80 V、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(100個)
759 税込835
翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 100Vパッケージタイプ = SOD-323Fピン数 = 2最大ダイオードキャパシタンス = 1.5pF動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 0.8mm寸法 = 1.8 x 1.35 x 0.8mm小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
679 税込747
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
169 税込186
翌々日出荷

仕様標準ツェナー電圧 = 9.1V実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 15Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia
1袋(20個)
239 税込263
当日出荷

仕様標準ツェナー電圧 = 4.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 80Ω最大逆漏れ電流 = 3μA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm標準電圧温度係数 = -1.4mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
259 税込285
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仕様標準ツェナー電圧 = 2.4V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 100Ω最大逆漏れ電流 = 50μA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm標準電圧温度係数 = -1.6mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
219 税込241
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
339 税込373
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仕様ダイオード構成 = コモンアノード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
169 税込186
翌々日出荷

『ディスクリート』には他にこんなカテゴリがあります