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ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 9.8V。最小ブレークダウン電圧 = 6V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-323。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 350W。最大ピークパルス電流 = 17A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.45mm。双方向TVSダイオード、Bourns Electronics. Bourns Electronics製のシングル双方向TVS (過渡電圧抑制)ダイオードシリーズは、携帯電話、ハンドヘルド電子機器、その他のポータブル電子機器などの電子デバイスに信号及び電力線のESD保護を提供します。

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 24V。最小ブレークダウン電圧 = 16.7V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = SOD-323

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 26V。最小ブレークダウン電圧 = 7.5V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大逆スタンドオフ電圧 = 12V。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 17A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 3 x 1.4 x 1.155mm。高さ = 1.155mm。Bourns 過渡電圧サプレッサ CDSOT23シリーズ. ESD保護：最大30kV ピークパルス電流400Wのサージ保護機能

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = TrenchFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.112 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1

Bourns TVSBourns SOD-323 パッケージは、表面実装双方向 TVS ダイオードです。スタンドオフ電圧は 36 V 、逆降伏電圧は 40 V です。Peak パルス電流定格は 5 A です。特長と利点標準のピックアンドプレース装置で、取り扱いが簡単 鉛フリー 最大 ESD 保護は 30 kV です ジャンクション動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C 1 行保護 サージ保護> 24A用途携帯電話 コンピュータノートブック デジタルカメラ 携帯情報端末 (PDA)認定 IEC 61000-4-2 ( IEC 61000-4-2 IEC 61000-4-4 IEC 61000-4-5 UL94V-0 認定

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 51 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2.1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 345 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 108 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 8 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 960 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.4mm。高さ = 1.02mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 2.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 112 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 860 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 120V。最小ブレークダウン電圧 = 50V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-523。最大逆スタンドオフ電圧 = 30V。ピン数 = 2。最大ピークパルス電流 = 1A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -40 ℃。動作温度 Max = +85 ℃mm。幅 = 0.9mm。IEC61000-4-2レベル4. SMTトランジェントサブレッサ - CDS3シリーズ. ESD用途で高性能を発揮するように最適化された双方向セラミック半導体です。. 優れたESD耐性(最小3000 ESDパルス) あらゆるESDイベント(正と負の両方)を安全にアースに放電 鉛フリーニッケルバリア終端

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 42V。最小ブレークダウン電圧 = 22V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = 0603 (1608M)。最大逆スタンドオフ電圧 = 16V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 2000W。最大ピークパルス電流 = 30A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -40 ℃。寸法 = 1.75 x 0.9 x 0.9mm。幅 = 0.9mm。IEC61000-4-2レベル4. SMTトランジェントサブレッサ - CDS3シリーズ. ESD用途で高性能を発揮するように最適化された双方向セラミック半導体です。. 優れたESD耐性(最小3000 ESDパルス) あらゆるESDイベント(正と負の両方)を安全にアースに放電 鉛フリーニッケルバリア終端

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 30V。最小ブレークダウン電圧 = 10V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-523。最大逆スタンドオフ電圧 = 9V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1600W。最大ピークパルス電流 = 30A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -40 ℃。動作温度 Max = +85 ℃mm。幅 = 0.9mm。IEC61000-4-2レベル4. SMTトランジェントサブレッサ - CDS3シリーズ. ESD用途で高性能を発揮するように最適化された双方向セラミック半導体です。. 優れたESD耐性(最小3000 ESDパルス) あらゆるESDイベント(正と負の両方)を安全にアースに放電 鉛フリーニッケルバリア終端

RF EXplorer デバイスの交換用LCD。このLCDは、すべてのRF EXplorer ハンドヘルドデバイスに含まれている同じカスタム設計のCOGLCDモデルであるRF EXplorer の画面の代替品で。あり、屋内外での優れた視認性を保証します。RF EXplorer 用に特別に設計されたカスタムモデル。PCBアセンブリ用のステッカーフォームが含まれています。RF EXplorer PCBおよびLCDモジュールを操作するときは必ず静電気防止対策を行なってください

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 8.1V。最小ブレークダウン電圧 = 5.5V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = UDFN。ピン数 = 14。最大ピークパルス電流 = 16A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 8。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 5.5 x 1.5 x 0.5mm。自動車規格 = AEC-Q101pF。ESD8008 は、 4 つの高速差動ペアを保護できるようになっています。超低静電容量及び低 ESD クランプ電圧により、電圧の影響を受けやすい高速データラインの保護に最適なソリューションになります。フロースルースタイルパッケージにより、基板レイアウトが簡単で、トレース長を揃えて高速ラインのインピーダンスを一定にすることができます。最大静電容量： 0.35 pF 深型スナップバック SCR 技術 最大6 Gbpsのデータ転送速度に対応 ESD イベント用の超低クランプ電圧 コンピューティング LCD TV 用途 V-by-One HS LVDS DisplayPort

出力電流 Max = 500mA。出力電圧 = 1.25 V。ラインレギュレーション = 0.04 mV/V。精度 = ±0.9%。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SO。基準電圧 = 1.26V。出力タイプ = 固定。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。幅 = 4mm。NCP3334 は、高性能、低ドロップアウト( LDO )リニア電圧レギュレータです。ラインと負荷に対する +/-0.9 % の精度、超低静止電流とノイズにより、今日の家庭用電化製品に必要なすべての機能を搭載しています。このユニークなデバイスは、最小負荷電流要件なしで安定し、 1.0 μ F の小型コンデンサで安定します。NCP3334 は、逆バイアス保護機能を備えています。ライン及び負荷に対する高い精度(±0.9 % @ 25 ℃) 低ドロップアウト電圧： 340 mV (最大) @ 500 mA 38 μ Vrms の低ノイズ 低シャットダウン電流 (0.07 μ A) 逆バイアス保護 供給電圧範囲： 2.6 → 12 V サーマルシャットダウン保護 電流制限 安定性には 1.0 uF の出力静電容量のみが必要です MLCC を含むあらゆるタイプのコンデンサと安定します 安定性のための最小出力電流要件なし 鉛フリーデバイスです 用途 PCMCIAカード 携帯電話 カムコーダーとカメラ ネットワーキングシステム、DSL / ケーブルモデム ケーブルセットトップボックス MP3 / CDプレーヤー ディスプレイ及びモニタ