制御機器：「a2-70」の検索結果

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マイクロチップ，フラッシュメモリ 2Mbit， 48-Pin， SST39VF200A-70-4I-EKEMICROCHIP

￥1,898税込￥2,088

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様●メモリサイズ： 2Mbit●パッケージタイプ： TSOP●ピン数： 48●構成： 128 K x 16RoHS指令(10物質対応)対応

マイクロチップ，フラッシュメモリ 2MB パラレル， 32-Pin， SST39SF020A-70-4C-PHEMICROCHIP

￥5,598税込￥6,158

1セット(11個)

7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 2MB●インターフェースタイプパラレル●パッケージタイプ PDIP●ピン数 32●構成 256 x 8ビット●実装タイプスルーホール●セルタイプスプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成対称●長さ 42.04mm●高さ 3.81mm●幅 13.97mm●寸法 42.04 13.97 3.81mm●シリーズ SST39ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作耐久性 100000回(標準) 低消費電力アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ自動書き込み時間内部VPP生成 End-of-Write検出トグルビットデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応

マイクロチップ， 4Mbit フラッシュメモリパラレル， 4.5→5.5V， 32-Pin PLCCMICROCHIP

￥2,298税込￥2,528

1袋(5個)

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仕様メモリサイズ：4Mbit、インターフェースタイプ：パラレル、パッケージタイプ：PLCC、ピン数：32、構成：512 K x 8ビット、実装タイプ：表面実装、セルタイプ：スプリットゲート、動作供給電圧 Min：4.5 V、動作供給電圧 Max：5.5 V、長さ：11.43mm、高さ：2.79mm、幅：13.97mm、寸法：11.43 x 13.97 x 2.79mm、ワード数：512K、SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは、パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作耐久性ー100，000回(標準) 低消費電力 - アクティブ電流10 mA、スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ読み取りアクセス時間: 55 → 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間ー14 μs(標準) チップ書換え時間ーSST39SF010A 2秒、SST39SF020A 4秒、SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ自動書き込みー内部VPP生成 End-of-Write検出ートグルビットーデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格ーフラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応

Microchip 電源スイッチIC MIC94063MICROCHIP

￥2,998税込￥3,298

1袋(20個)

7日以内出荷

MIC94060-63は、1.7 → 5.5 Vの範囲で動作するように設計されたハイサイド負荷スイッチです。このデバイスは低オン抵抗のPチャンネルMOSFETを備えており、2 Aを超える連続負荷電流に対応します。MIC94061及びMIC94063は、メインスイッチがOFF状態のときに、容量負荷が帯電されないように、アクティブな負荷放電回路を備えています。MIC94060-61は迅速な電源投入が可能です。MIC94062-63は、スルーレート制御の800 μs (標準)のソフトスタート電源投入により、電源レールの故障時に突入電流を防ぎます。イネーブル入力時のアクティブなプルダウンにより、MIC94060-63は、ENピンが高レベルに引き上げられるまで、デフォルトのOFF状態を維持します。入力電圧範囲: 1.7 → 5.5 V 動作電流: 2A (連続) 77 mΩ (標準) RON 制御ロジックに対応するレベルシフト内蔵、1.5 Vのロジックで動作できます。 2 μAの低静止電流ソフトスタート: MIC94062-63 マイクロパワーシャットダウン:< 1 μA 負荷放電回路: MIC94061、MIC94063

仕様電源スイッチトポロジ = ハイサイドオン抵抗 = 215mΩチャンネル数 = 1動作供給電圧 Max = 5.5 V最大動作電流 = 2 (Continuous)A実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-70ピン数 = 6動作温度 Max = +125 ℃動作温度 Min = -40 ℃寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mmシリーズ = MIC94063RoHS指令(10物質対応)対応

マイクロチップ，フラッシュメモリ 1MB パラレル， 32-Pin， SST39SF010A-70-4I-NHEMICROCHIP

￥9,298税込￥10,228

1セット(30個)

7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプパラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ表面実装●セルタイプスプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●シリーズ SST39bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作耐久性 100000回(標準) 低消費電力アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ自動書き込み時間内部VPP生成 End-of-Write検出トグルビットデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応

マイクロチップ，フラッシュメモリ 4Mbit パラレル， 32-Pin， SST39SF040-70-4C-NHEMICROCHIP

￥849税込￥934

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7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 4Mbit●インターフェースタイプパラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ表面実装●セルタイプスプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 11.51 14.05 2.84mm●最大ランダムアクセス時間 70ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作耐久性 100000回(標準) 低消費電力アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ自動書き込み時間内部VPP生成 End-of-Write検出トグルビットデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応

マイクロチップ，フラッシュメモリ 1MB パラレル， 32-Pin， SST39SF010A-70-4C-NHEMICROCHIP

￥2,998税込￥3,298

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプパラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ表面実装●セルタイプスプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●ワード数 128Kbit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作耐久性 100000回(標準) 低消費電力アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ自動書き込み時間内部VPP生成 End-of-Write検出トグルビットデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応

マイクロチップ，フラッシュメモリ 4MB パラレル， 32-Pin， SST39SF040-70-4I-NHEMICROCHIP

￥2,198税込￥2,418

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 4MB●インターフェースタイプパラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ表面実装●セルタイプスプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●1ワード当たりのビット数 8bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作耐久性 100000回(標準) 低消費電力アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ自動書き込み時間内部VPP生成 End-of-Write検出トグルビットデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応

マイクロチップ， 4Mbit フラッシュメモリパラレル， 32-Pin PLCCMICROCHIP

￥13,980税込￥15,378

1セット(30個)

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RoHS指令(10物質対応)対応

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