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商品豆知識
ON Semiconductor 2チャンネル 双方向 TVSダイオード， 350W， 44V， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR￥699税込￥769
1袋(20個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ最大クランピング電圧 = 44V最小ブレークダウン電圧 = 26.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 350W最大ピークパルス電流 = 8AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃最大逆漏れ電流 = 100nANUP2105L、NUP3105LデュアルラインCAN保護機能. NUP2105L / NUP3105Lは、高速のフォルトトレランスネットワークにおいてCANトランシーバを、ESD及びその他の危険な過渡電圧事故から保護する目的で設計されています。. ライン当たりのピーク電力消失: 350 W 逆漏洩電流が低い(< 100 nA) 低静電容量高速CANデータ転送速度 IEC対応: IEC61000-4-2 (ESD): レベル4 IEC61000-4-4 (EFT): 40 A - 5/50 ns (NUP3105Lは50 A - 5/50 ns) IEC61000-4-5 (照明) 8 A (8/20 μs)RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET， 500 V， 4 A， 3 ピン パッケージTO-220F UniFET シリーズON SEMICONDUCTOR￥1,800税込￥1,980
1袋(10個)
5日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 28 W標準ターンオン遅延時間 = 14 nsUniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 2チャンネル 単方向 TVSダイオードアレイON SEMICONDUCTOR￥1,598～税込￥1,758～
1セット(50個)ほか
7日以内出荷
ピン数(ピン)5RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSOT-553実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2最大逆スタンドオフ電圧(V)5最大クランピング電圧(V)10最小ブレークダウン電圧(V)5.5最大ピークパルス電流(A)12
ON Semiconductor 4チャンネル 単方向 TVSダイオードアレイ， 500W， 20V， 6-Pin SOT-363 (SC-88)ON SEMICONDUCTOR￥959税込￥1,055
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = コンプレックスアレイ最大クランピング電圧 = 20V最小ブレークダウン電圧 = 6V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 6ピークパルスパワー消費 = 500W最大ピークパルス電流 = 8AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 4動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃テスト電流 = 1mA低静電容量ESD保護アレイRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 2チャンネル 単方向 TVSダイオード， 40W， 40V， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR￥819税込￥901
1袋(100個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = コモンアノード最大クランピング電圧 = 40V最小ブレークダウン電圧 = 25.65V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 22Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 40W最大ピークパルス電流 = 1AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃最大逆漏れ電流 = 50nA40 Wデュアルツェナートランジェント電圧サプレッサ、ON Semiconductor. ESD保護のためのSOT-23デュアルコモンアノードツェナー。 コンピュータ、プリンタ、ビジネスマシン、通信システム、医療機器など、電圧や静電気放電に敏感な機器で使用。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 2チャンネル 単方向 TVSダイオード， 24W， 8.7V， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR￥209税込￥230
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = コモンアノード最大クランピング電圧 = 8.7V最小ブレークダウン電圧 = 5.89V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 3Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 24W最大ピークパルス電流 = 2.7AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃自動車規格 = AEC-Q101TVSデュアルコモンアノードツェナー、ON Semiconductor. コモンアノード構成のデュアル表面実装TVS 自動挿入に最適 低漏洩RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET， 250 V， 6.2 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) UniFET シリーズON SEMICONDUCTOR￥1,298税込￥1,428
1枚(10個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 570 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 56 W標準ターンオン遅延時間 = 10 nsUniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 300 V， 28 A， 3 ピン パッケージD2PAK (TO-263)ON SEMICONDUCTOR￥659税込￥725
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 28 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 300 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 129 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250W標準ターンオン遅延時間 = 35 nsUniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 500 V， 18 A， 3 ピン パッケージTO-220F UniFET シリーズON SEMICONDUCTOR￥459税込￥505
1個
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 265 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 38.5 W標準ターンオフ遅延時間 = 95 nsUniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET， 500 V， 5 A， 3 ピン パッケージTO-220F UniFET シリーズON SEMICONDUCTOR￥1,198税込￥1,318
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.4Ω最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 28 W動作温度 Max = +150 ℃UniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 650 V， 15 A， 3 ピン パッケージTO-220F UniFET シリーズON SEMICONDUCTOR￥469税込￥516
1個
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 440 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 38.5 W1チップ当たりのエレメント数 = 1UniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 500 V， 100 A， 3 ピン パッケージTO-264 UniFET シリーズON SEMICONDUCTOR￥2,898税込￥3,188
1個
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 55 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-264実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2.5 kW1チップ当たりのエレメント数 = 1UniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。RoHS指令(10物質対応)対応
『制御機器/はんだ・静電気対策用品』には他にこんなカテゴリがあります
- 制御機器
- はんだ関連・静電気対策用品
