制御機器 ：「TMD」の検索結果

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 21 A最大ドレイン-ソース間電圧 500 Vシリーズ MDmesh実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 158 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 35 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -25 V， +25 V幅 4.6mm高さ 16.4mmNチャンネルMDmesh、500 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 13 A最大ドレイン-ソース間電圧 600 Vシリーズ MDmesh実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 285 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -25 V， +25 V幅 4.6mm高さ 15.75mmNチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vシリーズ MDmesh実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 30 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 5.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 900 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 140 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V幅 9.35mm動作温度 Min -55 ℃mmSTMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 800 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 900 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 40 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 Vトランジスタ素材 Simm高さ 9.3mmSTMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 7.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 700 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 1.2 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 35 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V標準ゲートチャージ Vgs 48 nC 10 Vmm高さ 16.4mmSTMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 500 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 270 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 190 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V幅 5.15mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 14 A最大ドレイン-ソース間電圧 500 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 380 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 150 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V長さ 15.75mm高さ 20.15mmNチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 600 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 750 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 35 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 600 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 70 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V幅 4.6mm高さ 9.15mmNチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics

ファミリー名 STM32F4パッケージタイプ LQFP実装タイプ 表面実装ピン数 144デバイスコア ARM Cortex M4データバス幅 32bitプログラムメモリサイズ 512 kB最大周波数 168MHzRAMサイズ 192 4 kBUSBチャンネル 2PWMユニット数 1 32 bitSPIチャンネル数 3標準動作供給電圧 3.6 VADC数 24 12ビットmmSTM32F407 417マイクロコントローラ、STMicroelectronics. STM32 F407/417 高性能ARM ；sup>；R ；/sup>；Cortex M4ベースのマイクロコントローラは、168 MHz動作周波数に革新的な周辺機器を統合します。さらに、CMOSセンサ用のEthernet MAC及びカメラインターフェイスも備えています。 STM32 F407/417 32ビットフラッシュMCUは、デジタル信号処理(DSP)命令を備えた浮動小数点ユニット(FPU)と、アプリケーションセキュリティを高めるメモリ保護ユニット(MPU)を装備しています。 STの STM32F417 マイクロコントローラは、暗号化 ハッシュプロセッサを内蔵し、AES 128、192、256、Triple DES、ハッシュ(MD5、SHA-1)のハードウェアアクセラレーションを提供します。 STMicroelectronics STM32 F407/417 高性能業界標準コアアーキテクチャには、接続済みの拡張周辺機器とI/Oが付属しています。 これにはADC、DAC、RTC、16ビットタイマ(モータコントロール用の2つのPWMタイマを含む)、32ビットタイマが含まれます。 真の乱数ジェネレータ(RNG)も含まれます。 さらに、一連の節電モードにより、低電力アプリケーション設計が可能になります。 モータドライブやアプリケーションコントロール、産業用途(インバータ、PLC、スキャナ、HVAC、ビデオインターコム、家庭用オーディオ機器、医療機器)など、幅広い用途に対応します。. 168 MHz CPU 210DMIPS ARTアクセラレータ(ダイナミック電源スケール) 12ビットDAC、12ビットADC タイマ: 16ビット及び32ビット 使用温度範囲: 40 +85 ℃及び40 +105 電源: 1.8 3.6 標準及び高度な通信機能 I ；sup>；2 ；/sup>；C、SPI、I ；sup>；2 ；/sup>；S全二重(内部オーディオPLL専用) USART、UART USB OTG FS、USB OTG HS、CAN SDIO MMCインターフェイス 真の乱数ジェネレータ フラッシュメモリ: 最大1 MB、SRAM: 最大192 KB、バックアップRAM: 最大4 KB 暗号化 ハッシュプロセッサ (STM32F417のみ)