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STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET75 V 80 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥12,980税込￥14,278

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 80 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 75 V●シリーズ： STripFET II●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 11 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 300 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●トランジスタ素材： Simm●高さ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET75 V 120 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥16,980税込￥18,678

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 75 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 8 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 310 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET75 V 75 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンSTMicro

￥279,800税込￥307,780

1セット(1000個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 75 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 75 V●シリーズ： STripFET II●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 11 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 300 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -15 V， +15 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFETSTMicro(1件のレビュー)

￥769税込￥846

1袋(2個)

7日以内出荷

バリエーション一覧へ(518)

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 7.5 A 表面実装パッケージSO-8 8 ピンSTMicro

￥2,698税込￥2,968

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 7.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●パッケージタイプ： SO-8●実装タイプ：表面実装●ピン数： 8●最大ドレイン-ソース間抵抗： 21 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 2.5 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： ±16 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●順方向ダイオード電圧： 1.2VRoHS指令(10物質対応)対応