制御機器 ：「50A」の検索結果

定格平均オン電流 = 50Aサイリスタタイプ = SCRパッケージタイプ = TO-65繰返しピーク逆方向電圧 = 600Vサージ電流レーティング = 1490A実装タイプ = ねじ取り付け最大ゲートトリガー電流 = 100mA最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V最大保持電流 = 200mAピン数 = 2寸法 = 19.2 x 17.35 x 42.5mm繰返しピークオフステート電流 = 15mAVishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

定格平均オン電流 = 50Aサイリスタタイプ = SCRパッケージタイプ = TO-65繰返しピーク逆方向電圧 = 400Vサージ電流レーティング = 1490A実装タイプ = ねじ取り付け最大ゲートトリガー電流 = 100mA最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V最大保持電流 = 200mAピン数 = 2寸法 = 19.2 x 17.35 x 42.5mm繰返しピーク順方向抑止電圧 = 400VVishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

定格平均オン電流 = 50Aサイリスタタイプ = SCRパッケージタイプ = TO-65繰返しピーク逆方向電圧 = 1200Vサージ電流レーティング = 1490A実装タイプ = ねじ取り付け最大ゲートトリガー電流 = 100mA最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V最大保持電流 = 200mAピン数 = 2寸法 = 19.2 x 17.35 x 42.5mm繰返しピークオフステート電流 = 15mAVishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 28 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 67 nC @ 10 V動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.5 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大パワー消費 = 48.1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 73.5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm順方向ダイオード電圧 = 1.5VPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ P最大連続ドレイン電流 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 60 Vパッケージタイプ TO-252AA実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 28 mチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 -3V最低ゲートしきい値電圧 -1V最大パワー消費 113 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V長さ 6.73mm動作温度 Min -55 ℃mm

抵抗 = 50Ω定格電力 = 1W許容差 = ±1%テクノロジー = 巻線シリーズ = RS動作温度 Max = +350℃動作温度 Min = -65℃Vishay RS シリーズ. Vishay RS シリーズの巻線型抵抗器は、高温シリコンコーティングを施した高精度高電力リード付き抵抗器です。RS シリーズは、抵抗値に応じて、銅ニッケル合金又はニッケルクロム合金を使用した完全溶接構造を備えています。. 高温 完全溶接構造 優れた動作安定性

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.6Vチャンネル数 = 2ピン数 = 8パッケージタイプ = SMD入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 0.1μs最大入力電流 = 25 mA絶縁電圧 = 5300 Vrms論理出力 = あり標準降下時間 = 0.1μsシリーズ = VOオプトカプラ、IGBT及びMOSFETドライバ、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 520 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 60 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 52 nC V @ 10高さ = 9.8mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-204AL最大連続 順方向電流 1Aピーク逆繰返し電圧 50Vシリーズ 1N4001整流タイプ 汎用ダイオードタイプ 整流器ピン数 2最大順方向降下電圧 1.1V1チップ当たりのエレメント数 1ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション直径 2.7mmピーク非繰返し順方向サージ電流 45AVishay 1N4001-1N4007汎用プラスチック整流器. Vishay 1N4001 1N4007 シリーズの1 A整流ダイオードは、汎用用途向けに設計されています。これらの製品は、25.4 mmスズめっきリード付きのDO-204AL (DO-41)プラスチックパッケージに収められています。 特長： 低順方向電圧降下 低漏洩電流 高順方向サージ機能 何に使用しますか? 1N4001 1N4007シリーズは、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの整流に最適です。汎用用途向けに設計されているため、さまざまな可能性があります。 動作時のジャンクション温度 -50 +150℃ 種類(ピーク繰り返し逆電圧あり)： 1N4001-50 1N4002 100 1N4003-200 1N4004-400 1N4005 600 1N4006-800 1N4007-1000 V

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 43.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-215AA最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 65.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.21mmテスト電流 = 10mATRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBGシリーズ、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-215AA (SMBG)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 580 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 180 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 5.31mm高さ = 20.7mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 14 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 190 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 15.87mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 43.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 65.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 163A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 243V最小ブレークダウン電圧 = 167V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 150Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 6.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 520 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 170 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 4.7mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

MOSFET・モスフェット

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 22 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 230 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 277 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 5.31mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

抵抗 22Ω許容差 ±5%定格電力 280W終端スタイル ラジアルパッケージ/ケース RA シリーズテクノロジー 巻線取り付け仕様 ボルトオンケーススタイル ほうろうシリーズ RSSD寸法 32 250mm直径 32mm長さ 250mm構造 巻線℃取り付けブラケットは別売り: 品番 7885167 7885167 10 50 mm 25 )用、 品番 7885151 7885151 20 117 mm 100 )用、品番 7885154 7885154 25 168 mm 200 )用、 品番 7885160 7885160 30 250 mm 280 )用. RSSD シリーズ 25 280 W. RSSDの中・高出力抵抗器は、激しい過渡現象や激しい衝撃、振動に耐えられることが特徴です。 VishayのRW、RWST、RAシリーズの抵抗器は低値領域で補完し、タップ加工が可能です。調整可能なカラーを使用します。 標準的なRSSD抵抗器は、1つの調整用カラーを備えています。. 特長:. 高定格電力： 16 600 @ 25 C 高過負荷：10 Pn 15 秒 % 低抵抗値 0.10 に対応可能 高い長期安定性：1，000時間後のドリフト1.5 ； 熱衝撃に対する優れた耐性 高い機械的強度 耐火性