DiodesZetex Pチャンネル MOSFET20 V 4.2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンDiodesZetex¥28,980税込¥31,878
1セット(3000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 113 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 0.9V最大パワー消費 = 1.4 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V長さ = 3mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、12 V → 25 V、Diodes Inc
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET30 V 5.8 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンDiodesZetex¥29,980税込¥32,978
1セット(3000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 720 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、30 V、Diodes Inc
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET30 V 3.8 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンDiodesZetex¥42,980税込¥47,278
1セット(3000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 120 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 1.08 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 V、Diodes Inc
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET20 V 6.5 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンDiodesZetex¥39,980税込¥43,978
1セット(3000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 36 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 0.9V最大パワー消費 = 1.3 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V, +12 V長さ = 3mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、12 V → 28 V、Diodes Inc
DiodesZetex トランジスタ, PNP, 表面実装, -200 mA, DMMT5401-7-FDiodesZetex¥49,980税込¥54,978
1セット(3000個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -150 Vパッケージタイプ = SOT-26実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 60トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -160 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc
DiodesZetex トランジスタ, PNP, 表面実装, -200 mA, DMMT3906W-7-FDiodesZetex¥48,980税込¥53,878
1セット(3000個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 250 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc
DiodesZetex 整流ダイオード, シリーズ, 350mA, 40V 表面実装, 6-Pin SOT-26 ショットキー 600mVDiodesZetex¥74,980税込¥82,478
1セット(3000個)
5日以内出荷
実装タイプ 表面実装パッケージタイプ SOT-26最大連続 順方向電流 350mAピーク逆繰返し電圧 40Vダイオード構成 シリーズ整流タイプ ショットキー整流器ダイオードタイプ ショットキーピン数 6最大順方向降下電圧 600mV1チップ当たりのエレメント数 4ダイオードテクノロジー ショットキーピーク逆回復時間 10nsピーク非繰返し順方向サージ電流 1.5ADiodesZetex ショットキーバリアダイオード 300mA 1A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この2端子デバイスは、同等のショットキーダイオードより順方向電圧( VF )が低くなっています。PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えています。
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET20 V 630 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンDiodesZetex7日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 630 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 350 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V長さ = 3mm高さ = 1.1mmNチャンネルMOSFET、12 V → 28 V、Diodes Inc
整流ダイオード 2A 100V 表面実装 2-Pin SOD123FAEC-Q101 830mVDiodesZetex¥51,980税込¥57,178
1リール(3000個)
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仕様ダイオード構成:シングル 、 1チップ当たりのエレメント数:1 、 ピーク逆繰返し電圧:100V 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:SOD123F 、 ピン数:2 、 最大順方向降下電圧:830mV 、 長さ:2.8mm 、 幅:1.9mm 、 高さ:1.15mm 、 動作温度 Min:-55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
『制御機器/はんだ・静電気対策用品』には他にこんなカテゴリがあります
残留電荷放電棒HASEGAWA税込¥64,878¥58,980