仕様自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)6
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)1.6
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)4
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、+12
トランジスタ構成シングル
1箱(20個)
¥1,398
税込¥1,538
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:0.1666666667●標準ゲートチャージ @ Vgs:6 nC @ 5 V
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)6
RoHS指令(10物質対応)対応
特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)1.6
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)75
最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 , +25
トランジスタ構成シングル
仕様ハイサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)8
極性非反転
RoHS指令(10物質対応)対応
出力電流0.166666667
供給電圧(V)20
パッケージSOP
実装タイプ表面実装
ブリッジタイプハーフブリッジ
ドライバ数1
トポロジーハイサイド
出力数1
1箱(5個)
¥1,698
税込¥1,868
5日以内出荷
仕様ダイオードテクノロジー:シリコンジャンクション
寸法(mm)29×29×11.23
高さ(mm)11.23
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)対応
特性UL E-258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 35シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流35 A ガラス不動態化ジャンクション 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化 ファストン端子
回路構成シングル
パッケージGBPC
実装タイプスクリュー マウント
ピーク平均順方向電流(A)35
ピーク逆繰返し電圧(V)400
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)400
ピーク逆電流(μA)500
ピーク順方向電圧(V)1.1
最大動作温度(℃)150
最小動作温度(℃)-55
1箱(2個)
¥2,398
税込¥2,638
5日以内出荷
直径(Φmm)1.91
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(構成)シングル
整流方式小信号
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
ピーク逆繰返し電圧(V)150
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)4
ピーク逆回復時間(μs)3
最大連続順方向電流(mA)200
1箱(50個)
¥769
税込¥846
翌々日出荷
仕様ULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流
寸法(mm)8.51×6.5×2.6
高さ(mm)2.6
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)対応
回路構成シングル
パッケージSDIP
実装タイプ表面実装
ピーク平均順方向電流(A)1.5
ピーク逆繰返し電圧(V)400
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50
ピーク逆電流(μA)500
ピーク順方向電圧(V)1.1
最大動作温度(℃)150
最小動作温度(℃)-55
1箱(5個)
¥729
税込¥802
5日以内出荷
仕様オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力 リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途
タイプ入力電流:AC
チャンネル数1
ピン数(ピン)6
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール実装
出力デバイスフォトトランジスタ
最大順方向電圧(V)1.5
最大入力電流(mA)60
最大電流変換率(%)1
絶縁電圧(V)7500 ac
1箱(10個)
¥599
税込¥659
5日以内出荷
仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor
直径(Φmm)1.5
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式汎用
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)1.25
ピーク逆繰返し電圧(V)200
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)4
ピーク逆回復時間(ns)50
最大連続順方向電流(mA)200
仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor
直径(Φmm)1.91
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式小信号
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)1
ピーク逆繰返し電圧(V)100
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)4
ピーク逆回復時間(ns)4
最大連続順方向電流(mA)500
仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor
直径(Φmm)1.91
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式汎用
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)1
ピーク逆繰返し電圧(V)125
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)4
ピーク逆回復時間(ns)400
最大連続順方向電流(mA)200
1箱(200個)
¥2,298
税込¥2,528
5日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)300
最大パワー消費(mW)625
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)300
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)500
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)50
1箱(50個)
¥2,198
税込¥2,418
5日以内出荷
仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式スイッチング
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)1
ピーク逆繰返し電圧(V)100
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)4
ピーク逆回復時間(ns)4
最大連続順方向電流(mA)300
仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor
直径(Φmm)1.91
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式小信号
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)1
ピーク逆繰返し電圧(V)200
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)4
ピーク逆回復時間(ns)50
最大連続順方向電流(mA)500
1箱(200個)
¥2,398
税込¥2,638
5日以内出荷
ピン数(ピン)6
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大パワー消費(W)2.4
1箱(25個)
¥2,798
税込¥3,078
7日以内出荷
ピン数(ピン)6
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大パワー消費(W)2.4
トランジスタ構成シングル
1箱(25個)
¥2,198
税込¥2,418
7日以内出荷
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