23ページ目: 架台/スタンド/ホルダー類
商品豆知識
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
中枠の色を変えることにより、サンプルや使用者ごとの専用保存ラックとして使用できます。、中枠間仕切がスクエアーなので各メーカーのチューブの保存が可能です。、積み重ねができます。、サンプルの管理に便利な座標番号つきです。、カラーは5色とアソートタイプがあります。(赤・黄・紺・緑・白)
中枠の色を変えることにより、サンプルや使用者ごとの専用保存ラックとして使用できます。、中枠間仕切がスクエアーなので各メーカーのチューブの保存が可能です。、積み重ねができます。、サンプルの管理に便利な座標番号つきです。、カラーは5色とアソートタイプがあります。(赤・黄・紺・緑・白)
サイズに合わせて上下逆さまに使用していただくと、様々な大きさのフラスコに対応することが出来ます。、柔らかい材質を使用しており、フラスコ設置面にある上下それぞれ8本の凸型節目は表面状態を問わずフラスコを安定させます。
サンプルの管理に便利な座標番号つきです。、カラーは9色あります。(ナチュラル・青・緑・赤・オレンジ・紫・黒・黄・ピンク)
仕様●1.5/2.0mLチューブ適合●材質：ポリプロピレン●縦×横×高さmm：66×227×27●穴寸法：Φ11
0.1/0.2mLチューブ、8連/12連チューブが使用できます。
仕様●材質：フタ・底：ポリカーボネート 中枠：ポリプロピレン●縦×横×高さmm：82×118×40●0.1/0.2mLチューブ/8連/12連チューブ用※PCR用96ウェルプレートは使用できません。※適合チューブについてのご注意 一部、8連・12連キャップの長さによっては、キャップがフタにあたり、閉められない場合がございます。保存する8連・12連キャップの全長をご確認ください。[フタ内寸]縦78×横114mm●オートクレーブ対応●使用温度：-80℃～121℃
積み重ねができます。、サンプルの管理に便利な座標番号つきです。、フタ部分に書き込みスペースがあります。、カラーは5色あります。(ナチュラル・青・緑・オレンジ・ピンク)
仕様●材質：ポリプロピレン●縦×横×高さmm：131×131×45●穴寸法mm：12.9×12.9●0.5/1.5/2.0mLチューブ用●オートクレーブ対応●使用温度：-90℃～121℃
高品質の単結晶SiCウェハ
仕様●結晶タイプ： 4H-SiC●導電型/ドーパント： Nタイプ、窒素●グレード： プロダクション●直径： 149.5mm～ 150.0mm (6インチ)●厚さ： 350 μm±25 μm●オフ角度： ＜11-20 ＞に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD)： 2 個/cm-2 以下●比抵抗値： 0.015～0.024Ω-cm●オリフラ： {10-10} ±5.0°、長さ47.5 mm ± 2.0 mm●エッジ除外領域(EE)： ウェハ端から3mm●反り： LTV≦2.5μm、TTV≦6μm、BOW≦25μm、WARP≦35 μm●表面仕上げ： 両面CMP (Si面 Ra≦0.2 nm)●エッジクラック： 無●結晶多形： 無●エッジチッピング： 幅かつ長さ0.2mm以上のものは無●レーザーマーク： C面(裏面)側に有り●梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包
アズワン品番68-4088-75
1枚
￥159,800
税込￥175,780
5日以内出荷
高品質の単結晶SiC半絶縁ウェハ
仕様●ポリタイプ： 4H-SiC●サイズ： Φ4inch(99.5-100mm)●グレード： ZMP(プライムグレード相当)●厚さ： 500 μm +- 25μm●オフ角： ＜0001＞ on-axis +/-0.5°●オリフラ付： {10-10}に平行して+/-0.5°●長さ：32.5 +/- 2mm●マイクロパイプ密度： 1個以下/cm2●比抵抗値： ≧1E 10 Ω・cm●仕上げ： Si面→CMP、C面→ 光学鏡面●梱包：シングルケース
アズワン品番68-4088-74
1枚
￥239,800
税込￥263,780
5日以内出荷
高品質の単結晶SiCアズスライスウエハ
仕様●結晶タイプ： 4H-SiC●導電型/ドーパント： Nタイプ、窒素●グレード： ダミーグレード●直径： 149.5mm～ 150.0mm (6インチ)●厚さ： 450 μm±15 μm●レーザーマーク： C面(裏面)側に有り●梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包
アズワン品番68-4088-76
1枚
￥95,980
税込￥105,578
6日以内出荷
高品質の単結晶GaN基板
仕様●直径：100 ± 0.2mm●厚さ：4.5 ± 0.5μm●GaN面方位：A軸に対して、C面(0001) 0.2±0.1°オフ●GaN面オリフラ：(1-100) 0±0.2°。長さ 30± 1mm●タイプ：N型(ノンドープ)"●抵抗率(300K)：＜ 0.5Ω・cm●キャリア濃度：≦2×10～17 cm‐3●移動度：＞300cm2/V-s●基板構造：サファイア上にGaN( ～4.5μm uGaN/ ～25 nm uGaN buffer / 650 ±25μm sapphire)●転移密度：5×10～8cm-2以下●研磨： SSP(前面エピ研磨)●使用可能面積： ＞90% (エッジ及びマクロ欠陥を除く)●梱包形態：クリーンルームで包装。シングルケースに1枚毎に梱包
アズワン品番68-4088-80
1枚
￥129,800
税込￥142,780
8日以内出荷
高品質の単結晶GaN基板
仕様●直径：50.8 ±0.2 mm●厚さ：4.5 ± 0.5μm●GaN面方位：A軸に対して、C面(0001) 0.2±0.1°オフ●GaN面オリフラ： (1-100) 0±0.2°。長さ 16 ± 1mm●タイプ：N型(ノンドープ品)"●抵抗率(300K)：＜ 0.5Ω・cm●キャリア濃度：≦2×10^17 cm‐3●移動度：＞300cm2/V-s●基板構造：サファイア上にGaN( ～4.5μm uGaN/ ～25 nm uGaN buffer / 430 ±25μm sapphire)●転移密度：5×10～8cm-2以下●研磨：SSP(前面エピ研磨)●使用可能面積：＞90% (エッジ及びマクロ欠陥を除く)●梱包形態：クリーンルームで包装。シングルケースに1枚毎に梱包
アズワン品番68-4088-79
1枚
￥61,980
税込￥68,178
6日以内出荷
高品質の単結晶SiCウェハ
仕様●結晶タイプ： 4H-SiC●導電型： Nタイプ●グレード： ダミー●直径： 200.0mm ± 0.2mm (8インチ)●厚さ： 500 μm±25 μm●オフ角度： [11-20]に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD)： 10 個/cm-2 以下●比抵抗値： 0.015～0.028Ω-cm (75%面積)●ノッチ方位： [1-100]±5.0°、深さ 1.0～1.5mm●面方位： {0001}± 0.2°●反り： LTV≦10μm(10*10mm2)、TTV≦15 μm、BOW≦65μm、WARP≦70 μm●表面仕上げ： 両面CMP、Si面Epi Ready (Si面 Ra≦0.5 nm)●エッジクラック： N/A●結晶多形： 累積面積≦5%●エッジチッピング： N/A●レーザーマーク： C面(裏面)側に有り●梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包
アズワン品番68-4088-78
1枚
￥949,800
税込￥1,044,780
5日以内出荷
高品質の単結晶SiCウェハ
仕様●結晶タイプ： 4H-SiC●導電型/ドーパント： Nタイプ、窒素●グレード：ダミーグレード●直径： 150.0mm± 0.2mm (6インチ)●厚さ： 350 μm±25 μm●オフ角度： [11-20]に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD)： 2 個/cm2 以下●比抵抗値： 0.015～0.028Ω-cm●オリフラ： // [11-20] ± 5.0°、長さ47.5 mm ± 2.0 mm●エッジ除外領域(EE)： ウェハ端から3mm●反り： LTV≦5μm、TTV≦15 μm、BOW≦40μm、WARP≦60 μm●表面仕上げ： 両面CMP、Si面Epi-ready (Si面Ra≦0.2 nm、C面Ra≦0.5 nm)●エッジクラック： N/A●結晶多形： 累積面積≦5%●エッジチッピング： 2 個以下、各々1mm 以内●XRD半値幅： ≦60 arcsec●表面パーティクル： 0.3μm ≦30個●表面金属不純物： Al/Cr/Fe/Ni/Cu/Zn/pb/V/Mn/NA/Ca/K/Mg≦5E10atoms●レーザーマーク： C面(裏面)側に有り●梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包
アズワン品番68-4088-73
1枚
￥119,800
税込￥131,780
6日以内出荷
高品質の単結晶SiCアズスライスウエハ
仕様●結晶タイプ： 4H-SiC●導電型/ドーパント： Nタイプ、窒素●グレード： プロダクショングレード●直径： 4インチ●厚さ： 480 μm±15 μm●オフ角度： ＜11-20 ＞に対して4°±0.5°●レーザーマーク： C面(裏面)側に有り●梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包
アズワン品番68-4088-77
1枚
￥76,980
税込￥84,678
6日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●グレード：ダミーグレード●タイプ：4H●Surface orientation error：＜11-20＞4±0.5 °●ドーパント：N型 Nitrogen●抵抗率：0.015～0.025 ohm・cm●直径：200.0±0.2mm●厚み：500±25 μm●主要ノッチ方位：[1-100]±5 °●主要ノッチ深さ：1-1.5 mm●セカンドオリフラ：None●LTV：≦10(10mm×10mm)μm●TTV：≦15μm●Bow：0±65μm●Warp：≦70μm●(AFM)Front(Si-face)Roughness：Ra≦0.2 nm●マイクロパイプ：≦50ea/cm●金属不純物：NA●TED：NA●BPD：NA●TSD：NA●＜表面状態＞●フロントサイド：Si●面状態：Si-face CMP●パーティークル：NA●スクラッチ：NA●＜裏面状態＞●面状態：C-face polished●スクラッチ：NA ea/mm●裏面粗さ：Ra≦5 nm●レーザーマーク：On●エッジ：Chamfer●Notes："NA" =不問。Items not metioned may refer to SEMI-STD●数量：1枚(1箱)●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
アズワン品番67-3018-45
1箱(1枚)
￥454,000
税込￥499,400
23日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●6インチLNウェハ●結晶方位：Y127°●厚み：350±25μm●面状態：両面ポリッシュ●数量：1枚(1箱)●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
![2インチINPウェハ 研究用[S-C-N/S 100 ]片面ポリッシュ アズワン](http://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/middle/mono84411935-241017-02.jpg)
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
鮮明で滲みにくく、防水性・速乾性に優れているため、プラスチックチューブやカップなどへの書き込みに最適
仕様●サイズ(直径×長さ)：13×133mm●カラー(本体)：ブラック●入数：1本
アズワン品番68-4033-91
1本
￥1,698
税込￥1,868
8日以内出荷
ガラスを傷つけることなくワンタッチでぴったりフィットします
サイズごとに色分けされています
錆びたり変形したりしません
融点は170℃(150℃までは安全です)
強酸やハロゲンには使用できません
仕様●材質：POM(ポリアセタール)●耐熱温度：150℃●適合スリ部上径(Φmm)：45●カラー：ブラック
アズワン品番68-2015-21
1セット(10個)
￥7,790
税込￥8,569
5日以内出荷
『研究関連用品・実験用必需品』には他にこんなカテゴリがあります
研究関連用品・実験用必需品 の新着商品
申し訳ありません。通信エラーのため受信申し込みに失敗しました。お得なメールマガジンを受信するにはメールマガジンの登録方法をご覧ください。