「スイッチング トランジスタ」の検索結果

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 15 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V dc。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 75 W。最小DC電流ゲイン = 20。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 70 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 kHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.53 x 4.83 x 15.75mm。15 A 、 80 V PNP バイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計されています。2N6487 、 2N6488 ( NPN )、及び 2N6490 、 2N6491 ( PNP )は、コンプリメンタリデバイスです。DC 電流ゲインは 15 A に指定 --hFE = 20-150 @ IC = 5.0 ADC 、 hFE = 5.0 (最小) @ IC = 15 ADC コレクタ - エミッタ維持電圧 -- VCEO ( sus ) = 60 V dc (最小) - 2N6487 、 2N6490 、 VCEO ( sus ) = 80 V dc (最小) - 2N6488 、 2N6491 高電流ゲイン -- 帯域幅積フィート = 5.0 MHz (最小) @ IC = 1.0 ADC TO-220AB コンパクトパッケージ 鉛フリーパッケージを用意 用途 汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計されています

トランジスタの機能の一部であるスイッチング動作に的を絞った原理学習キットです。

LEDの明るさや点滅間隔を簡単に調節できる、LED点灯基板キットです。 赤色LED(Φ5mm)が1個付属しています。 組み込みしやすい小型基板です。 同じ型番のLEDを最大3個まで取り付けられます。 調光・点滅A・点滅B・ランダム点滅の4つのモードから好みの1つを選んで組み立てます。 調光：ボリュームで明るさを調節 点滅A：ピカッピカッっと点滅し、ボリュームで点滅間隔を調節 点滅B：ジワージワーと点滅し、ボリュームで点滅間隔を調節 ランダム点滅：キャンドルの炎のゆらぎのように明暗が不規則に変化

DINレール取りつけに対応。 鉛フリーはんだ対応。(エコラベル認定商品)

小型ブレッドボード(MODEL SAD-101)と組み立てに必要な部品がセットになっています。 ブレッドボードに部品を差し込むだけで、ハンダ付けをすることなく電子工作が楽しめます。 わかりやすい取扱説明書が付いていますので、初心者の方でも簡単に組み立てることができます。 完成後は、別売のブレッドボード互換ユニバーサル基板(MODEL UB-BRD01)を使えば部品をハンダ付けすることもできます。 学校の実習・実験用教材としても最適です。

トランジスタ2石によるフリップフロップ回路で2個のLEDが交互に点滅します。パーツ点数が少ないので、初心者でも簡単に製作することができます。LEDは超高輝度タイプを使用しているので、とてもよく光ります。

パッケージタイプ = TO-3P。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 500 W。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 16.2 x 5 x 18.9mm。UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( ON ) = 56 m Ω (最大) @ VGS = 10 V 、 ID = 29.5 A 低ゲート電荷量(標準) 77 nC ) 低 CRSs (標準) 80 pF ) 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

パッケージタイプ = TO-3P。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 312 W。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 16.2 x 5 x 18.9mm。UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( ON ) = 70 m Ω (標準) @ VGS = 10 V 、 ID = 19 A 低ゲート電荷量(標準) 60 nC ) 低 CRSs (標準) 60PF ) ESD改善機能 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 30 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。ダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計され、デバイスの取り付け面をヒートシンク又はシャーシから電気的に絶縁する必要があります。電気的に普及した TIP122 および TIP127 に類似しています 100 VCEO ( sus ) 定格コレクタ電流： 5 A 分離ワッシャは不要です システムコストの削減 高 DC 電流ゲイン： 2000 (最小) @ IC = 3 ADC 鉛フリーパッケージを用意

トランジスタタイプ = PNP。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 65 W。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.53 x 4.83 x 9.28mm。6 A 、 100 V PNP バイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計されています。BD243B 、 BD243C ( NPN )、 BD244B 、 BD244C ( PNP )はコンプリメンタリデバイスです。コレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE (飽和) = 1.5 V dc (最大) @ IC = ADC コレクタエミッタ持続電圧 - VCEO ( sus ) = 80 V dc (最小) BD243B 、 BD244B VCEO ( us ) = 100 V dc (最小) - BD243C 、 BD244C 高電流ゲイン帯域幅製品フィート = 3.0 MHz (最小) @ IC = 500 mAdc コンパクトな TO-220 AB パッケージ 鉛フリーパッケージを用意

パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 235 W。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( on ) = 265 m Ω (最大) @ VGS = 10 V 、 ID = 9 A 低ゲート電荷量(標準) 45 nC ) 低 CRSs (標準) 25 pF ) 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。 LCD / LED / PDP TV 照明 無停電電源

トランジスタタイプ = PNP。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -200 V。パッケージタイプ = SOT-93。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 150 W。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。ダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ、低周波数スイッチング、モータ制御用途として使用するように設計されています。MJH11017 、 MJH11019 、 MJH11021 ( PNP )、 MJH11018 、 MJH11020 、 MJH11022 ( NPN )は、コンプリメンタリデバイスです。高 DC 電流ゲイン @ 10 ADC - hFE = 400 分(すべてのタイプ) コレクタ - エミッタ維持電圧 VCEO ( sus ) = 150 V dc (最小) MJH11018 、 17 VCEO ( sus ) = 200 V dc (最小) - MJH11020 、 19 VCEO ( sus ) = 250 V dc (最小) - MJH11022 、 21 低コレクタ - エミッタ飽和電圧 VCE (飽和) = 1.2 V (標準) @ IC = 5.0 A VCE (飽和) = 1.8 V (標準) @ IC = 10 A モノリシック構造 鉛フリーパッケージを用意

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V dc。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 40 W。最小DC電流ゲイン = 10。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。このバイポーラトランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途で使用するように設計されています。TIP31 、 TIP31A 、 TIP31B 、 TIP31C 、( NPN )、 TIP32 、 TIP32A 、 TIP32B 、 TIP32C 、( PNP )は相補的な装置ですコレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE ( sat ) = 1.2 V dc (最大) @ IC = 3.0 ADC コレクタ - エミッタ維持電圧 - VCEO (調査) = 60 V dc (最小) - TIP31A 、 TIP32A = 80 V dc (最小) - TIP31B 、 TIP32B = 100 V dc (最小) - TIP31C 、 TIP32C 高電流ゲイン帯域幅製品フィート = 3.0 MHz (最小) @ IC = 500 mAdc コンパクトな TO-220 AB パッケージ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.5 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。NPN バイポーラトランジスタは、リニア用途やスイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、中電力の表面実装用途向けに設計された SOT-223 パッケージに収められています。鉛フリーパッケージを用意

小型標準パッケージサイズ高い信頼性IR及び可視エミッタに最適高感光性高速スイッチング時間用途IRセンサIRタッチパネルソリューションセキュリティシステム

PINフォトダイオード-T-13/4(5mm)パッケージ。SRAMOptoSemiconductorsのPINフォトダイオードファミリは、標準のT-13/4(5mm)スルーホールパッケージに収められています。1x1mm2の放射検出面積があります。T-13/4パッケージのフォトダイオードは、短いスイッチング時間を実現します。高速フォトインタラプタ、産業電子機器、制御及び駆動回路などに最適です。

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.3V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3.2μs。最大入力電流 = 200 mA。絶縁電圧 = 2500 V ac。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 100%。標準降下時間 = 4.7μs。シリーズ = MOCD。特殊機能 = 厳密に適合する電流伝送率、フィードバック制御回路、汎用スイッチング回路。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

Wurth Elektronik WL-TDRB は、黒色レンズ付きのスルーホール丸型フォトダイオードです。5 mm 長のフォトダイオード検出器で、昼光フィルタを備えています。Peak Wavelength：940 高い信頼性 高速スイッチング時間 低消費電力 高感度

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。NPN バイポーラトランジスタは、リニア用途やスイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、中電力用途向けに設計された TO-92 パッケージに収納されています。鉛フリーパッケージを用意