「ツェナーダイオード 18v」の検索結果

高耐圧のPN接合型整流素子です。チップ構造についてメーカー独自の化学的物理的に安定したガラスパッシベーションを使用しており、耐湿性、耐熱性に優れた構造です。

定電流ダイオードCRD(Current Regulative Diode)は、小型で、安定した定電流特性を 供給する素子です。 定電流ダイオードCRD Eシリーズは、DO-35 スタイルのDHD(Double Heatsink Diode)構造です。 気密封止で高信頼性、部品材料が安価で量産性に優れている。DO35(300mW)パッケージを使用した小型素子。 これにより、定格電流20mAの高輝度LEDの輝度安定用として定格電流を超えない 一定電流を単一の部品で供給することが可能です。

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 3 W。パッケージタイプ = SMB。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20.8mA。最大ツェナーインピーダンス = 12Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 4.6 x 3.95 x 2.28mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード3 W、1SMB59xxBシリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 7mA。最大ツェナーインピーダンス = 21Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm。動作温度 Max = +200 ℃。ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 7mA。最大ツェナーインピーダンス = 21Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MMBZ52xxBシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 212Ω。最大逆漏れ電流 = 45nA。寸法 = 1.7 x 1.3 x 1mm。動作温度 Min = -65 ℃V。MM3Z18VB ： 18.0 V 、 200 mW 2 % ツェナー、 SOD323F広いツェナー電圧範囲選択範囲： 2.4 → 75 V ± 2 % の VZ 許容差選択( B シリーズ) 超小型で薄型の SMD パッケージ つや消しスズ( Sn )仕上げ、鉛フリー

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-213AB。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 14mA。最大ツェナーインピーダンス = 20Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.6 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 50Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm。標準電圧温度係数 = 0.07%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 170Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm。動作温度 Max = +175 ℃%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 14mA。最大ツェナーインピーダンス = 20Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 5.73V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-523。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 200 Ω @ 1 mA， 40 Ω @ 5 mA。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm。動作温度 Min = -65 ℃mA。このシリーズのツェナーダイオードは、 SOD-523 表面実装パッケージに収められています。電圧調整保護を提供するように設計されており、スペースが限られている場合に特に魅力的です。携帯電話、携帯型ポータブル、高密度 PC ボードなどの用途に最適です。標準ツェナー降伏電圧範囲： -2.4 → 18 V 定格安定状態： 500 mW 小型ボディ外形寸法： 0.047 x 0.032 ( 1.20 mm x 0.80 mm ) 低いボディ高： 0.028 ( 0.7 mm ) >人体モデルごとにクラス 3 ( 16 kV )の ESD 定格を備えています 許容差 VZ 鉛フリーデバイス 用途 携帯電話、携帯型ポータブル、高密度 PC ボード

IEC61000-4-2レベル4。SMTトランジェントサプレッサ - EZJZシリーズ。パナソニックEZJZ積層バリスタは、高性能半導体セラミック製で、ESD抑制に優れています。 この積層バリスタは、バイポーラ型(無極性)で、1つのコンデンサと2つのツェナーダイオードを交換することができます。超低静電容量 IEC61000-4-2レベル4規格に適合する高い静電気耐性 鉛フリー

IEC61000-4-2レベル4。SMTトランジェントサプレッサ-EZJZシリーズ。パナソニックEZJZ積層バリスタは、高性能半導体セラミック製で、ESD抑制に優れています。この積層バリスタは、バイポーラ型(無極性)で、1つのコンデンサと2つのツェナーダイオードを交換することができます。超低静電容量IEC61000-4-2レベル4規格に適合する高い静電気耐性鉛フリー端子電極は、はんだ付け性に優れていますが、フローはんだ付けは避けてください。2つのアレイで複数のラインに対応積層構造。用途。このバリスタは、高速信号ライン及びESD抑制に適しています。最適な用途には、HDMI高速データバス、USB2.0/IEEE1394インターフェイスなどがあります。