「デジタルトランジスタ」の検索結果

Phoenix Contact Radioline-I/O 拡張モジュールは、8 つのデジタルトランジスタ出力を備えています。サムホイールで簡単に起動 ゾーン 2 での使用が承認されています

デジタルファイバセンサ。有機ELディスプレイ搭載。FX-250 SERIES。文字表現のディスプレイ 操作性を向上させる ”読める” 設定画面。10 0段階の入光量調整 。入光量を100段階で調整できるため、近距離設置や透明体、微小ワークの検出などで入光量が飽和する場合でも、柔軟に最適な入光量に調整でき、安定した検出を実現します。高速応答35μs 応答時間は5パターンから設定でき、幅広いアプリケーションに対応。スマートティーチング ティーチングと飽和回避を同時に実行 わずか2プッシュのティーチングで、飽和回避も同時に実現します。別途投光量調整の必要がなく、工数の削減に貢献します。

トランジスタタイプ = NPN/PNP。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。トランジスタ構成 = 絶縁型。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。標準抵抗比 = 1mm。デュアル抵抗デュアルデジタルトランジスタ、ON Semiconductor

デジタルファイバセンサ。有機ELディスプレイ搭載。FX-250 SERIES。文字表現のディスプレイ 操作性を向上させる ”読める” 設定画面。10 0段階の入光量調整 。入光量を100段階で調整できるため、近距離設置や透明体、微小ワークの検出などで入光量が飽和する場合でも、柔軟に最適な入光量に調整でき、安定した検出を実現します。高速応答35μs 応答時間は5パターンから設定でき、幅広いアプリケーションに対応。スマートティーチング ティーチングと飽和回避を同時に実行 わずか2プッシュのティーチングで、飽和回避も同時に実現します。別途投光量調整の必要がなく、工数の削減に貢献します。

トランジスタタイプ = NPN/PNP。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。トランジスタ構成 = 絶縁型。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mm。デュアル抵抗デュアルデジタルトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 256 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。標準抵抗比 = 0.047mm。デュアル抵抗デュアルデジタルトランジスタ、ON Semiconductor

Omron NX-OD2154 は、デジタルトランジスタ出力ユニットです。定格供給電圧は 24 V dc です。接続用ねじなしクランプ Terminal Block を備えています。取り外し可能な端子でメンテナンスが簡単 ねじなしプッシュイン Plus Terminal Block 又は MIL / Fujitsu コネクタにより、速度が向上します インストール 幅 12 mm/ ユニットのコンパクト(コネクタタイ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 400 mW。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。標準抵抗比 = なしmm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. シングル抵抗デジタルトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 400 mW。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. シングル抵抗デジタルトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN/PNP。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 385 mW。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。このシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 250 mW。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。このシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー