「デジトラ」の検索結果

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KSC1815YTA ON Semiconductor NPN トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin TO-92

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 400 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

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￥2,298 税込￥2,528

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BC33740TA ON Semiconductor NPN トランジスタ， 45 V， 800 mA， 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ， 45 V， 800 mA， 3-Pin TO-92

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 170トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

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￥229 税込￥252

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ON Semiconductor NPN トランジスタスルーホール ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタスルーホール

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￥289～税込￥318～

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RN2105(F) Toshiba PNP デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 2.2 kΩ， 3-Pin ESM 東芝

東芝Toshiba PNP デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 2.2 kΩ， 3-Pin ESM

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = PNP1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 2.2 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.047動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ RoHS指令(10物質対応)対応

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￥119 税込￥131

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PDTC114YU，115 NXP NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin UMT nexperia

nexperiaNXP NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin UMT

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMTピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.1 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 0.21、1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応

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￥819 税込￥901

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MMUN2211LT3G ON Semiconductor NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin SOT-23 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin SOT-23

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V標準抵抗比 = 1幅 = 1.3mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

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￥309 税込￥340

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RN1105(F) Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 2.2 kΩ， 3-Pin ESM 東芝

東芝Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 2.2 kΩ， 3-Pin ESM

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 2.2 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.047幅 = 0.8mm抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ RoHS指令(10物質対応)対応

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￥119 税込￥131

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東芝トランジスタ(バイポーラ)

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￥599～税込￥659～

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DTC013ZUBTL ROHM NPN 抵抗器内蔵型トランジスタ， 50 V， 100 mA， 1 kΩ， 3-Pin SOT-323FL ROHM

ROHMROHM NPN 抵抗器内蔵型トランジスタ， 50 V， 100 mA， 1 kΩ， 3-Pin SOT-323FL

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 1 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323FLピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30最大パワー消費 = 200 mW標準抵抗比 = 10構成 = シングル長さ = 2.1mmデュアル抵抗内蔵デジタルNPNトランジスタ、ROHM RoHS指令(10物質対応)対応

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￥3,500 税込￥3,850

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RN1106(F) Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 3-Pin ESM 東芝

東芝Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 3-Pin ESM

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ

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￥119 税込￥131

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RN1107(F) Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin ESM 東芝

東芝Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin ESM

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V標準抵抗比 = 0.21、1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥119 税込￥131

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RN1108(F) Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 22 kΩ， 3-Pin ESM 東芝

東芝Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 22 kΩ， 3-Pin ESM

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 22 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V標準抵抗比 = 0.47動作温度 Max = +150 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥179 税込￥197

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RN2104(F) Toshiba PNP デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 47 kΩ， 3-Pin ESM 東芝

東芝Toshiba PNP デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 47 kΩ， 3-Pin ESM

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = PNP1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 47 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1幅 = 0.8mm抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥119 税込￥131

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ROHMROHM NPN トランジスタ

1袋(150個)ほか

￥1,898 税込￥2,088

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RN1101(F) Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 3-Pin ESM 東芝

東芝Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 3-Pin ESM

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥119 税込￥131

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PDTC114ET，215 Nexperia NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.15 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応

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￥609 税込￥670

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Taiwan Semiconductor NPN トランジスタスルーホール TAIWAN SEMICONDUCTOR

TAIWAN SEMICONDUCTORTaiwan Semiconductor NPN トランジスタスルーホール

エコ商品

RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(250個)ほか

￥3,798～税込￥4,178～

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nexperiaNXP NPN 抵抗内蔵トランジスタ 50 V

1袋(50個)ほか

￥569～税込￥626～

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RN1501(TE85L，F) Toshiba デュアル NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 5-Pin SSOP 東芝

東芝Toshiba デュアル NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 5-Pin SSOP

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 2最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩベースエミッタ抵抗器 = 4.7kΩパッケージタイプ = SSOPピン数 = 5最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = コモンエミッタ最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Max = +150 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、2-in-1 SMV、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応