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1液性硬質ウレタンフォーム・ガンタイプです。 隙間充填用です。倒立使用品です。 【ノンフロンタイプ】1液性ウレタン・スタンダードタイプは発泡剤(ガス)としてフロンガスを使用しない、環境にやさしいノンフロンタイプです。 【自己消火性】硬化したフォームには自己消火性(建材試験センターにてJISA9511燃焼性試験適合)がありますので、作業上も安全です。 【フォームに色】現場発泡吹き付け断熱工事の補修用にも適するように、フォームの色をライトピンクとしています。 【再利用可能】液の吐出量が調整できるガンタイプ。専用ガンの調整弁を回すことで吐出量の調整ができ、無駄なく作業を行うことができます。残量があっても、缶にガンを付けたまま保管すれば1か月をメドに再利用が可能です。

発泡プラスチック保温材A種押出法ポリスチレンフォーム保温板1種b 熱を伝えにくい 水を吸収しない 軽くて、丈夫 優れた断熱性能 加工が簡単 リサイクルが可能 安定した品質と供給

1液性簡易発泡硬質ウレタンフォーム・スタンダード商品の1液性ストローノズルタイプです。隙間充填用です。360度回転使用可能です。【ノンフロンタイプ】1液性ウレタン・スタンダードタイプは発泡剤(ガス)としてフロンガスを使用しない、環境にやさしいノンフロンタイプです。【自己消火性】硬化したフォームには自己消火性(建材試験センターにてJISA9511燃焼性試験適合)がありますので、作業上も安全です。【フォームに色】現場発泡吹き付け断熱工事の補修用にも適するように、フォームの色をライトピンクとしています。【再利用可能】ストローノズルタイプの#343はノズルを折りたたんで保管すれば再利用が可能ですのでコスト効率が向上します(但し、次回使用までの期間は1ヶ月をメドとしてください)。

アクリアは、一般のグラスウールに比べ細い繊維で構成された高性能グラスウールです。グラスウールは細い繊維が絡み合ってできている小部屋に空気を閉じ込めることで熱の伝わりをおさえています。繊維の細いグラスウールを使うことで、同じ厚みでも断熱性能をアップさせることができます。 上下面切り放しの4面パックです。14K 155mm品と24K 50mm品は6面パックの"フルパック仕様"です。

壁・天井用の密度10Kの断熱材 防湿フィルムは施工に便利な耳付き。グラスウールから簡単にはがすことができるので、幅詰めも容易で隙間のない正しい断熱施工ができます。 6面パックのフルパック仕様です。

あらゆる衝撃から商品や人体を保護。 水や音を通さない、気密性に富んだ緩衝剤です。 ポリエチレン樹脂を基材とした独立気泡体。気泡は極めて細かく、柔軟性に富んだソフトな感触です。 各種プラスチックフォームのなかですぐれた緩衝性・断熱性・浮揚性・耐薬品性があります。 (※製造過程にフロンガスを全く使用していないクリーンな発泡体です。遅燃性で、燃焼時にダイオキシンなどの有毒ガスを発生しません) 自動車規格：FMVSS-302適合。

超小型、ハーフインナーイヤー型のワイヤレスイヤホン。片耳わずか3.3gで耳への負担を軽減、手の中、ポケットなどにスッキリ収まり、ライフスタイルに溶け込みます。13mmの大型HiFiダイナミックドライバーを搭載し、低音から高音に至るまでバランスの取れたパワフルなサウンドを生み出します。イヤホン単体で5時間、ケース込みで最大20時間の音楽再生が可能です。低遅延アルゴリズムで動画やゲームの映像から遅延のない音を届けます。アクション映画やサバイバルゲーム、シューティングゲーム、リズムゲームなどにも最適です。

ポリカボネート樹脂製だから耐久性に優れ、大変丈夫です。燃えにくく、安全で、過酷な温度環境にも耐えられます。耐候性に優れ、透明感が長時間保てます。空気層を持つ中空構造だから断熱、保温性に優れています。軽くて施工が容易です。

モニターをマウントできるコンパクトなモニタースタンドです。モニターアームが取り付けられないデスクでも使えます。コンスタントフォース技術により、少ない力でモニターの位置調節が可能です。ガススプリング式のような経年劣化がありません。シンプルなつくりながら、回転やチルトなどの機能を備えています。耐久性と安定性に優れ、保証期間は3年間です。昇降幅は約13cm、工具要らずで無段階に調節できます (24インチ以上のモニターを使用の際は、昇降幅に制限が出ます)。台座の裏にはローラーがついており、270°回転します。モニターを取り付けてから各部の調整を行ってください。組み立て前の状態では各部の調整はできません。

PSoC 4 (ARM Cortex-M0コア)、Cypress. Cypress Semiconductor PSoC 4 (プログラム可能な組み込みシステムオンチップ)ファミリには、ARM Cortex-M0プロセッサが採用されており、4100と4200の製品ファミリのプラットフォームアーキテクチャはどちらもマイクロコントローラと、コンパレータモード付きオペアンプ、デジタルプログラマブルロジック、A/Dコンバータ、通信デバイス、タイミングデバイスを組み合わせた構成になっています。PSoC4プラットフォームでは、設計や新たな用途に対応できるように各コントローラで相互に互換性が保たれています。. 32ビットMCUサブシステム 24 MHz ARM Cortex-M0 CPU (単一サイクル乗算機能搭載) ( PSoC 4100 ファミリ) 48 MHz ARM Cortex-M0 CPU (単一サイクル乗算機能搭載) ( PSoC 4200 ファミリ) 最大32 kBのフラッシュ(読み取りアクセラレータ付) 最大4 kBのSRAM / SRAM+ PSoC 4プラットフォームのメンバーに対応

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

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Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

PチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

NチャンネルパワーMOSFET 40 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

PチャンネルパワーMOSFET 100 V → 150 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

PチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。