さまざまな用途に利用できるフレキシブルなスイッチです。トラックのパワーリフト・電動リフト・介護用リフト・扉の開閉など最適な小型ペンダントスイッチです。コンパクトで片手でも握りやすい大きさです。
スイッチには信頼性の高いツイン接点を採用しています。DC24Vでも確実な操作が行えます。
種類ペンダントスイッチ
定格使用電流(A)2
定格通電電流(A)5
定格使用電圧(V)DC24、AC220
絶縁抵抗(MΩ)100以上
保護等級IP65
定格絶縁電圧(V)AC/DC500
形状防雨形
材質ケース締め付けネジ:鋼(±ねじ)、ケーブルブッシング:EPDM(合成ゴム)/青色、カバー:高衝撃性ABS樹脂/アイボリー(マンセル5Y7/1相当)
材質(ケース)高衝撃性ABS樹脂/アイボリー(マンセル5Y8/1.5相当)
仕様機械的インターロック:端子番号1と2、端子番号3と4の接点間取付
取付姿勢適正なキャブタイヤケーブルで配線されたものをケーブル挿入口が上または下になるように吊下げまたは取り付けること。
周囲温度(℃)-15~+40(ただし、氷結または結露しないこと)
準拠規格JIS C 8201-5-1、JIS C 0920、NECA C 4520、電気用品安全法PSE(適合品)
接続端子M3.5ネジ(圧着端子式)
相対湿度45~85%
耐衝撃(誤動作)100m/s
耐衝撃(耐久)500m/s
耐振動(誤動作)10~55Hz 複振幅1.0mm
耐電圧(V/min)AC2500
付属品ケーブル固定用部品(ケーブル押え×1個、タッピングねじ×2個)
保護構造IP65(JIS C 0920)、電気用品安全法PSE:防雨形
1個
¥3,898
税込¥4,288
3日以内出荷
1個
¥45,980
税込¥50,578
3日以内出荷
1個
¥3,398
税込¥3,738
3日以内出荷
1個
¥20,025
税込¥22,028
7日以内出荷
1個
¥27,980
税込¥30,778
3日以内出荷
1個
¥27,980
税込¥30,778
3日以内出荷
1個
¥8,698
税込¥9,568
3日以内出荷
1個
¥8,698
税込¥9,568
3日以内出荷
1個
¥30,980
税込¥34,078
3日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
ロジックタイプ = NAND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。論理回路 = VHC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14.5 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 24mA。幅 = 4.5mm。MC74VHC00 は、シリコンゲート CMOS 技術で製造された Advanced High Speed CMOS 2 入力 NAND ゲートです。CMOS の低消費電力を維持しながら、同等のバイポーラショットキー TTL に匹敵する高速動作を実現しています。内部回路は、ノイズ耐性に優れ、出力が安定したバッファ出力をはじめとする 3 段階から構成されています。入力は最大 7 V の電圧に耐え、 5 V システムのインターフェイスを 3 V システムに対応できます。高速: tpd = 3.7 ns (標準) @ VCC = 5 V 低消費電力: ICC = 2 μ A (最大) @ TA = 25 C 高ノイズ耐性: VNIH = VNIL = 28 % VCC 入力にパワーダウン保護機能を実現 平衡伝搬遅延 2 → 5.5 V の動作範囲に対応する設計です 低ノイズ: VolP = 0.8 V (最大) 他の標準ロジックファミリと互換性があるピン配置及び機能 ラッチアップ性能は 300 mA を超えます ESD 性能: HBM> 2000V 、機械モデル> 200V チップの複雑さ: 32 FET または 8 つの同等の Gates
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
¥2,698
税込¥2,968
5日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様MOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)1.9
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧(V)2
カテゴリーパワーMOSFET
XS70 PCIe Gen 4x4 は3D NANDを搭載しNVMe 1.4 に対応。Gen 3.0よりデータを2倍早く転送可能です。 最大7,300MB /秒の読み取り速度と6,800MB /秒の書き込み速度により、XS70はSSDの性能を最大限に活用しゲームパフォーマンスをアップさせることが可能です。XS70のヒートシンクは熱放散の性能を高める為、角度の付いたスリットを備えており、激烈なゲームセッションで熱くなったSSDも簡単に熱放散できます。 ヒートシンクのスリットから熱が逃げやすく、過熱を防ぎ、より安定したゲームプレイを実現します。ゲームをスムーズに行う為、XS70はRAIDテクノロジーとLDPCコーディングに対応し、システムの安定性とデータの整合性を維持しながらパフォーマンスの最大化を実現します。また、DRAMキャッシュバッファーにも対応し、シーケンシャル読み取り/書き込みおよびランダム読み取り/書き込みのパフォーマンスを向上します。XS70のサイズとパフォーマンスはPlayStation 5の要件を満たし、ストレージも最大8TBに上る為、新作ゲームをインストールする為に旧作ゲームを削除するような必要はありません。XS70の筐体はM.2 2280(80mm)でコンパクトな為、最小限のスーペースで簡単に設置が可能です。簡単なアップグレードで優れたパフォーマンスと大きなストレージを加えることが可能です。
仕様特許:TW Patent No. D219236、耐衝撃試験:1500G/0.5ms、MTBF (est):1,600,000 時間、System Requirement:PCIeインターフェースに対応するM.2スロットとNVMeに対応するOSを備えたPC
質量(g)33
寸法(高さH×幅W×奥行D)(mm)24.6×80.0×10.8
動作温度0℃~70℃
保証期間5年
インターフェイスPCIe Gen 4x4
各種認証CE、FCC、UKCA、BSMI、Green dot、WEEE、RoHS、KCC
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
カテゴリーパワーMOSFET
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
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