「表面実装 抵抗」の検索結果

抵抗 = 150kΩ。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 0805 (2012M)。許容差 = ±0.5%。定格電力 = 0.1W。温度係数 = ±25ppm/℃。シリーズ = RR。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。金属皮膜チップ抵抗器(精密級) RRシリーズ. 高精度薄膜面実装抵抗器. 特長と利点. 優れた抵抗値許容差. 周波数性能. ノイズ特性. 直線性. 製品用途の情報. 高精度の抵抗器が求められる家庭用電化製品. あらゆる分野の電子機器における汎用抵抗器

抵抗 = 470Ω。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 0603 (1608M)。許容差 = ±0.5%。定格電力 = 0.063W。温度係数 = ±25ppm/℃。シリーズ = RR。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。高精度金属皮膜チップ抵抗器，RR0816シリーズ(1608サイズ 0.5%). 1608(ミリサイズ)チップ抵抗器 高周波特性および直線性に優れた薄膜チップ抵抗器 鉛フリーはんだ対応

抵抗 = 51Ω。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 0805 (2012M)。許容差 = ±0.5%。定格電力 = 0.1W。温度係数 = ±50ppm/℃。シリーズ = RR。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。金属皮膜チップ抵抗器(精密級) RRシリーズ. 高精度薄膜面実装抵抗器. 特長と利点. 優れた抵抗値許容差. 周波数性能. ノイズ特性. 直線性. 製品用途の情報. 高精度の抵抗器が求められる家庭用電化製品. あらゆる分野の電子機器における汎用抵抗器

抵抗 = 1kΩ。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 0805 (2012M)。許容差 = ±0.5%。定格電力 = 0.1W。温度係数 = ±25ppm/℃。シリーズ = RR。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。金属皮膜チップ抵抗器(精密級) RRシリーズ. 高精度薄膜面実装抵抗器. 特長と利点. 優れた抵抗値許容差. 周波数性能. ノイズ特性. 直線性. 製品用途の情報. 高精度の抵抗器が求められる家庭用電化製品. あらゆる分野の電子機器における汎用抵抗器

抵抗 = 2.2kΩ。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 0805 (2012M)。許容差 = ±0.5%。定格電力 = 0.1W。温度係数 = ±25ppm/℃。シリーズ = RR。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。金属皮膜チップ抵抗器(精密級) RRシリーズ. 高精度薄膜面実装抵抗器. 特長と利点. 優れた抵抗値許容差. 周波数性能. ノイズ特性. 直線性. 製品用途の情報. 高精度の抵抗器が求められる家庭用電化製品. あらゆる分野の電子機器における汎用抵抗器

抵抗 = 4.7kΩ。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 0805 (2012M)。許容差 = ±0.5%。定格電力 = 0.1W。温度係数 = ±25ppm/℃。シリーズ = RR。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。金属皮膜チップ抵抗器(精密級) RRシリーズ. 高精度薄膜面実装抵抗器. 特長と利点. 優れた抵抗値許容差. 周波数性能. ノイズ特性. 直線性. 製品用途の情報. 高精度の抵抗器が求められる家庭用電化製品. あらゆる分野の電子機器における汎用抵抗器

抵抗 = 510Ω。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 0805 (2012M)。許容差 = ±0.5%。定格電力 = 0.1W。温度係数 = ±25ppm/℃。シリーズ = RR。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。金属皮膜チップ抵抗器(精密級) RRシリーズ. 高精度薄膜面実装抵抗器. 特長と利点. 優れた抵抗値許容差. 周波数性能. ノイズ特性. 直線性. 製品用途の情報. 高精度の抵抗器が求められる家庭用電化製品. あらゆる分野の電子機器における汎用抵抗器

TE Connectivity 3522 シリーズ抵抗器は、AECQ200 認定の低コスト高電力デバイスで、短リード構造により大量の自動配置や高周波動作などのほとんどの用途に適しています。定格電力( 70 ℃、3 W ) 定格電流： 2.5 A (ジャンパ 最大過負荷電流(ジャンパ) 10 A 最大動作電圧： 250 V 最大過負荷電圧： 500 V 誘電耐電圧： 500 V 使用温度範囲： -55 →

TE Connectivity CRGH シリーズ抵抗素子は、スクリーン印刷型と焼成式で、不動態化層が追加されています。各抵抗器は、レーザーで許容範囲に合わせてトリミングされています。あらかじめ刻まれた Tile は、ストリップに分解され、エンドプレートが焼成され、各ストリップが個々のコンポーネントに分解されます。最終的な終端仕上げは、電気めっきを施した

TE Connectivity CRGH シリーズ抵抗素子は、スクリーン印刷型と焼成式で、不動態化層が追加されています。各抵抗器は、レーザーで許容範囲に合わせてトリミングされています。あらかじめ刻まれた Tile は、ストリップに分解され、エンドプレートが焼成され、各ストリップが個々のコンポーネントに分解されます。最終的な終端仕上げは、電気めっきを施した

CPFシリーズ高精度チップ抵抗器ラボキット。温度係数: 15、25、50 ppm 許容誤差: 0.1 % ケースサイズ: 0402、0603、0805、1206、2010、2512 厳密な精度と安定性が要求されるすべての用途に最適 厳密な精度と安定性が求められる用途(測定、テレメトリ、検出回路など)に最適 一定数のCPFシリーズ精密チップ薄膜抵抗器が収められている高品質なリングバインダ

抵抗 = 1MΩ。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 0805 (2012M)。許容差 = ±0.5%。定格電力 = 0.1W。温度係数 = ±25ppm/℃。シリーズ = RR。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。金属皮膜チップ抵抗器(精密級) RRシリーズ. 高精度薄膜面実装抵抗器. 特長と利点. 優れた抵抗値許容差. 周波数性能. ノイズ特性. 直線性. 製品用途の情報. 高精度の抵抗器が求められる家庭用電化製品. あらゆる分野の電子機器における汎用抵抗器

抵抗 = 6.2kΩ。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 0603 (1608M)。許容差 = ±0.5%。定格電力 = 0.063W。温度係数 = ±25ppm/℃。シリーズ = RR。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。高精度金属皮膜チップ抵抗器，RR0816シリーズ(1608サイズ 0.5%). 1608(ミリサイズ)チップ抵抗器 高周波特性および直線性に優れた薄膜チップ抵抗器 鉛フリーはんだ対応

パッケージタイプ = TSOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.6 W。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3 x 1.7 x 1mm

パッケージタイプ = MicroFET 2 x 2。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2.4 W。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。このシングル N チャンネル MOSFET は、 Advanced Power Trench プロセスを使用して、特殊な MicroFET リードフレームで RDS ( on ) @ VGS = 2.5 V を最適化するように設計されています。RDS ( ON ) = 40 m Ω @ VGS = 4.5 V 、 ID = 5.0 A RDS ( ON ) = 50 m Ω @ VGS = 2.5 V 、 ID = 4.5 A 低プロファイル - 最大 0.8 mm 、新しいパッケージ： MicroFET 2x2 mm HBM ESD 保護レベル>： 2.5 kV (標準)(注記 3 ) ハロゲン化合物やアンチモン酸化物は含まれていません 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

パッケージタイプ = WDFN。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.6 W。ピン数 = 8。1チップ当たりのエレメント数 = 2。寸法 = 3 x 1.9 x 0.75mm

パッケージタイプ = MicroFET 2 x 2。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2.4 W。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 2 x 2 x 0.72mm。このシングル N チャンネル MOSFET は、 Advanced Power Trench プロセスを使用して、特殊な MicroFET リードフレームで RDS ( on ) @ VGS = 2.5 V を最適化するように設計されています。RDS ( ON ) = 30 m Ω @ VGS = 4.5 V 、 ID = 5.7 A RDS ( ON ) = 40 m Ω @ VGS = 2.5 V 、 ID = 5.0 A 低プロファイル - 最大 0.8 mm 、新しいパッケージ MicroFET 2x2 mm HBM ESD 保護レベル： 2.5 kV (標準)(注記 3 ) ハロゲン化合物やアンチモン酸化物は含まれていません 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 225 mW。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。パワー MOSFET 170 mA 、 100 V 、 N チャンネル SOT-23品番の先頭が「 BVSS 」の場合は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 鉛フリー 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています

パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.69 W。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm

パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 225 mW。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。この小型表面実装 MOSFET の低 RDS ( on )は、電力損失を最小限に抑え、消費電力を節約し、小型の電力管理回路での使用に最適です。主な用途は、 dc コンバータ、ポータブル及びバッテリ駆動製品(コンピュータ、プリンタ、 PCMCIA カード、携帯電話、コードレス電話など)の電源管理などです。低 RDS ( on )：高効率を実現し、バッテリ寿命を延長します 基板スペースを節約する小型 SOT-23 表面実装パッケージ 鉛フリーパッケージを用意 用途 DC-DC コンバータ 電力管理