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トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 200 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(200個)
4,498 税込4,948
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トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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389 税込428
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仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプスルーホール 1チップ当たりのエレメント数1 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-40 最大パワー消費(mW)625 最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5 最大コレクタ-ベース間電圧(V)-40 トランジスタ構成シングル 最大DCコレクタ電流(mA)-600 トランジスタタイプPNP 最大動作周波数(MHz)200
1箱(200個)
2,998 税込3,298
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仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプスルーホール 1チップ当たりのエレメント数1 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-40 最大エミッタ-ベース間電圧(V)5 最大コレクタ-ベース間電圧(V)40 トランジスタ構成シングル 最大DCコレクタ電流(mA)-600 トランジスタタイプPNP 最小DC電流ゲイン100 最大パワー消費625 mW
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389 税込428
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仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプスルーホール 1チップ当たりのエレメント数1 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-40 最大パワー消費(mW)625 最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5 最大コレクタ-ベース間電圧(V)-40 トランジスタ構成シングル 最大DCコレクタ電流(mA)-600 トランジスタタイプPNP 最小DC電流ゲイン100 最大動作周波数(MHz)200
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4,498 税込4,948
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
390 税込429
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