「ab-3n-w」の検索結果
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ビス止めのため、確実・強固な固定が可能。
材質66ナイロン
使用温度範囲(℃)-40～+85
難燃性UL94V-2
CADデータあり
CADデータあり
RoHS
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 75Wトランジスタ素材 = Si強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,298
税込￥1,428
翌々日出荷
最大連続コレクタ電流 = 120 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 600 W。パッケージタイプ = TO-247AB。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 15.6 x 4.7 x 20.6mm。動作温度 Min = -55 ℃。ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥999
税込￥1,099
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.15V最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 170 W高さ = 16mmNチャンネルMOSFET、最大30 V、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(4個)
￥1,598
税込￥1,758
7日以内出荷
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