「b5ケース」の検索結果

中身が見やすい透明タイプです。

あらゆる小物収納の決定版です。 凹凸デザインで蓋表面の傷を軽減します。 引っ掛かり軽減、スマートデザインです。 開けやすい、本体スリット加工です。 蝶番、バックルはオール別部品使用。耐久性抜群。

仕切板を使用しないフリータイプ。 変形品やかさ張る道具をガッツリ収納するのに便利なタイプ。

部品やネジなどの小物収納に便利なパーツケース。空間のアレンジが自由にできる仕切板無しのフリータイプ。別売仕切板を使えば、収納物に合わせて自由にレイアウトできます。バックルにABS樹脂を採用し、丈夫で安心です。

ドコモらくらくスマートフォン『F-52B』専用のブック型スマホケースです。定期券や診察券などを収納できるカードポケットを3つ、サイドスリットを2つ搭載で収納力がバツグンです。。上品なソフトレザー仕様&ストラップ付で見た目的にも機能的にも使いやすくなっています。外出先などでちょっとした文字をスマートに読めるカード型ルーペ付き。

ドコモらくらくスマートフォン『F-52B』専用のブック型スマホケースです。定期券や診察券などを収納できるカードポケットを3つ、サイドスリットを2つ搭載で収納力がバツグンです。。上品なソフトレザー仕様&ストラップ付で見た目的にも機能的にも使いやすくなっています。外出先などでちょっとした文字をスマートに読めるカード型ルーペ付き。

ドコモらくらくスマートフォン『F-52B』専用のブック型スマホケースです。定期券や診察券などを収納できるカードポケットを3つ、サイドスリットを2つ搭載で収納力がバツグンです。。上品なソフトレザー仕様&ストラップ付で見た目的にも機能的にも使いやすくなっています。外出先などでちょっとした文字をスマートに読めるカード型ルーペ付き。

ドコモらくらくスマートフォン『F-52B』専用のブック型スマホケースです。定期券や診察券などを収納できるカードポケットを3つ、サイドスリットを2つ搭載で収納力がバツグンです。。上品なソフトレザー仕様&ストラップ付で見た目的にも機能的にも使いやすくなっています。外出先などでちょっとした文字をスマートに読めるカード型ルーペ付き。

伝票ケースはB6横・B6縦・B5横・B5縦・A6縦・A5横・A5縦・A4縦の用紙サイズに対応します。

鋼ピンゲージセットAAシリーズの交換用(詰め替え)リフィルセットです。セット品ケースが不要な方に最適です。内箱のミシン線でフタを切り離せば、スタンド式の保管ボックスとして使用可能です。市販の収納ケースやレターケースに、そのまま収納できるB5サイズです。合格証付です。

標準ツェナー電圧 = 7.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 14Ω。最大逆漏れ電流 = 900nA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 4.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 75Ω。最大逆漏れ電流 = 2.7μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 3.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 84Ω。最大逆漏れ電流 = 4.5μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 3.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 84Ω。最大逆漏れ電流 = 4.5μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 5.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 37Ω。最大逆漏れ電流 = 900nA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 2.4V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 94Ω。最大逆漏れ電流 = 45μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 56Ω。最大逆漏れ電流 = 1.8μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 89Ω。最大逆漏れ電流 = 4.5μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 28Ω。最大逆漏れ電流 = 45nA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 4.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 80Ω。最大逆漏れ電流 = 3μA。寸法 = 3.1 x 1.43 x 1.05mm。標準電圧温度係数 = -0.015%/℃。ツェナーダイオード300 mW、BZX84シリーズ、Vishay Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (BZX84B)、約5 % (BZX84C) 表面実装ケース: SOT-23

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 30Ω。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。動作温度 Max = +150 ℃mV/K。ツェナーダイオード225 mW、BZX84BxxxLT、BZX84CxxxLTシリーズ、ON Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (BZX84B)、約5 % (BZX84C) 表面実装ケース: SOT-23

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 90Ω。最大逆漏れ電流 = 3μA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。標準電圧温度係数 = 0mV/K。ツェナーダイオード225 mW、BZX84BxxxLT、BZX84CxxxLTシリーズ、ON Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (BZX84B)、約5 % (BZX84C) 表面実装ケース: SOT-23

標準ツェナー電圧 = 2.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 100Ω。最大逆漏れ電流 = 20μA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。標準電圧温度係数 = -3.5 → 0mV/K。ツェナーダイオード225 mW、BZX84BxxxLT、BZX84CxxxLTシリーズ、ON Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (BZX84B)、約5 % (BZX84C) 表面実装ケース: SOT-23

RS Pro タンタルコンデンサですRS Pro CB シリーズ 4.7 μ F エポキシコーティング固体電解タンタルコンデンサは、定格電圧 25 V dc 、漏洩電流 500 nA です。寸法は、 5 mm x 5 mm x 8 mm x 0.5 mm (長さ x 奥行 x 高さ x リード径)です。特長と利点許容誤差： ± 20% 動作温度範囲： -55 ° C ～ +125 ° C 寿命テスト： 1000 時間 リードピッチ： 2.5 mm 損失係数： 0.06% 未満 スルーホール取り付け パッケージ/ケース： B ポジティブ極性化用途 エレクトロニクス産業認定 ANSI/ESD S20.20 ： 2014 BS EN 61340-5-1 ： 2007

RS Pro タンタルコンデンサですRS Pro CB シリーズ 4.7 μ F エポキシコーティング固体電解タンタルコンデンサは、定格電圧 16 V dc 、漏洩電流 500 nA です。寸法は、 5 mm x 5 mm x 8 mm x 0.5 mm (長さ x 奥行 x 高さ x リード径)です。特長と利点許容誤差： ± 20% 動作温度範囲： -55 ° C ～ +125 ° C 寿命テスト： 1000 時間 リードピッチ： 2.5 mm 損失係数： 0.06% 未満 スルーホール取り付け パッケージ/ケース： B ポジティブ極性化用途 エレクトロニクス産業認定 ANSI/ESD S20.20 ： 2014 BS EN 61340-5-1 ： 2007

RS Pro タンタルコンデンサですRS Pro CB シリーズ 10 μ f エポキシコーティング固体電解タンタルコンデンサは、定格電圧 10 VDC で、漏洩電流 500 nA です。寸法は、 5 mm x 5 mm x 8 mm x 0.5 mm (長さ x 奥行 x 高さ x リード径)です。特長と利点許容範囲は 20% です 動作温度範囲： -55 ° C ～ 125 ° C 寿命テスト： 1000 時間 リードピッチは 2.5 mm です 損失係数は 0.08 % 未満です スルーホール取り付け パッケージ/ケース： B ポジティブ極性化用途 エレクトロニクス産業認定 ANSI/ESD S20.20 ： 2014 BS EN 61340-5-1 ： 2007

RS Pro タンタルコンデンサですRS Pro CB シリーズ 3.3 uF エポキシコーティング固体電解タンタルコンデンサは、定格電圧 35 V dc 、漏洩電流 500 nA です。寸法は、 5 mm x 5 mm x 8 mm x 0.5 mm (長さ x 奥行 x 高さ x リード径)です。特長と利点許容誤差： ± 20% 動作温度範囲： -55 ° C ～ +125 ° C 寿命テスト： 1000 時間 リードピッチ： 2.5 mm 損失係数： 0.06% 未満 スルーホール取り付け パッケージ/ケース： B ポジティブ極性化用途 エレクトロニクス産業認定 ANSI/ESD S20.20 ： 2014 BS EN 61340-5-1 ： 2007

バリスタ電圧 = 61.2 → 74.8V。最大AC定格電圧 = 40V。最大直流定格電圧 = 56V。制限電圧 = 110V。クランプ電流 = 10A。材料 = セラミックJ。シリーズ = CT/B。最大サージ電流 = 1000A。静電容量 = 2nF。長さ = 5.7mm。奥行き = 5mm。パッケージ/ケース = 2220 (5650M)mm。CTシリーズ. 表面実装チップバリスタ. ニッケルバリア終端

バリスタ電圧 = 35.1 → 42.9V。最大AC定格電圧 = 25V。最大直流定格電圧 = 31V。制限電圧 = 65V。クランプ電流 = 1A。材料 = セラミックJ。シリーズ = CT/B。最大サージ電流 = 1200A。静電容量 = 5nF。長さ = 5.7mm。奥行き = 5mm。パッケージ/ケース = 2220 (5650M)mm。CTシリーズ. 表面実装チップバリスタ. ニッケルバリア終端

バリスタ電圧 = 50.4 → 61.6V。最大AC定格電圧 = 35V。最大直流定格電圧 = 45V。制限電圧 = 90V。クランプ電流 = 10A。材料 = セラミックJ。シリーズ = CT/B。最大サージ電流 = 1000A。静電容量 = 2.5nF。長さ = 5.7mm。奥行き = 5mm。パッケージ/ケース = 2220 (5650M)mm。CTシリーズ. 表面実装チップバリスタ. ニッケルバリア終端

バリスタ電圧 = 24.3 → 29.7V。最大AC定格電圧 = 17V。最大直流定格電圧 = 22V。制限電圧 = 44V。クランプ電流 = 10A。材料 = セラミックJ。シリーズ = CT/B。最大サージ電流 = 1200A。静電容量 = 9nF。長さ = 5.7mm。奥行き = 5mm。パッケージ/ケース = 2220 (5650M)mm。CTシリーズ. 表面実装チップバリスタ. ニッケルバリア終端

シリーズ = B57332V5。温度係数のタイプ = NTC。熱時定数 = 4s。許容差 = ±1%。パッケージ/ケース = 0603 (1608M)。最大定格電力 = 180mW。長さ = 1.6mm。奥行き = 0.9mm。高さ = 0.8mm。寸法 = 1.6 x 0.9 x 0.8mm。IEC 60068-1. 0402、0603、0805 B57シリーズSMD NTCサーミスタ. このシリーズのEpcos SMD NTCサーミスタは温度測定と補償に使用できます。0402 / 0603シリーズは車載シリーズで、0805は標準シリーズです。. 特長及び利点:. 積層SMD NTC、内部電極付き ニッケルバリア終端 高温環境で長期使用に耐える優れた老化安定性 はんだ付け中の優れた耐性と安定性 (変更 ；1 %)