「dip ic」の検索結果

パッケージタイプ = DIP。オス/メス = メス。極数 = 28。行数 = 2。ピッチ = 2.54mm。接続方向 = ストレート。コンタクト材質 = ベリリウム銅。表面処理：コンタクト = ニッケルの上に金。定格電流 = 1.0A。ソケット装着タイプ = スルーホール。結線方法 = はんだ。ハウジング材質 = PPS。シリーズX55XユニバーサルZIF DIPテストソケット. Ariesのユニバーサルテストソケットは、中心距離7.62～15.24 mmのデバイスを使用できます。 すべてのピンカウントソケットは、中心距離7.62～15.24 mmのいずれの基板にも使用できます。 プラスチックがコンタクトを支えなければならない状態にならないよう、通常、コンタクトは閉じられています。 ソケットハンドルは、アップ又はダウンの位置の場合、クローズドコンタクトとして構成でき、左右どちら側にも実装できます。 ソケットは、基板へはんだ付けすることも、任意のソケットに差し込むことも可能です。. ソケット材質は黒UL94V-0ガラス繊維入りポリフェニレンサルファイド(PPS) ハンドルはステンレススチール製 寿命は25000～50000サイクル

パッケージタイプ = DIP。オス/メス = メス。極数 = 24。行数 = 2。ピッチ = 2.54mm。接続方向 = ストレート。コンタクト材質 = ベリリウム銅。表面処理：コンタクト = ニッケルの上に錫。定格電流 = 1.0A。ソケット装着タイプ = スルーホール。結線方法 = はんだ。ハウジング材質 = PPS。ユニバーサルZIFソケット Aries Electronics. ピッチ0.1インチ、ピン幅0.015～0.045インチの、0.3、0.4又は0.6インチのデバイスに対応するユニバーサルソケットです。. はんだテールピンタイプ 破壊電圧: AC1000V (最小) 寿命: 挿抜25000回 使用温度範囲: -55 → +105℃

テープシールなしでの水溶性洗剤 / 溶剤による洗浄に対応する高圧ワイピングコンタクト。 ベイパーフェーズリフローはんだ付け又はウエーブはんだ付けの条件に耐えることが可能。

パッケージタイプ = DIP。実装タイプ = 表面実装。オプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild Semiconductor

トランジスタ出力 ‐ FET及びMOSFET、Infineon. InfineonのPDV13シリーズは、アナログ信号の汎用スイッチングに使用されている電気機械式リレーを置き換える、常時開の単極ソリッドステートリレーです。 このシリーズは、InfineonのHEXFETパワーMOSFETを出力スイッチとして利用し、斬新な構造の太陽光発電集積回路で駆動されます。. バウンスのない動作 1010オフ抵抗 1，000 V/μsec dv/dt 入力感度: 5 mA 4，000 Vrms I/O絶縁 ソリッドステートの安定性

Infineon のオフライン SMPS 電流モードコントローラ IC は、 650 CoolMOS を内蔵し、 DIP-7 パッケージのスタートアップセルを備えています。より堅牢な設計で、 -40 C まで使用できます優れた性能には、 BiCMOS 技術、アクティブバーストモード、内蔵周波数ジッタ、ソフトゲート駆動、伝播遅延補償などがあります。 ソフトスタート時間、内蔵ブランキング時間、過負荷保護のための延長可能なブランキング時間、外部自動リスタートイネーブル機能などを内蔵しています最低スタンバイ電力要件 <： 50 mW 40 C までの低い動作温度 過負荷、過熱、過電圧に対する自動リスタート保護 広い VCC ソフトドライブで EMI が低く抑えられています