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こんなお得な商品も！
テープカッター 大型 卓上
モノタロウ
￥1,898～
税込￥2,088～
安定感のある重量級のテープカッターです。スチール製で頑丈なボディーを持ち、耐久性に優れています。
安全性を心がけたセーフティカバー付き。
底面は滑りにくいノンスリップ仕様です。
用途OPPテープ、クラフトテープ、布テープ等
仕様3インチ(76mm)紙管用、安全カバー付
材質スチール
最大外径(mm)140(テープ)
エコ商品
ヨーロッパタイプの本格仕様。ピアノ線も切断可。
材質クロバナ入り70カーボン鋼(CR-V70C)
RoHS指令(10物質対応)対応
汎用タイプの2枚刃エンドミルです。TICNコーティング付き。
用途炭素鋼、合金鋼、工具鋼、プリハードン鋼、アルミ合金の加工
材質超硬(MG)
刃数2枚刃
表面処理TICNコーティング
ETシリーズはミクロン単位の高精度な測定を可能にするため に±0.3μm公差のピンゲージを0.1mmトビに設定しています。
挿入しやすいように片側の端面に30°の面取りをしております。
長さ(mm)40
硬度HRC58以上
RoHS指令(10物質対応)対応
許容差(μm)±0.3
直径不同(μm)0.3
真円度(μm)0.3
タッチパネルは最大10点タッチに対応した投影型静電容量方式。モニターはフルHD対応の21.5型ワイドTFT-LCDを採用。キックスタンド付きでVESA取付も可能。VESA physical mount 規格 100mmに対応。フロントベゼルのない「ゼロベゼル」設計。IEC62368-1、ULなどの安全規格、VCCI、FCC 、CEマーキングなどのEMC規格、およびEnergy Star 8.0に適合。国内ベンダー製のアルミ電解コンデンサを使用。アルミ電解コンデンサの計算寿命5年以上。
1台
￥57,980
税込￥63,778
8日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)4
動作温度(℃)(Max)+175、(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)200
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7.5
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最小ゲートしきい値電圧(V)3
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
最大パワー消費680W
1個
￥4,198
税込￥4,618
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)4
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)53
最大ドレイン-ソース間電圧(V)800
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)140
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ250nC@10V
最大パワー消費1.04kW
1個
￥6,898
税込￥7,588
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)9.6
シリーズHiperFET，Polar
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
チャンネルタイプN
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)61
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)85
最大ゲートしきい値電圧(V)5.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費700000mW
1個
￥4,798
税込￥5,278
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)9.6
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)115
最大ドレイン-ソース間電圧(V)300
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)24
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ185nC@10V
最大パワー消費700000mW
1個
￥4,698
税込￥5,168
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)シリーズ
シリーズHiperFET
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)24
最大ドレイン-ソース間電圧(V)1000
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)390
最大ゲートしきい値電圧(V)5.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費568000mW
1個
￥7,898
税込￥8,688
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
長さ(mm)38.23
シリーズHiperFET，Polar
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)150
最大ドレイン-ソース間電圧(V)150
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)11
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費680000mW
1個
￥4,498
税込￥4,948
5日以内出荷
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