「fp-3」の検索結果

スモークグレーの透明ヒサシを採用し、上方の視界を確保。 通気孔を前後に設け、高い通気性でムレを軽減。 ライナーにもムレの抜けやすい構造。

ガス給湯機器用 関連部材

プラスチック 長さ73CM

クリア蓋セット

クリア蓋セット

ピボットレバーFPにカラーアルマイト処理を施したブレーキ/クラッチレバーのセット。各メーカーのレーサー用3フィンガータイプをラインナップ。

摺合仕様のスタンダードタイプ

メーカー名：ジータメーカー品番：F5093適合情報：カワサキ[KAWASAKI] KX450 19-21

600V電力ケーブル接続部に対して、施工時間短縮・コスト削減・デリバリー強化を実現するシート巻工法。シートを巻くだけで即通電可能。シート工法による豊富な商品展開。

600V電力ケーブル接続部に対して、施工時間短縮・コスト削減・デリバリー強化を実現するシート巻工法。シートを巻くだけで即通電可能。シート工法による豊富な商品展開。

FP3は、従来の平面磁界型とは一線を画す、新しいコンセプトの平面磁界型ドライバー搭載のインイヤーモニター型イヤホンです。14.5mm平面磁界型ドライバーユニットを搭載し、振動板は業界最先端の薄さ1μmを実現。FIIO独自のチタンとアルミニウム二層構造技術により、高解像度と理想的な周波数特性を実現しています。ハウジングには純木製フェイスプレートを採用し、Rosewood(ローズウッド)とWalnut(ウォールナット)の2種展開。片耳約6.5gの軽量設計により、優れた装着感も実現しています。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 520 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 60 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 52 nC V @ 10高さ = 9.8mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

Infineon CoolMOS-CPパワーMOSFET

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vシリーズ MDmesh実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 30 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 21 A最大ドレイン-ソース間電圧 500 Vシリーズ MDmesh実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 158 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 35 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -25 V， +25 V幅 4.6mm高さ 16.4mmNチャンネルMDmesh、500 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 800 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 900 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 40 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 Vトランジスタ素材 Simm高さ 9.3mmSTMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 29 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 37 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 10.63mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 850 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 40 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 35000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 38 nC @ 10 V高さ = 9.8mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 40 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 66 nC @ 10 V動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 37 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 18 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 50 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +175 ℃高さ = 9.8mmNチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 7.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 700 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 1.2 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 35 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V標準ゲートチャージ Vgs 48 nC 10 Vmm高さ 16.4mmSTMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 600 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 750 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 35 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics