「fp-3」の検索結果

スモークグレーの透明ヒサシを採用し、上方の視界を確保。 通気孔を前後に設け、高い通気性でムレを軽減。 ライナーにもムレの抜けやすい構造。

ガス給湯機器用 関連部材

ピボットレバーFPにカラーアルマイト処理を施したブレーキ/クラッチレバーのセット。各メーカーのレーサー用3フィンガータイプをラインナップ。

プラスチック 長さ73CM

クリア蓋セット

クリア蓋セット

メーカー名：ジータ。メーカー品番：F5093。適合情報：。カワサキ[KAWASAKI] KX450 19-21

600V電力ケーブル接続部に対して、施工時間短縮・コスト削減・デリバリー強化を実現するシート巻工法。シートを巻くだけで即通電可能。シート工法による豊富な商品展開。

600V電力ケーブル接続部に対して、施工時間短縮・コスト削減・デリバリー強化を実現するシート巻工法。シートを巻くだけで即通電可能。シート工法による豊富な商品展開。

FP3は、従来の平面磁界型とは一線を画す、新しいコンセプトの平面磁界型ドライバー搭載のインイヤーモニター型イヤホンです。14.5mm平面磁界型ドライバーユニットを搭載し、振動板は業界最先端の薄さ1μmを実現。FIIO独自のチタンとアルミニウム二層構造技術により、高解像度と理想的な周波数特性を実現しています。ハウジングには純木製フェイスプレートを採用し、Rosewood(ローズウッド)とWalnut(ウォールナット)の2種展開。片耳約6.5gの軽量設計により、優れた装着感も実現しています。

摺合仕様のスタンダードタイプ

Infineon CoolMOS-CPパワーMOSFET

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 6.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 520 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 60 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 52 nC V @ 10。高さ = 9.8mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 9.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 40 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 70 nC @ 10 V。高さ = 9.8mm。NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 17 A。最大ドレイン-ソース間電圧 650 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 30 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 158 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 35 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -25 V， +25 V。幅 4.6mm。高さ 16.4mm。NチャンネルMDmesh、500 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 800 V。シリーズ MDmesh， SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 900 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 40 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。トランジスタ素材 Simm。高さ 9.3mm。STMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V

Infineon CoolMOS-C3パワーMOSFET

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 29 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 37 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 10.63mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 4.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 850 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 40 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 35000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 38 nC @ 10 V。高さ = 9.8mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 40 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 66 nC @ 10 V。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 37 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 18 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 50 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。動作温度 Max = +175 ℃。高さ = 9.8mm。NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor