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「g3vm-61g3」の検索結果

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MOS FETリレー SOP4ピン 汎用タイプ Aratas(旧:omron)MOS FETリレー SOP4ピン 汎用タイプAratas(旧:omron)
399税込439
1個ほか
当日出荷から86日以内出荷
G3VM-201G□ / S5 omron(オムロン)G3VM-201G□ / S5omron(オムロン)
1,498税込1,648
1個ほか
21日以内出荷から81日以内出荷
L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)
G3VM-21QR□ / 41QR□□ / 61QR□ omron(オムロン)G3VM-21QR□ / 41QR□□ / 61QR□omron(オムロン)
1,598税込1,758
1個
61日以内出荷
L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)
G3VM-201G□ / S5 omron(オムロン)G3VM-201G□ / S5omron(オムロン)
1,998税込2,198
1個
81日以内出荷
負荷電圧 30V/60V形G3VM-31QV2H:連続負荷電流1.5A(最大)形G3VM-61QV3H:連続負荷電流1.0A(最大)形G3VM-61QV4H:連続負荷電流0.4A(最大)形G3VM-61QV3L:連続負荷電流0.4A(最大)。動作入力順電圧:H/推奨5V(標準)、L/推奨2.5V(標準)。高温対応(使用周囲温度:-40℃~125℃)。負荷電圧 30V/60V。動作入力順電圧:H/推奨5V(標準)、L/推奨2.5V(標準)。高温対応(使用周囲温度:-40℃~125℃)
G3VM-201G□ / S5 omron(オムロン)G3VM-201G□ / S5omron(オムロン)
1,998税込2,198
1個ほか
81日以内出荷
負荷電圧 30V/60V形G3VM-31QV2H:連続負荷電流1.5A(最大)形G3VM-61QV3H:連続負荷電流1.0A(最大)形G3VM-61QV4H:連続負荷電流0.4A(最大)形G3VM-61QV3L:連続負荷電流0.4A(最大)。動作入力順電圧:H/推奨5V(標準)、L/推奨2.5V(標準)。高温対応(使用周囲温度:-40℃~125℃)。負荷電圧 30V/60V。動作入力順電圧:H/推奨5V(標準)、L/推奨2.5V(標準)。高温対応(使用周囲温度:-40℃~125℃)
G3VM-31QV2H / 61QV3H / 61QV4H / 61QV3L omron(オムロン)G3VM-31QV2H / 61QV3H / 61QV4H / 61QV3Lomron(オムロン)
1,998税込2,198
1個ほか
81日以内出荷
負荷電圧 30V/60V形G3VM-31QV2H:連続負荷電流1.5A(最大)形G3VM-61QV3H:連続負荷電流1.0A(最大)形G3VM-61QV4H:連続負荷電流0.4A(最大)形G3VM-61QV3L:連続負荷電流0.4A(最大)。動作入力順電圧:H/推奨5V(標準)、L/推奨2.5V(標準)。高温対応(使用周囲温度:-40℃~125℃)。負荷電圧 30V/60V。動作入力順電圧:H/推奨5V(標準)、L/推奨2.5V(標準)。高温対応(使用周囲温度:-40℃~125℃)
G3VM-31QV□ / 61QV□□ omron(オムロン)G3VM-31QV□ / 61QV□□omron(オムロン)
1,898税込2,088
1個ほか
81日以内出荷
動作入力順電圧: H/推奨5V(標準)、L/推奨2.5V(標準)。負荷電圧 30V/60V形G3VM-31QVH/L: 連続負荷電流1.5A(最大)形G3VM-61QV2H/L: 連続負荷通電1.0A(最大)形G3VM-61QVH: 連続負荷電流0.4A(最大)。高温対応(使用周囲温度:-40℃~110℃ )。動作入力順電圧: H/推奨5V(標準)、L/推奨2.5V(標準)。負荷電圧 30V/60V。高温対応(使用周囲温度:-40℃~110℃ )
G3VM-21QR□ / 41QR□□ / 61QR□ omron(オムロン)G3VM-21QR□ / 41QR□□ / 61QR□omron(オムロン)
1,798税込1,978
1個
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L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)
G3VM-□L / □FL / □GL omron(オムロン)G3VM-□L / □FL / □GLomron(オムロン)
1,898税込2,088
1個
81日以内出荷
動作入力順電圧: H/推奨5V(標準)、L/推奨2.5V(標準)。負荷電圧 30V/60V形G3VM-31QVH/L: 連続負荷電流1.5A(最大)形G3VM-61QV2H/L: 連続負荷通電1.0A(最大)形G3VM-61QVH: 連続負荷電流0.4A(最大)。高温対応(使用周囲温度:-40℃~110℃ )。動作入力順電圧: H/推奨5V(標準)、L/推奨2.5V(標準)。負荷電圧 30V/60V。高温対応(使用周囲温度:-40℃~110℃ )
G3VM-201G□ / S5 omron(オムロン)G3VM-201G□ / S5omron(オムロン)
1,898税込2,088
1個ほか
81日以内出荷
動作入力順電圧: H/推奨5V(標準)、L/推奨2.5V(標準)。負荷電圧 30V/60V形G3VM-31QVH/L: 連続負荷電流1.5A(最大)形G3VM-61QV2H/L: 連続負荷通電1.0A(最大)形G3VM-61QVH: 連続負荷電流0.4A(最大)。高温対応(使用周囲温度:-40℃~110℃ )。動作入力順電圧: H/推奨5V(標準)、L/推奨2.5V(標準)。負荷電圧 30V/60V。高温対応(使用周囲温度:-40℃~110℃ )
G3VM-201G□ / S5 omron(オムロン)G3VM-201G□ / S5omron(オムロン)
1,498税込1,648
1個
81日以内出荷
L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)
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