「mos fet リレー 回路」の検索結果

形G2Rと同一形状のパワーMOS FETリレー。 AC/DC両用、1A負荷開閉可能。 AC240VまたはDC100V、1Aの負荷開閉可能。 出力間開路時漏れ電流10μA以下。 入出力間耐電圧AC2500V。 入力抵抗と過電圧吸収回路内蔵。 AC全波整流負荷・半波整流負荷が開閉可能。 RoHS適合。

形G6Dと同一形状でAC/DC両用、DC専用をシリーズ化。 出力間開路時漏れ電流10μA以下。 入出力間耐電圧AC2500V。 過電圧吸収回路内蔵。 AC全波整流負荷・半波整流負荷が開閉可能。 RoHS適合。

豊富な商品ラインナップ(SSOP、SOP4pin、DIP6pin) 動作時間：Typ.0.4msの高速スイッチング(APV1121S) 耐電圧：5，000Vrmsの高絶縁(APV1122)

ローコストなプリント基板実装タイプ。 高信頼性が要求されるFA機器用SSR。 入力DC3～28V、出力AC75～264V。 入力DC3～28V、出力DC3～52.8Vと広範囲。 出力の適用負荷は2Aと3Aを用意。 形状はフラットタイプとバーチカルタイプが選べます。 RoHS適合。

機器内蔵タイプの小型形状であり、取りつけピッチを統一。バリスタを内蔵し、外来サージの吸収効果に優れています。動作表示灯により動作の確認が可能。安全のための保護カバー付。海外規格UL、CSA規格は標準タイプで取得。

小型・高感度の1極信号切換用リレー。感動消費電力はわずか98mW(定格消費電力：200mW)と、高感度を実現。耐衝撃電圧1500V(10×160μs)を確保し、FCC規格に準拠した設計。自動実装への対応を考え、スティック包装を採用。プラスチック・シール形で、自動はんだづけが可能。超音波洗浄対応形をシリーズ化。標準形でUL、CSA規格取得

本書はイメージを中心としたトランジスタ回路の読解き方から解説し，1石のトランジスタ・アンプからカスタム・アナログまで，トランジスタを組合せてフルディスクリートで仕上げる実践的な技を紹介します． 目 次 Introduction 質実剛健! トランジスタ道一直線 オームの法則だけで大丈夫! 私のお勧めトランジスタ攻略法 第1章 エミッタの気持ちになれ! 恐れるに足らず! 電卓片手に2石のシンプルな回路でやってみよう 第2章 初体験! トランジスタアンプの設計と実験 直流から10MHzまで一直線! 0．5Ωでグイグイ駆動 第3章 無帰還でひずみ0．003%以下!フルディスクリート・ヘッドホン・アンプ ICの回路技術を駆使! ひずみ0．02%，10Hz～100kHzフラット，消費2．7mA 第4章 強力ドライブ! ポータブル・ヘッドホン・アンプ JFETパラレル入力! 街で売ってるフツウの部品で作れる 第5章 抵抗の熱雑音が見える! 1nV/√Hz低雑音プリアンプ μsの超高速ON/OFF! 劣化なしで微小～大電力をロスレス伝送 第6章 MOSFETで作るオン抵抗5mΩ，35V/18A無接点双方向リレー 高周波性能を蝕む容量との戦いに勝つためのノウハウ 第7章 0．26pF，785MHzの低入力容量広帯域アクティブ・プローブ 発振，共振，フィルタ，周波数変換，検波…無線技術の基本丸わかり 第8章 情熱のフルディスクリートFMラジオ IC依存症のあなたに! 電圧安定化のしくみから熱設計の基本までゼロからマスタ 第9章 四つの構成回路を一つずつ! モジュール交換式チュートリアル電源 低ひずみ0．001%，低雑音0．5μVRMS，RIAA偏差±0．5dBのMMカートリッジ用 第10章 アナログ・レコード再生用500円イコライザ・プリアンプ ひずみ率0．004%! アナログICの回路技術を活用 第11章 メガ盛り54石! 出力10Wの無帰還パワー・アンプ オリジナルをひも解いて，45年ロングセラーの理由と正しい使い方を探る 第12章 開発者に捧ぐ! トランジスタ・タイマ「ディスクリート555」 実験用測定器/チェッカから楽器/オーディオまで 第13章 1～8石でサクッと! 即席トランジスタ回路

UL認定コンポーネント: 認定番号E76270 CSA認定コンポーネント: 認定書1172007 EN / IEC60950-1認定コンポーネント: 認定書B 13 12 82667 003. 1フォームA 1500 Vrms SOP OptoMOSリレー、CPC. この単極ミニチュアソリッドステートリレーは、常時開(1フォームA)コンタクトを備え、4ピンSOPパッケージに収容されています。 このリレーは、光結合MOSFET技術を利用して入出力間で1500 Vrmsの絶縁を実現します。 有名なOptoMosアーキテクチャが採用されている出力は、効率的なMOSFETスイッチ及び光起電性ダイによって制御されます。 効率のよい赤外線LED入力で光結合制御を可能にします。 このリレーは、ダブルモールド垂直構造パッケージを採用することで、最も小型のリレーの1つとなっています。 このため、他の大型4ピンSOPリレーよりも基板のスペースを20 %以上節約することができます。 考えられる用途: セキュリティ: 受動型赤外線検出器(PIR)、データ信号伝達、センサ回路 計測機器: マルチプレクサ、データ収集、電子スイッチング、I/Oサブシステム メータ(ワット時、水量、ガス) 医療機器: 患者 / 機器の絶縁 航空宇宙 産業用制御 センサ回路 計装 マルチプレクサ データ収集. 特長 1500 Vrms入力 / 出力絶縁 動作に必要なLED電流はわずか0.5 mA 小型4ピンSOPパッケージ 高い信頼性 アークフリー(スナバ回路なし) EMI / RFI発生なし 放射電磁界に対する耐性 ウエーブはんだ付け可能

UL、CSA、EN / IEC60950-1。1フォームB OptoMOSリレー、LCB。この単極ミニチュアソリッドステートリレーは、常時閉(1フォームB)コンタクトを備えています。 このリレーは、光結合MOSFET技術を利用して入出力間で3750 Vrmsの絶縁を実現します。 有名なOptoMOSアーキテクチャが採用されている出力は、高効率GaAlAs赤外線LEDによって制御されます。 想定される用途: 通信 - 通信スイッチング、Tip / Ring回路、モデムスイッチング(ラップトップ、ノートブック、ポケットサイズ)、フックスイッチ、ダイヤルパルス出力、グランドスタート、リンギングインジェクション 計測機器 - マルチプレクサ、データ収集、電子スイッチング、I/Oサブシステム メータ(ワット時、水量、ガス) 医療機器 - 患者 / 機器の絶縁 セキュリティ 航空宇宙 産業用制御。特長 3750 Vrms入力 / 出力絶縁 低駆動電力要件 可動部品なし 高い信頼性 アークフリー(スナバ回路なし) EMI / RFI発生なし 機械挿入可能、ウェーブはんだ付け可能 小型6ピンパッケージ

ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、ASSRシリーズ、Avago Technologies. Avago TechnologiesのフォトMOSFETソリッドステートリレーファミリは、赤外線発光ダイオード(LED)及び検出器(高速太陽光発電ダイオードアレイ、及び2個の個別高電圧MOSFETのオン / オフを切り替えるドライバ回路で構成)で構成されています。

ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、ASSRシリーズ、Avago Technologies. Avago TechnologiesのフォトMOSFETソリッドステートリレーファミリは、赤外線発光ダイオード(LED)及び検出器(高速太陽光発電ダイオードアレイ、及び2個の個別高電圧MOSFETのオン / オフを切り替えるドライバ回路で構成)で構成されています。

Microchip Technology RF レシーバBroadcom ASSR-1218 シリーズの SO-4 パッケージ単極単投( SPST 4 ピン DIP パッケージソリッドステートリレー(フォト MOSFET )は、電気定格が 0.2 及び 60 です。AlGaAs 赤外線発光ダイオード( LED )入力段と高電圧出力検出器回路が光結合されています。検出器は、高速太陽光発電ダイオードアレイとドライバ回路で構成されており、2 個のディスクリート高電圧 MOSFET のオン オフを切り替えます。コンパクトなソリッドステート双方向信号スイッチ 高入出力絶縁電圧 低入力電流： CMOS 互換性 低オン抵抗： DC のみ 0.25 (標準)、AC/DC 1 (標準) -動作温度範囲： -40 ～ 85 シングル デュアルチャンネル常時オフ単極単投( SPST )リレー用途 通信スイッチング データ通信 産業用制御 医療 セキュリティ EMR /リードリレー交換

ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、ASSRシリーズ、Avago Technologies. Avago TechnologiesのフォトMOSFETソリッドステートリレーファミリは、赤外線発光ダイオード(LED)及び検出器(高速太陽光発電ダイオードアレイ、及び2個の個別高電圧MOSFETのオン / オフを切り替えるドライバ回路で構成)で構成されています。

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PC(プログラマブルコントローラ)、温調器などの出力用途の小型スリムパワーリレー。 高密度実装に対応して床面積を約45%減少(オムロン社製形G6B比)。 小型ながら5A(AC250V、DC30V)開閉が可能。 2A(AC250V、DC30V)では30万回開閉可能の高耐久性。 RoHS適合。

トランジスタ出力 ‐ FET及びMOSFET、Infineon. InfineonのPDV13シリーズは、アナログ信号の汎用スイッチングに使用されている電気機械式リレーを置き換える、常時開の単極ソリッドステートリレーです。 このシリーズは、InfineonのHEXFETパワーMOSFETを出力スイッチとして利用し、斬新な構造の太陽光発電集積回路で駆動されます。. バウンスのない動作 1010オフ抵抗 1，000 V/μsec dv/dt 入力感度: 5 mA 4，000 Vrms I/O絶縁 ソリッドステートの安定性

Supertex NチャンネルデプレッションモードMOSFETトランジスタ. Microchip社のSupertexシリーズNチャンネル減損モードDMOS FETトランジスタは、高破壊電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、そして高速なスイッチング速度が求められる用途に最適です。. 特長. 高入力インピーダンス 低入力静電容量 高速なスイッチング速度 低オン抵抗 二次降伏なし 低い入力及び出力漏れ. 代表的用途. 常時オンスイッチ ソリッドステートリレー コンバータ リニアアンプ 定電流源 電源回路 電気通信

Supertex NチャンネルデプレッションモードMOSFETトランジスタ. Microchip社のSupertexシリーズNチャンネル減損モードDMOS FETトランジスタは、高破壊電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、そして高速なスイッチング速度が求められる用途に最適です。. 特長. 高入力インピーダンス 低入力静電容量 高速なスイッチング速度 低オン抵抗 二次降伏なし 低い入力及び出力漏れ. 代表的用途. 常時オンスイッチ ソリッドステートリレー コンバータ リニアアンプ 定電流源 電源回路 電気通信

東芝フォトリレー( MOSFET 出力)

複数電源を1台にして回路ごとにプロテクタ監視。コスト削減と省スペース、不具合時のダウンタイム低減に貢献します。 回路ステータスの視認性(LEDランプ)に優れています。 電源スイッチ、リレーとしても使えます。 専用ソケットで信号出力の一括管理(コモニング、AND/OR形成)が簡単にできます。 インダクタンス負荷、キャパシタンス負荷(7，500μFmax)による突入電流ではトリップしません。 DC24Vで使用可能。幅わずか12.5mmの薄型デザイン。 MOSFETによるインテリジェント遮断。 過電流は1.1倍から、短絡電流は1.8倍で電流を確実に遮断します。 電流制限回路により過度な電流を負荷に流しません。 ケーブルの長さ、太さに関係なく確実に負荷を守ります。 ESX10: UL2367 UL508 CSA C22.2 No:14 準拠製品。 UL1604 ClassⅠ， Div2， GroupA，B，C，D危険環境で使用可能(ESX10-T)防爆規格 ATEX (ESX10 / ESX10-T):Ex Ⅱ 3G ExnA ⅡB T4 Gc X。