「mosfet n」の検索結果
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 131 Wトランジスタ素材 = SiMegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥379
税込￥417
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， Toshiba
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥699
税込￥769
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 230 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,498
税込￥1,648
翌々日出荷
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥2,298
税込￥2,528
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 360 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最低ゲートしきい値電圧 = 0.9V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 420 mW標準ゲートチャージ @ Vgs = 0.72 nC @ 4.5 VNチャンネルMOSFET、60 → 80 V、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(100個)
￥759
税込￥835
翌々日出荷
仕様デュアルMOSFET Nチャンネル、TPCシリーズ、東芝
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOP
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)1.5
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)5.1
最大ドレイン-ソース間電圧(V)40
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)40
最大ゲートしきい値電圧(V)2.3
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
カテゴリーパワーMOSFET
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
カテゴリーパワーMOSFET
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
仕様チャンネルタイプ：N、最大連続ドレイン電流：60 A、最大ドレイン-ソース間電圧：1200 V、最大ドレイン-ソース間抵抗：52 mΩ、最大ゲートしきい値電圧：4V、最低ゲートしきい値電圧：2V、最大ゲート-ソース間電圧：-5 V， +20 V、パッケージタイプ：TO-247、実装タイプ：スルーホール、トランジスタ構成：シングル、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET、最大パワー消費：330 W、標準ターンオフ遅延時間：26ns、WolfspeedシリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet(TM)、C2M(TM)、C3M(TM)シリコンカーバイドパワーMOSFET Creeのパワー部門であるWolfspeedの次世代SiC MOSFET製品で、業界をリードする電力密度とスイッチング効果を実現します。 これらの低容量デバイスは、高いスイッチング周波数を可能にします。冷却要件が軽減され、システム全体の動作効率が向上します。 ； 強化モードNチャンネルSiC技術 ； 高出力ソース絶縁破壊電圧: 最大1200 V ； 複数のデバイスを簡単に接続して駆動 ； 高速スイッチング、低いオン状態抵抗 ； 抗ラッチアップ動作
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥229,800
税込￥252,780
7日以内出荷
仕様NチャンネルMOSFET、60 → 80 V、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(3000個)
￥23,980
税込￥26,378
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様MOSFET
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様WolfspeedシリコンカーバイドパワーMOSFETモジュール. Cree Inc.の電源部門であるWolfspeedのシリコンカーバイドパワーMOSFETモジュールです。このSiC MOSFETモジュールは、業界標準のパッケージに収納され、ハーフブリッジ(2 MOSFET)及び3相(6 MOSFET)形式で利用可能で、SiC逆回復ダイオードが付属します。 誘導加熱、太陽光及び風力インバータ、DC-DCコンバータ、3相PFC、ライン回生ドライブ、UPS及びSMPS、モータドライブ及びバッテリ充電器などが主な用途です。. ； MOSFETターンオフテール電流及びダイオード逆回復電流は効率的にゼロになります。 ； 超低損失高周波動作 ； SiC特性により、並列が容易 ； 通常オフ、フェイルセーフ動作 ； 銅製ベースプレートと窒化アルミ絶縁物によって熱要件を軽減
ピン数(ピン)7
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプパネルマウント
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最小ゲートしきい値電圧(V)1.8
最大ゲート-ソース間電圧(V)-10、+25
カテゴリーパワーMOSFET
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
カテゴリーパワーMOSFET
RoHS指令(10物質対応)対応
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