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動作電流 23.8A。定格電圧 16V。動作時間 9s。保持電流 14A。電流 Max 100 A。長さ 23.5mm。高さ 27.9mm。幅 3.5mm。最小抵抗 0.003Ω。最大抵抗 6mΩ。電力損失 4.6W。リード方向 ラジアル。PolySwitch RUEF、RGEFシリーズ

向きに迷ってなかなか挿しこみできない不満を解消します。 パッケージがヘッダー付き化粧箱になります。 タブレットも充電可能。※メインポートのみ USBプラグの表裏を気にせず挿せてストレスフリー 高出力で急速充電可能 日本国内専用

AC差込口。USBポート。独立スイッチ(LEDランプ仕様)付きUSBタップ。火災防止機能搭載(耐雷サージ機能・耐トラッキングカバー・ホコリ防止扉)。スッキリ配線できる180°回転スイングプラグ仕様。コードは保護被ふく付安全構造。スマートフォンとタブレットを2台同時充電可能。

AC差込口。USBポート。火災防止機能搭載(耐雷サージ機能・耐トラッキングカバー・ホコリ防止扉)。スッキリ配線できるL型プラグ仕様。コードは保護被ふく付安全構造。USBはスマートフォンやタブレットを3台同時充電可能。

。14A以上使用すると通電を遮断する過負荷保護付です。※取付けは入力(プラグ)側、出力(機器)側に注意してください。直径7mm～10.9mmまでの電線に取付けることができます。

ライト部は水平方向と垂直方向の角度調整ができます。センサー部は水平方向の調整のみ可能です。【防犯効果を高める調光機能】 ★20%の調光機能により常夜灯として使用できます。(センサー検知で100%点灯)。別売のバイス(EA864C-4B)、天井アタッチメント(EA864C-4C)を使用することで、壁面以外のさまざまな場所に簡単に設置できます。 カーポートへの取り付けも簡単です。

14A以上使用すると通電を遮断する過負荷保護付です。※取付けは入力(プラグ)側、出力(機器)側に注意してください。直径7mm～10.9mmまでの電線に取付けることができます。

iPhone、iPad、Android等スマートフォン/タブレットを充電可能です。過電流等の異常発生時は保護回路が作動し、接続機器を守ります。サポート用マグネット付でスチール机などに安定させて設置できます。接続された機器(iPhone、iPad、Android等)に対し、最適な出力を自動識別し、急速充電します。AC差込口はホコリ・ゴミの浸入を防ぐ扉付です。

IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 14SOP

IC BUF NON-INVERT 5.5V 14SSOP

。USB Type-C単独使用の際はUSB PD(パワーデリバリー)対応機器で、18Wまでの超急速充電が可能です。スマホ・タブレットを短時間で充電可能です。USB Aポートは自動判別IC機能により、接続したデバイスに適した出力で充電できます。180°回転式プラグはトラッキング火災を防止する絶縁カバー付き。雷サージ内蔵で、雷から接続機器を守ります。コンパクトなので持ち運びに便利です。

過電流保護機能で過電流等の異常発生時は出力が自動遮断され、安心です。耐トラッキングカバーでトラッキング火災を予防します。iPhone、iPad、Androidスマートフォン/タブレットを充電可能です。

汎用オペアンプ LMシリーズ. Texas Instrumentsの汎用オペアンプ製品シリーズは、は、さまざまな用途に適しています。これらのデバイスは、通常用途においてのコストパフォーマンスが高く、シングル、デュアル、クワッド構成の製品が用意されています。このシリーズには、スルーホールパッケージとSMT パッケージの二種類があります。LMファミリのオペアンプのほとんどが低消費電力で、アースを含む同相入力電圧の単一電源で動作します。

過電流保護機能で過電流等の異常発生時は出力が自動遮断され、安心です。耐トラッキングカバーでトラッキング火災を予防します。iPhone、iPad、Androidスマートフォン/タブレットを充電可能です。

IC BUFFER NON-INVERT 6V 14SOP

IC BUFFER NON-INVERT 6V 14TSSOP

IC BUF NON-INVERT 5.5V 14SSOP

IC BUF NON-INVERT 5.5V 14TSSOP

。IC BUFFER NON-INVERT 6V 14DIP

。IC BUF NON-INVERT 5.5V 14TSSOP

。IC BUF NON-INVERT 5.5V 14DIP

IC BUFFER NON-INVERT 3.6V 14SOP

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 14 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 48000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 14 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14.5 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 30 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.3mm。高さ = 0.75mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

ギヤードモータ：1271 27 mm 12 V dc. 低速と小型化を要する幅広い用途に使用 一体型有鉄芯DCモータは、スムーズな動作と双方向の可変速機能を実現 ギアヘッドには、多段式金属製スパーギアトレーンを採用 VDRシステムにより電気干渉を最小限に抑制