1軸アクチュエータ SE4505D(E9) カバー付

1軸アクチュエータ SE4505D(E9) カバー付 黒田精工

ボールねじと直線案内機器を一体化し、複雑な精度調整が不要、取付工数の大幅な削減が可能。
直線運動部は、ボールねじ溝と同様にゴシックアーチを採用し、高精度の位置決め精度が可能。
U字形状のガイドレールの採用でコンパクトで高剛性を実現。
U字形状のガイドレールの中にスライドブロックを配置し、低断面構造とし省スペース化を実現。
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内容量1台
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13695203 SE4505D-840U-E9CN-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 E9 なし 標準グリース 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
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13695228 SE4505D-840U-E9CN-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 E9 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
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13695246 SE4505D-840U-E9CN-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 E9 なし 標準グリース 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
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13695264 SE4505D-840U-E9CN-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 E9 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
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13695282 SE4505D-840U-E9CM-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 E9 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
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13695307 SE4505D-840U-E9CM-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 E9 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
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13695325 SE4505D-840U-E9CM-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 E9 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
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13695343 SE4505D-840U-E9CM-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 E9 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
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13695404 SE4505D-840U-E9CY-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 E9 Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
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13695447 SE4505D-840U-E9CC-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 E9 C(フォトマイクロセンサ) 標準グリース 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
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13695465 SE4505D-840U-E9CC-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 E9 C(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
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13695483 SE4505D-840U-E9CC-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 E9 C(フォトマイクロセンサ) 標準グリース 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
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13695508 SE4505D-840U-E9CC-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 E9 C(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
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13695526 SE4505D-840U-E9CP-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 E9 P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
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13695544 SE4505D-840U-E9CP-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 E9 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
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13695562 SE4505D-840U-E9CP-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 E9 P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
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13695587 SE4505D-840U-E9CP-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 E9 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
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13711206 SE4505D-940U-E9CN-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 940 E9 なし 標準グリース 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
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13711224 SE4505D-940U-E9CN-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 940 E9 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
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13711242 SE4505D-940U-E9CN-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 940 E9 なし 標準グリース 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
432,000
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13711267 SE4505D-940U-E9CN-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 940 E9 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
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13711285 SE4505D-940U-E9CM-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 940 E9 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
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13711303 SE4505D-940U-E9CM-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 940 E9 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
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13711328 SE4505D-940U-E9CM-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 940 E9 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
446,000
349,800
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13711346 SE4505D-940U-E9CM-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 940 E9 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
447,500
349,800
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13711364 SE4505D-940U-E9CY-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 940 E9 Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
412,000
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13711382 SE4505D-940U-E9CY-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 940 E9 Y(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
413,500
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13711407 SE4505D-940U-E9CY-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 940 E9 Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
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13711425 SE4505D-940U-E9CY-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 940 E9 Y(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
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13711443 SE4505D-940U-E9CC-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 940 E9 C(フォトマイクロセンサ) 標準グリース 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
412,000
329,800
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13711468 SE4505D-940U-E9CC-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 940 E9 C(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
413,500
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13711486 SE4505D-940U-E9CC-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 940 E9 C(フォトマイクロセンサ) 標準グリース 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
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13711504 SE4505D-940U-E9CC-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 940 E9 C(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
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13711522 SE4505D-940U-E9CP-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 940 E9 P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
412,000
329,800
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13711547 SE4505D-940U-E9CP-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 940 E9 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
413,500
329,800
362,780 (税込)
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13711565 SE4505D-940U-E9CP-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 940 E9 P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
446,000
349,800
384,780 (税込)
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13711583 SE4505D-940U-E9CP-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 940 E9 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) 上面カバー付 U(繰返し位置決め精度:±5μm) 5
447,500
349,800
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14961153 SE4505D-340W-E9CN-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 340 E9 なし 標準グリース 上面カバー付 W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
242,600
189,800
208,780 (税込)
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14961178 SE4505D-340W-E9CN-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 340 E9 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) 上面カバー付 W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
244,100
189,800
208,780 (税込)
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14961196 SE4505D-340W-E9CN-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 340 E9 なし 標準グリース 上面カバー付 W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
262,600
199,800
219,780 (税込)
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14961214 SE4505D-340W-E9CN-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 340 E9 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) 上面カバー付 W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
264,100
199,800
219,780 (税込)
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14961232 SE4505D-340W-E9CM-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 340 E9 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース 上面カバー付 W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
254,600
199,800
219,780 (税込)
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14961257 SE4505D-340W-E9CM-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 340 E9 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) 上面カバー付 W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
256,100
199,800
219,780 (税込)
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14961275 SE4505D-340W-E9CM-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 340 E9 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース 上面カバー付 W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
274,600
219,800
241,780 (税込)
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14961293 SE4505D-340W-E9CM-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 340 E9 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) 上面カバー付 W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
276,100
219,800
241,780 (税込)
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14961318 SE4505D-340W-E9CY-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 340 E9 Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース 上面カバー付 W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
254,600
199,800
219,780 (税込)
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14961336 SE4505D-340W-E9CY-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 340 E9 Y(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) 上面カバー付 W(繰返し位置決め精度:±10μm) 5
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199,800
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