1軸アクチュエータ SE4510D(A1)

1軸アクチュエータ SE4510D(A1) 黒田精工

ボールねじと直線案内機器を一体化し、複雑な精度調整が不要、取付工数の大幅な削減が可能。
直線運動部は、ボールねじ溝と同様にゴシックアーチを採用し、高精度の位置決め精度が可能。
U字形状のガイドレールの採用でコンパクトで高剛性を実現。
U字形状のガイドレールの中にスライドブロックを配置し、低断面構造とし省スペース化を実現。
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内容量1台
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14134846 SE4510D-840U-A1NN-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 A1 なし 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14134864 SE4510D-840U-A1NN-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 A1 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14134882 SE4510D-840U-A1NN-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 A1 なし 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14134907 SE4510D-840U-A1NN-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 A1 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14134925 SE4510D-840U-A1NM-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 A1 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14134943 SE4510D-840U-A1NM-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 A1 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14134968 SE4510D-840U-A1NM-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 A1 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14134986 SE4510D-840U-A1NM-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 A1 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14135004 SE4510D-840U-A1NY-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 A1 Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14135022 SE4510D-840U-A1NY-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 A1 Y(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14135047 SE4510D-840U-A1NY-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 A1 Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14135065 SE4510D-840U-A1NY-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 A1 Y(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14135108 SE4510D-840U-A1NC-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 A1 C(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14135126 SE4510D-840U-A1NC-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 A1 C(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14135144 SE4510D-840U-A1NC-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 A1 C(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14135162 SE4510D-840U-A1NP-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 A1 P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14135187 SE4510D-840U-A1NP-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 A1 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14135205 SE4510D-840U-A1NP-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 A1 P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14135223 SE4510D-840U-A1NP-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 A1 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14150842 SE4510D-940U-A1NN-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 940 A1 なし 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14150867 SE4510D-940U-A1NN-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 940 A1 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14150885 SE4510D-940U-A1NN-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 940 A1 なし 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14150903 SE4510D-940U-A1NN-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 940 A1 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14150928 SE4510D-940U-A1NM-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 940 A1 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14150946 SE4510D-940U-A1NM-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 940 A1 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14150964 SE4510D-940U-A1NM-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 940 A1 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14150982 SE4510D-940U-A1NM-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 940 A1 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
398,500
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14151007 SE4510D-940U-A1NY-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 940 A1 Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14151025 SE4510D-940U-A1NY-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 940 A1 Y(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14151043 SE4510D-940U-A1NY-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 940 A1 Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
397,000
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14151068 SE4510D-940U-A1NY-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 940 A1 Y(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14151086 SE4510D-940U-A1NC-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 940 A1 C(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14151104 SE4510D-940U-A1NC-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 940 A1 C(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14151122 SE4510D-940U-A1NC-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 940 A1 C(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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14151147 SE4510D-940U-A1NC-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 940 A1 C(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
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319,800
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14151165 SE4510D-940U-A1NP-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 940 A1 P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
363,000
289,800
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14151183 SE4510D-940U-A1NP-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 940 A1 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
364,500
289,800
318,780 (税込)
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14151208 SE4510D-940U-A1NP-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 940 A1 P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
397,000
309,800
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14151226 SE4510D-940U-A1NP-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 940 A1 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 10
398,500
319,800
351,780 (税込)
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15400753 SE4510D-340W-A1NN-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 340 A1 なし 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
193,700
149,800
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15400778 SE4510D-340W-A1NN-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 340 A1 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
195,200
149,800
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15400796 SE4510D-340W-A1NN-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 340 A1 なし 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
213,700
169,800
186,780 (税込)
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15400814 SE4510D-340W-A1NN-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 340 A1 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
215,200
169,800
186,780 (税込)
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15400832 SE4510D-340W-A1NM-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 340 A1 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
205,700
159,800
175,780 (税込)
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15400857 SE4510D-340W-A1NM-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 340 A1 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
207,200
159,800
175,780 (税込)
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15400875 SE4510D-340W-A1NM-LN D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 340 A1 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
225,700
179,800
197,780 (税込)
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15400893 SE4510D-340W-A1NM-LS D(ショートブロック2個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 340 A1 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
227,200
179,800
197,780 (税込)
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15400918 SE4510D-340W-A1NY-NN D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 340 A1 Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
205,700
159,800
175,780 (税込)
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15400936 SE4510D-340W-A1NY-NS D(ショートブロック2個付) 標準仕様(黒染め) SE45 340 A1 Y(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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