1軸アクチュエータ SE4510D(F9) ピン用穴有

1軸アクチュエータ SE4510D(F9) ピン用穴有 黒田精工

ボールねじと直線案内機器を一体化し、複雑な精度調整が不要、取付工数の大幅な削減が可能。
直線運動部は、ボールねじ溝と同様にゴシックアーチを採用し、高精度の位置決め精度が可能。
U字形状のガイドレールの採用でコンパクトで高剛性を実現。
U字形状のガイドレールの中にスライドブロックを配置し、低断面構造とし省スペース化を実現。
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89351859 SE4510D-940U-F9NC-LS-PR - 防錆黒色被膜処理 - 940 C(フォトマイクロセンサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) U(繰返し位置決め精度:±5μm) - -
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89351868 SE4510D-940U-F9NC-LS-PSR - 防錆黒色被膜処理 - 940 C(フォトマイクロセンサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) U(繰返し位置決め精度:±5μm) - -
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89351877 SE4510D-940U-F9NP-NN-PR - 標準仕様(黒染め) - 940 P(フォトマイクロセンサ) - 標準グリース U(繰返し位置決め精度:±5μm) - -
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89351886 SE4510D-940U-F9NP-NN-PSR - 標準仕様(黒染め) - 940 P(フォトマイクロセンサ) - 標準グリース U(繰返し位置決め精度:±5μm) - -
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89351895 SE4510D-940U-F9NP-NS-PR - 標準仕様(黒染め) - 940 P(フォトマイクロセンサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) U(繰返し位置決め精度:±5μm) - -
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89351904 SE4510D-940U-F9NP-NS-PSR - 標準仕様(黒染め) - 940 P(フォトマイクロセンサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) U(繰返し位置決め精度:±5μm) - -
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89351913 SE4510D-940U-F9NP-LN-PR - 防錆黒色被膜処理 - 940 P(フォトマイクロセンサ) - 標準グリース U(繰返し位置決め精度:±5μm) - -
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89351929 SE4510D-940U-F9NP-LN-PSR - 防錆黒色被膜処理 - 940 P(フォトマイクロセンサ) - 標準グリース U(繰返し位置決め精度:±5μm) - -
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89351947 SE4510D-940U-F9NP-LS-PSR - 防錆黒色被膜処理 - 940 P(フォトマイクロセンサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) U(繰返し位置決め精度:±5μm) - -
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00209705 SE4510D-340W-F9NM-NS-PSR - 標準仕様(黒染め) - 340 M(フォトマイクロセンサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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00209714 SE4510D-340W-F9NM-LN-PR - 防錆黒色被膜処理 - 340 M(フォトマイクロセンサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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00209730 SE4510D-340W-F9NM-LN-PSR - 防錆黒色被膜処理 - 340 M(フォトマイクロセンサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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00209757 SE4510D-340W-F9NY-NN-PR - 標準仕様(黒染め) - 340 Y(フォトマイクロセンサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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00209775 SE4510D-340W-F9NY-NS-PR - 標準仕様(黒染め) - 340 Y(フォトマイクロセンサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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00209784 SE4510D-340W-F9NY-NS-PSR - 標準仕様(黒染め) - 340 Y(フォトマイクロセンサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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00209800 SE4510D-340W-F9NY-LN-PR - 防錆黒色被膜処理 - 340 Y(フォトマイクロセンサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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00209818 SE4510D-340W-F9NY-LS-PR - 防錆黒色被膜処理 - 340 Y(フォトマイクロセンサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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00209854 SE4510D-340W-F9NC-NS-PR - 標準仕様(黒染め) - 340 C(フォトマイクロセンサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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