1軸アクチュエータ SE4520C(A1) ピン用穴有

1軸アクチュエータ SE4520C(A1) ピン用穴有 黒田精工

ボールねじと直線案内機器を一体化し、複雑な精度調整が不要、取付工数の大幅な削減が可能。
直線運動部は、ボールねじ溝と同様にゴシックアーチを採用し、高精度の位置決め精度が可能。
U字形状のガイドレールの採用でコンパクトで高剛性を実現。
U字形状のガイドレールの中にスライドブロックを配置し、低断面構造とし省スペース化を実現。
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87523477 SE4520C-540W-A1NM-NS-PR 標準仕様(黒染め) - 540 - M(フォトマイクロセンサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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87523486 SE4520C-540W-A1NM-NS-PSR 標準仕様(黒染め) - 540 - M(フォトマイクロセンサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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87523495 SE4520C-540W-A1NM-LN-PR 防錆黒色被膜処理 - 540 - M(フォトマイクロセンサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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87523504 SE4520C-540W-A1NM-LN-PSR 防錆黒色被膜処理 - 540 - M(フォトマイクロセンサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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87523513 SE4520C-540W-A1NM-LS-PR 防錆黒色被膜処理 - 540 - M(フォトマイクロセンサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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87523529 SE4520C-540W-A1NM-LS-PSR 防錆黒色被膜処理 - 540 - M(フォトマイクロセンサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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87523538 SE4520C-540W-A1NY-NN-PR 標準仕様(黒染め) - 540 - Y(フォトマイクロセンサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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87523574 SE4520C-540W-A1NY-LN-PR 防錆黒色被膜処理 - 540 - Y(フォトマイクロセンサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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87523678 SE4520C-540W-A1NC-LS-PR 防錆黒色被膜処理 - 540 - C(フォトマイクロセンサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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87523687 SE4520C-540W-A1NC-LS-PSR 防錆黒色被膜処理 - 540 - C(フォトマイクロセンサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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87523696 SE4520C-540W-A1NP-NN-PR 標準仕様(黒染め) - 540 - P(フォトマイクロセンサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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87523705 SE4520C-540W-A1NP-NN-PSR 標準仕様(黒染め) - 540 - P(フォトマイクロセンサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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87523714 SE4520C-540W-A1NP-NS-PR 標準仕様(黒染め) - 540 - P(フォトマイクロセンサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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87523723 SE4520C-540W-A1NP-NS-PSR 標準仕様(黒染め) - 540 - P(フォトマイクロセンサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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87523739 SE4520C-540W-A1NP-LN-PR 防錆黒色被膜処理 - 540 - P(フォトマイクロセンサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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87523748 SE4520C-540W-A1NP-LN-PSR 防錆黒色被膜処理 - 540 - P(フォトマイクロセンサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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87523757 SE4520C-540W-A1NP-LS-PR 防錆黒色被膜処理 - 540 - P(フォトマイクロセンサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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87523766 SE4520C-540W-A1NP-LS-PSR 防錆黒色被膜処理 - 540 - P(フォトマイクロセンサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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87539376 SE4520C-640W-A1NN-NN-PR 標準仕様(黒染め) - 640 - なし - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
229,000
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87539385 SE4520C-640W-A1NN-NN-PSR 標準仕様(黒染め) - 640 - なし - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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87539394 SE4520C-640W-A1NN-NS-PR 標準仕様(黒染め) - 640 - なし - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
230,000
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87539403 SE4520C-640W-A1NN-NS-PSR 標準仕様(黒染め) - 640 - なし - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
235,000
189,800
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87539419 SE4520C-640W-A1NN-LN-PR 防錆黒色被膜処理 - 640 - なし - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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87539428 SE4520C-640W-A1NN-LN-PSR 防錆黒色被膜処理 - 640 - なし - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
260,000
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87539437 SE4520C-640W-A1NN-LS-PR 防錆黒色被膜処理 - 640 - なし - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
256,000
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87539446 SE4520C-640W-A1NN-LS-PSR 防錆黒色被膜処理 - 640 - なし - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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87539455 SE4520C-640W-A1NM-NN-PR 標準仕様(黒染め) - 640 - M(フォトマイクロセンサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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87539464 SE4520C-640W-A1NM-NN-PSR 標準仕様(黒染め) - 640 - M(フォトマイクロセンサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
246,000
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87539473 SE4520C-640W-A1NM-NS-PR 標準仕様(黒染め) - 640 - M(フォトマイクロセンサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
242,000
189,800
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87539489 SE4520C-640W-A1NM-NS-PSR 標準仕様(黒染め) - 640 - M(フォトマイクロセンサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
247,000
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87539498 SE4520C-640W-A1NM-LN-PR 防錆黒色被膜処理 - 640 - M(フォトマイクロセンサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
267,000
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230,780 (税込)
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87539507 SE4520C-640W-A1NM-LN-PSR 防錆黒色被膜処理 - 640 - M(フォトマイクロセンサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
272,000
219,800
241,780 (税込)
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87539516 SE4520C-640W-A1NM-LS-PR 防錆黒色被膜処理 - 640 - M(フォトマイクロセンサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
268,000
209,800
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87539525 SE4520C-640W-A1NM-LS-PSR 防錆黒色被膜処理 - 640 - M(フォトマイクロセンサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
273,000
219,800
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87539534 SE4520C-640W-A1NY-NN-PR 標準仕様(黒染め) - 640 - Y(フォトマイクロセンサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
241,000
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87539543 SE4520C-640W-A1NY-NN-PSR 標準仕様(黒染め) - 640 - Y(フォトマイクロセンサ) - 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
246,000
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87539559 SE4520C-640W-A1NY-NS-PR 標準仕様(黒染め) - 640 - Y(フォトマイクロセンサ) - 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) - -
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