1軸アクチュエータ SE4520D(E6) ピン用穴有

1軸アクチュエータ SE4520D(E6) ピン用穴有 黒田精工

ボールねじと直線案内機器を一体化し、複雑な精度調整が不要、取付工数の大幅な削減が可能。
直線運動部は、ボールねじ溝と同様にゴシックアーチを採用し、高精度の位置決め精度が可能。
U字形状のガイドレールの採用でコンパクトで高剛性を実現。
U字形状のガイドレールの中にスライドブロックを配置し、低断面構造とし省スペース化を実現。
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15904008 SE4520D-640W-E6NN-NN-PS E6 標準仕様(黒染め) SE45 640 なし D(ショートブロック2個付) 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15904026 SE4520D-640W-E6NN-NS-PS E6 標準仕様(黒染め) SE45 640 なし D(ショートブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15904044 SE4520D-640W-E6NN-LN-PS E6 防錆黒色被膜処理 SE45 640 なし D(ショートブロック2個付) 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15904087 SE4520D-640W-E6NM-NN-PS E6 標準仕様(黒染め) SE45 640 M(フォトマイクロセンサ) D(ショートブロック2個付) 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15904202 SE4520D-640W-E6NY-LN-PS E6 防錆黒色被膜処理 SE45 640 Y(フォトマイクロセンサ) D(ショートブロック2個付) 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15904342 SE4520D-640W-E6NP-NS-PS E6 標準仕様(黒染め) SE45 640 P(フォトマイクロセンサ) D(ショートブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15904385 SE4520D-640W-E6NP-LS-PS E6 防錆黒色被膜処理 SE45 640 P(フォトマイクロセンサ) D(ショートブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15920004 SE4520D-740W-E6NN-NN-PS E6 標準仕様(黒染め) SE45 740 なし D(ショートブロック2個付) 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15920022 SE4520D-740W-E6NN-NS-PS E6 標準仕様(黒染め) SE45 740 なし D(ショートブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15920047 SE4520D-740W-E6NN-LN-PS E6 防錆黒色被膜処理 SE45 740 なし D(ショートブロック2個付) 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15920083 SE4520D-740W-E6NM-NN-PS E6 標準仕様(黒染め) SE45 740 M(フォトマイクロセンサ) D(ショートブロック2個付) 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15920108 SE4520D-740W-E6NM-NS-PS E6 標準仕様(黒染め) SE45 740 M(フォトマイクロセンサ) D(ショートブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15920126 SE4520D-740W-E6NM-LN-PS E6 防錆黒色被膜処理 SE45 740 M(フォトマイクロセンサ) D(ショートブロック2個付) 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15920144 SE4520D-740W-E6NM-LS-PS E6 防錆黒色被膜処理 SE45 740 M(フォトマイクロセンサ) D(ショートブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15920162 SE4520D-740W-E6NY-NN-PS E6 標準仕様(黒染め) SE45 740 Y(フォトマイクロセンサ) D(ショートブロック2個付) 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15920187 SE4520D-740W-E6NY-NS-PS E6 標準仕様(黒染め) SE45 740 Y(フォトマイクロセンサ) D(ショートブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15920205 SE4520D-740W-E6NY-LN-PS E6 防錆黒色被膜処理 SE45 740 Y(フォトマイクロセンサ) D(ショートブロック2個付) 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15920223 SE4520D-740W-E6NY-LS-PS E6 防錆黒色被膜処理 SE45 740 Y(フォトマイクロセンサ) D(ショートブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15920248 SE4520D-740W-E6NC-NN-PS E6 標準仕様(黒染め) SE45 740 C(フォトマイクロセンサ) D(ショートブロック2個付) 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15920266 SE4520D-740W-E6NC-NS-PS E6 標準仕様(黒染め) SE45 740 C(フォトマイクロセンサ) D(ショートブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15920284 SE4520D-740W-E6NC-LN-PS E6 防錆黒色被膜処理 SE45 740 C(フォトマイクロセンサ) D(ショートブロック2個付) 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15920302 SE4520D-740W-E6NC-LS-PS E6 防錆黒色被膜処理 SE45 740 C(フォトマイクロセンサ) D(ショートブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15920327 SE4520D-740W-E6NP-NN-PS E6 標準仕様(黒染め) SE45 740 P(フォトマイクロセンサ) D(ショートブロック2個付) 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15920345 SE4520D-740W-E6NP-NS-PS E6 標準仕様(黒染め) SE45 740 P(フォトマイクロセンサ) D(ショートブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15920363 SE4520D-740W-E6NP-LN-PS E6 防錆黒色被膜処理 SE45 740 P(フォトマイクロセンサ) D(ショートブロック2個付) 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15920388 SE4520D-740W-E6NP-LS-PS E6 防錆黒色被膜処理 SE45 740 P(フォトマイクロセンサ) D(ショートブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15936007 SE4520D-840W-E6NN-NN-PS E6 標準仕様(黒染め) SE45 840 なし D(ショートブロック2個付) 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
345,000
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15936025 SE4520D-840W-E6NN-NS-PS E6 標準仕様(黒染め) SE45 840 なし D(ショートブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
346,500
269,800
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15936043 SE4520D-840W-E6NN-LN-PS E6 防錆黒色被膜処理 SE45 840 なし D(ショートブロック2個付) 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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15936068 SE4520D-840W-E6NN-LS-PS E6 防錆黒色被膜処理 SE45 840 なし D(ショートブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
377,500
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15936086 SE4520D-840W-E6NM-NN-PS E6 標準仕様(黒染め) SE45 840 M(フォトマイクロセンサ) D(ショートブロック2個付) 標準グリース W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
358,000
279,800
307,780 (税込)
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15936104 SE4520D-840W-E6NM-NS-PS E6 標準仕様(黒染め) SE45 840 M(フォトマイクロセンサ) D(ショートブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
359,500
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389,000
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15936147 SE4520D-840W-E6NM-LS-PS E6 防錆黒色被膜処理 SE45 840 M(フォトマイクロセンサ) D(ショートブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 20
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