ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 11.6 A， 8 ピン パッケージSOIC PowerTrench シリーズ
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 11.6 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = SOIC
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 2500 mW
寸法 = 5 x 4 x 1.5mm
PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1袋(5個)
最大連続ドレイン電流 = 11.6 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = SOIC
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 2500 mW
寸法 = 5 x 4 x 1.5mm
PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
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商品レビュー
よくあるご質問(FAQ)
- 質問：
- 製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
- 回答：
- お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。
https://help.monotaro.com/app/ask
書類名）
1：SDS(MSDS)
2：RoHS(2)
3：非該当証明書
4：ChemSHERPA
5：その他（ミルシート・出荷証明書）
2022-03-31
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