onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 18 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：18 A
幅(mm)3.9
高さ(mm)1.575
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)5
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
内容量1箱(5個)
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