onsemi トランジスタ， NPN， 表面実装， 50 mA， MMBT918LT1G

トランジスタタイプ = NPN
最大DCコレクタ電流 = 50 mA
最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 15 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
最大パワー消費 = 225 mW
最小DC電流ゲイン = 20
トランジスタ構成 = シングル
最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V dc
最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V
最大動作周波数 = 100 MHz
ピン数 = 3
1チップ当たりのエレメント数 = 1
寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm
先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. RFバイホーラトランジスタ、ON Semiconductor