Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 375 A 表面実装 パッケージDirectFET ISOMETRIC
DirectFETRパワーMOSFET、Infineon. DirectFETR パワーパッケージは、表面実装のパワーMOSFETパッケージング技術を採用しています。 DirectFETR MOSFETは、エネルギー損失量を削減しながら、高度なスイッチング用途向けに設計するフットプリントを縮小するソリューションです。. 該当するフットプリントに収納された業界最低のオン抵抗 非常に低いパッケージ抵抗で導電損失を最小化 非常に効率的な両面冷却により、電力密度、コスト及び信頼性が大幅に改善されます。 わずか0.7 mmの低プロファイル
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 375 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
シリーズ = DirectFET， HEXFET
実装タイプ = 表面実装
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5MΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大パワー消費 = 125 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 7.1mm
順方向ダイオード電圧 = 1.3V
最大連続ドレイン電流 = 375 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
シリーズ = DirectFET， HEXFET
実装タイプ = 表面実装
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5MΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大パワー消費 = 125 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 7.1mm
順方向ダイオード電圧 = 1.3V
RoHS指令(10物質対応)対応内容量1セット(4000個)
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