パワーMOSFETのおすすめ人気ランキング

2025/08/14更新
598件の「パワーMOSFET」商品から売れ筋のおすすめ商品をピックアップしています。当日出荷可能商品も多数。「MOS FETリレー」、「pチャンネル fet」、「バイポーラ」などの商品も取り扱っております。
パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 225 mW。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。パワー MOSFET 170 mA 、 100 V 、 N チャンネル SOT-23品番の先頭が「 BVSS 」の場合は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 鉛フリー 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています
RoHS指令(10物質対応) 対応
1袋(50個)
899 税込989
7日以内出荷

1個ほか
589 税込648
翌々日出荷から7日以内出荷
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パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 235 W。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( on ) = 265 m Ω (最大) @ VGS = 10 V 、 ID = 9 A 低ゲート電荷量(標準) 45 nC ) 低 CRSs (標準) 25 pF ) 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。 LCD / LED / PDP TV 照明 無停電電源
RoHS指令(10物質対応) 対応
1袋(5個)
2,798 税込3,078
5日以内出荷

仕様 チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 58 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。パッケージタイプ = TO-220SIS。実装タイプ = スルーホール。トランジスタ構成 = シングル。チャンネルモード = エンハンスメント型。カテゴリー = パワーMOSFET。最大パワー消費 = 35 W。1チップ当たりのエレメント数 = 1。。MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba RoHS指令(10物質対応) 対応
1袋(5個)
699 税込769
当日出荷

仕様 チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:1.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧:60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:300 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:2V●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOT-223●実装タイプ:表面実装●ピン数:3+Tab●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:小信号●最大パワー消費:1.8 W●シリーズ:SIPMOS●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応 RoHS指令(10物質対応) 対応
1リール(1000個)
64,980 税込71,478
7日以内出荷

仕様 ●チャンネルタイプ: N●最大連続ドレイン電流: 200 mA●最大ドレイン-ソース間電圧: 20 V●シリーズ: RUM002N02●実装タイプ: 表面実装●ピン数: 3●最大ドレイン-ソース間抵抗: 4.8 Ω●チャンネルモード: エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧: 1V●最低ゲートしきい値電圧: 0.3V●最大パワー消費: 150 mW●最大ゲート-ソース間電圧: -8 V, +8 V●長さ: 1.3mm●高さ: 0.45mm●ローム Nチャンネル MOSFET トランジスタ RoHS指令(10物質対応) 対応
1袋(100個)
1,398 税込1,538
翌々日出荷

仕様 チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 30 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.06 Ω。最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最大ゲート-ソース間電圧 = +20 V。パッケージタイプ = TO-3PN。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。チャンネルモード = エンハンスメント型。カテゴリー = パワーMOSFET。最大パワー消費 = 260 W @ 25 ℃。1チップ当たりのエレメント数 = 1。。MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応) 対応
1袋(5個)
2,998 税込3,298
当日出荷

仕様 チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V。パッケージタイプ = TO-3PN。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。チャンネルモード = エンハンスメント型。カテゴリー = パワーMOSFET。最大パワー消費 = 250 W。1チップ当たりのエレメント数 = 1。。MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応) 対応
1個
919 税込1,011
当日出荷

仕様 ●チャンネルタイプ: N●最大連続ドレイン電流: 2 A●最大ドレイン-ソース間電圧: 60 V●パッケージタイプ: SOT-89●実装タイプ: 表面実装●ピン数: 3●最大ドレイン-ソース間抵抗: 340 mΩ●チャンネルモード: エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧: 2.5V●最低ゲートしきい値電圧: 1V●最大パワー消費: 500 mW●トランジスタ構成: シングル●最大ゲート-ソース間電圧: ±20 V●幅: 2.7mm●高さ: 1.6mm●パワーMOSFETは、幅広い用途に有効なマイクロプロセッシング技術により、低オン抵抗のデバイスとなっています。小型タイプ、高性能タイプ、複合タイプなど、幅広いラインアップにより、市場のさまざまなニーズに対応しています。4 V駆動タイプ NchミドルパワーMOSFET 高速スイッチング速度 小型表面実装パッケージ 鉛フリー 用途: 携帯型データ端末 貨幣計数機 デジタルマルチメータ: 携帯型 モータ制御: ブラシレスDC PLC (プログラマブルロジックコントローラ) ACサーボ ネットワーク接続ストレージ DVR / DVS モータ制御: ステッピングモータ モータ制御: ブラシ付きDC POS (販売時点情報管理システム) 電動自転車 埋め込みPC スマートメータ 監視カメラ セキュリティ用X線検査機 ネットワーク型監視カメラ ドアホン / ベビーモニタ 産業用マシンビジョンカメラ 指紋認証機器 GFCI (漏電ブレーカ) デジタルマルチメータ: 据置型 EMS 用ディスプレイ 太陽光発電インバータ RoHS指令(10物質対応) 対応
1袋(20個)
2,298 税込2,528
7日以内出荷

仕様 チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 85 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.5 mΩ。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。トランジスタ構成 = シングル。チャンネルモード = エンハンスメント型。カテゴリー = パワーMOSFET。最大パワー消費 = 250 W。寸法 = 10.41 x 4.7 x 9.01mm。。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor RoHS指令(10物質対応) 対応
1個
949 税込1,044
7日以内出荷




仕様 チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 3.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1Ω。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。チャンネルモード = エンハンスメント型。カテゴリー = パワーMOSFET。最大パワー消費 = 35 W。標準ゲートチャージ @ Vgs = 38 nC @ 10 V。。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor RoHS指令(10物質対応) 対応
1個
469 税込516
翌々日出荷

仕様 チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ω。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V。パッケージタイプ = TO-220SIS。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。チャンネルモード = エンハンスメント型。カテゴリー = パワーMOSFET。最大パワー消費 = 50 W。幅 = 4.5mm。。MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応) 対応
1袋(5個)
1,198 税込1,318
翌々日出荷


仕様 チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7Ω。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。パッケージタイプ = IPAK (TO-251)。実装タイプ = スルーホール。トランジスタ構成 = シングル。チャンネルモード = エンハンスメント型。カテゴリー = パワーMOSFET。最大パワー消費 = 50 W。標準ターンオフ遅延時間 = 25 ns。。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor RoHS指令(10物質対応) 対応
1個
299 税込329
翌々日出荷

1袋(2個)ほか
1,598 税込1,758
翌々日出荷から7日以内出荷
バリエーション一覧へ (15種類の商品があります)

仕様 チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 11.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ。最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V。パッケージタイプ = TO-3P。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。チャンネルモード = エンハンスメント型。カテゴリー = パワーMOSFET。最大パワー消費 = 110 W。動作温度 Max = +150 ℃。。MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応) 対応
1個
459 税込505
翌々日出荷

仕様 チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 6.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22 mΩ。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。パッケージタイプ = PowerPAK SO。実装タイプ = 表面実装。トランジスタ構成 = シングル。チャンネルモード = エンハンスメント型。カテゴリー = パワーMOSFET。最大パワー消費 = 1800 mW。動作温度 Max = +150 ℃。。NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor RoHS指令(10物質対応) 対応
1袋(5個)
1,698 税込1,868
7日以内出荷