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半導体のおすすめ人気ランキング
2026/05/01更新7,605件の「半導体」商品から売れ筋のおすすめ商品をピックアップしています。当日出荷可能商品も多数。「半導体 手袋」、「半導体ケース」、「IC」などの商品も取り扱っております。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
抵抗値0.1~100Ω・cm製造方法CZ法位置【OF】110方位【面】100
ベアシリコンウェハから半導体素子ができるまでの過程を体感できるセット内容です。教育現場での半導体についての説明などにご利用ください。
用途教育用セット内容ベアウェハ(12インチ)、膜付きウェハ(12インチ) 、パターン付きウェハ(20mm角)、半導体素子(ダイオード/トランジスタ)種類セット品
1セット
¥15,980税込¥17,578
5日以内出荷
岩崎通信機(IWATSU)半導体実習装置
ITF-05Aは、各種半導体素子の動作、性質などを習得するために設計された実習装置で、2端子、3端子の半導体について、それぞれ実習できます。
用途1.2端子素子の特性(電圧、電流)測定実習
測定素子:ダイオード、ツェナダイオード、バリスタ、サイリスタetc.
2.3端子素子の特性(電圧、電流、各種パラメータ)測定実習
トランジスタ静特性、hパラメータ(交流重畳法)
FET静特性、増幅度、インビーダンス
SCR静特性
LED静特性
1式
¥216,800税込¥238,480
47日以内出荷
取り出しやすく、積み重ねもできます。
材質透明PC(ポリカーボネート)
仕様トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 12 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = TO-220SIS。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃。最小DC電流ゲイン = 120。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 80 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。幅 = 4.5mm。。NPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,398税込¥1,538
当日出荷
岩崎通信機(IWATSU)論理回路実習装置
ITF-02Bは、論理回路の基礎から応用まで手軽に実習できるように、パネル面に各回路素子、信号源、表示器を装備し、それらの組み合わせにより、視覚的に学習できる実習装置です。
用途1.AND、OR、NOT、NAND、NOR、ExclusiveORの基本動作実習
2.半加算器、全加算器の組み立て、動作実習
3.エンコーダ、デコーダの組み立て、動作実習
4.R-SおよびJ-Kフリップフロップの基本動作実習
5.シフトレジスタの基本動作実習、その他応用実習
1式
¥499,800税込¥549,780
47日以内出荷
使用済みシリコンウェハを再生加工して、再度プロセスに使用できるレベルにまで再生したシリコンウェハです。実験用、教育用など様々な用途に、少量からご提供します。
用途製造プロセス用、研究開発用、実験用、教育用抵抗値1-100Ω・cm仕様パーティクル:不問
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 45 V, 800 mA, 3-Pin TO-92
仕様トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 800 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。最小DC電流ゲイン = 170。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V。。小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥259税込¥285
当日出荷
岩崎通信機(IWATSU)パルス回路実習装置
ITF-03Bは、パネル回路の基礎から応用まで手軽に実習できるように、パネル面に回路、信号源を装備し、それらの組み合わせにより、視覚的に学習できる実習装置です。
(ITF-03BはITF-03のマイナーチェンジ・機種です)
用途1.微分回路、積分回路の実習
2.クリップ回路、クランプ回路の実習
3.論理回路(AND、OR、NOT)の実習
4.ミラー回路、ブートストラップ回路の実習
5.マルチバイブレータ(無安定、単安定、双安定、シュミットトリガ)の実習
1式
¥489,800税込¥538,780
47日以内出荷
アズワン研究用高純度シリコンウェハー
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
ウェハーの出荷・保管用の容器です。ウェハーの表を下にして収納します。
ポケットの底は円錘状でウェハーエッジのみ接触します。スプリングでウェハーを固定します。
トレー同士またはトレーとカバーの積み重ねが可能で、トレーは互いに固定して積み重ねることもできます。
オールポリプロピレン製。
材質ナチュラルPP(ポリプロピレン)
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供
仕様(面方位)100、(OF位置)110、パーティクル不問、多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)抵抗値0.1~100Ω・cm※低抵抗:≦0.02Ω・cm、高抵抗:≧500Ω・cm製造方法CZ法
MCP電子回路学習用キット
内容グリッドパネル&収納ケース(1)、リード(40)、ブロック(49)、マニュアル(2)
1個
¥99,980税込¥109,978
52日以内出荷
1個
¥159,800税込¥175,780
52日以内出荷
ウエハを清浄に搬送する枚葉タイプです。
アウトガスを極力抑え、低有機汚染性を実現します。
積層高さもコンパクトです。
低汚染を追求した材質で製造されています。
トレー同士またはトレーとカバーの積み重ねが可能です。
SS300はガスケットを有し、帯電防止性も品揃えしています。
SS300セットはパッキン付きですので、気密性に優れています。
セット内容本体・カバー・スプリング(各1枚)
仕様チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 58 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。パッケージタイプ = TO-220SIS。実装タイプ = スルーホール。トランジスタ構成 = シングル。チャンネルモード = エンハンスメント型。カテゴリー = パワーMOSFET。最大パワー消費 = 35 W。1チップ当たりのエレメント数 = 1。。MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥759税込¥835
当日出荷






















