仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 2 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●パッケージタイプ： SOT-89●実装タイプ： 表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 340 mΩ●チャンネルモード： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 500 mW●トランジスタ構成： シングル●最大ゲート-ソース間電圧： ±20 V●幅： 2.7mm●高さ： 1.6mm●パワーMOSFETは、幅広い用途に有効なマイクロプロセッシング技術により、低オン抵抗のデバイスとなっています。小型タイプ、高性能タイプ、複合タイプなど、幅広いラインアップにより、市場のさまざまなニーズに対応しています。4 V駆動タイプ NchミドルパワーMOSFET 高速スイッチング速度 小型表面実装パッケージ 鉛フリー 用途: 携帯型データ端末 貨幣計数機 デジタルマルチメータ: 携帯型 モータ制御: ブラシレスDC PLC (プログラマブルロジックコントローラ) ACサーボ ネットワーク接続ストレージ DVR / DVS モータ制御: ステッピングモータ モータ制御: ブラシ付きDC POS (販売時点情報管理システム) 電動自転車 埋め込みPC スマートメータ 監視カメラ セキュリティ用X線検査機 ネットワーク型監視カメラ ドアホン / ベビーモニタ 産業用マシンビジョンカメラ 指紋認証機器 GFCI (漏電ブレーカ) デジタルマルチメータ: 据置型 EMS 用ディスプレイ 太陽光発電インバータ
RoHS指令(10物質対応)対応
